华为ESD研讨会培训内容20729.docx
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1、静电防护技术培训主要涉及以下三方面一, 静电防护的发展动态;二, 电子产品静静电防护护系统建建立的方方法和原原则;三, 生产现场常常见的静静电失效效案例分分析;必要性:随着我公司司产品业业务量日日益扩大大,产品品质量致致关重要要,静电电防护变变得越来来越重要要,为使使我们的的整个产产品在生生产过程程(包括括原材料料检验,出出入库)都都能重视视ESDD,建立立合理的的静电防防护,了了解ESSD ,保保证产品品的质量量要求。1.ISOO90000对EESD S200.200标准的的重要性性目前亚洲国国家,如如日本和和我国的的ESDD标准都都是由欧欧美标准准转化而而来。在在众多的的标准中中,ESSD
2、A体体系的核核心标准准ESDD S220.220标准准认证是电子产产品加工工企业承承接国际际订单的的通行证证。一个工工厂的EESD防防护水平平基本上上代表了了其对产产品质量量的控制制水平。ESD S20.20标准是目前企业ESD认证最常用的国际标准,对于有ISO9000认证的企业,更有易通过其标准认证,同时也是ISO9000质量体系中的重要内容。2.静电防防护的认识:目前为止有有四种情情况可引引起ESSD的产产生,认认定为以以下四种种ESDD模型:(1)Huumann Boody Moddel人人体模型型(缩写写为:HHBM)作业人员(从从人体向向器件放放电)带有静电的的人手接接触到装装置的导
3、导线部时时,因静静电放电电使装置置带电。装置接接地后,电电路中流流过放电电电流,发发生静电电破坏。该模型表征征人体带带电接触触器件放放电,RRb为等等效人体体电阻,Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件HBM模型的ESD等级。人体模型电电压在110V80000V左右右,目前前ESDD协会由由20000V控控制在110000V,未未来到20110年目目标在1100VV左右;(2)Maachiine Moddel机机器模型型(缩写写为:MMM)机器装置(从从机器装装置向器器件放电电)装置的导线线部接触触到带有有静电的的金属性性装置等等导电体体时,因因静电放电使使装置带带电。装装置接
4、地地后,电电路中流流过放电电电流,发生静电破破坏。机器模型的的等效电电路与人人体模型型相似,但但等效电电容(CCb)是是2000pF,等等效电阻阻为0,机器器模型与与人体模模型的差差异较大大,实际际上机器器的储电电电容变变化较大大,但为为了描述述的统一一,取2200ppF。由由于机器器模型放放电时没没有电阻阻,且储储电电容容大于人人体模式式,同等等电压对对器件的的损害,机机器模式式远大于于人体模模机器模型电电压在1100VV8000V左右右,目前前ESDD协会由由1000V控制制在300V,未未来到220100年目标标在100V左右右;(3)Chhargge DDeviice Moddel 充
5、电电器件模型型(缩写写为:CCDM)半导体元件件(装置置自身带带电引起起的破坏坏)在此状态下下接地后后会引起起静电放放电破坏坏。半导体体器件主主要采用用三种封封装型式式(金属属、陶瓷瓷、塑料料)。它它们在装装配、传传递、试试验、测测试、运运输及存存贮过程程中,由由于管壳壳与其它它绝缘材材料(如如包装用用的塑料料袋、传传递用的的塑料容容器等)相相互磨擦擦,就会会使管壳壳带电。器器件本身身作为电电容器的的一个极极板而存存贮电荷荷。CDDM模型型就是基基于已带带电的器器件通过过管脚与与地接触触时,发发生对地地放电引引起器件件失效而而建立的的。器件可能要要接受的的电压在在10VV80000V左左右,目
6、目前ESSD协会会尽力控控制在5500VV,但目目标不能能确定,未未来到220100年目标标值在550V左左右;(4)Fiieldd Innducced Chaargee Deevicce MModeel磁场场带电模模式(缩缩写为:FICCDM) 半导体元元件(装装置自身身带电引引起的破破坏)电磁场A静电积积累,瞬瞬间释放放,产生生电压会会很大几几千甚至至几万伏伏;B日常生生活中,打打雷闪电电时的现现象属于于自然环环境中静静电释放放的现象象;人体体行走脚脚与地面面的摩擦擦,产生生静电小小于30000VV,所以以对人体体没什么么伤害,自自然感觉觉不到。C静电对对电子元元器件的的损害会会很大有些元
7、器件件在受到到静电破破坏时,会会及时出出现故障障并可检检测到(属属于静电电耐压值值几-十十几伏),属属于硬性性静电破破坏;有有些元器器件则是是在受到到静电破破坏后,故故障现象象不能及及时出现现,可能能会留到到下下一一工序,或或者到成成品出货货,或者者消费应应用时出出现故障障,而不不能使用用,称之之为软性性静电破破坏。3.静电的的危害:静电破坏是是静电放放电(EESD)引起的的故障之之一。例例如,众众所周知知,ICC等电子子部件被被静电破破坏的现现象是静静电破坏坏的典型型例子。由由于是人人体感觉觉不到微微弱的静静电,因因此其特特征是在在不知不不觉间引引起了静静电破坏坏。静电破坏坏的事例例【半导体
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