第3章场效应答案.docx


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1、习题答案已知场效应管的输出特性或转移如题图所示。试判别其类型,并说明各管子在I Uds I 二10V时的饱和漏电流Idss、夹断电压Ugsoit (或开启电压UGSth)各为多少。解:FET有JFET和MOSFET, JFET有P沟(U只能为正)和N沟(Us只能为负)之分。MOSFET中有耗尽型P沟和N沟(Ugs可为正、零或负),增强型P沟(0gs只能为 负)和N沟(Ugs只能为正)。图(a): N 沟耗尽型 MOSFET, IDSS =2mA,UGS(f/j) =Vo图(b): P 沟结型 FET, /ss=3mA, UGS(t/l)=3Vo图(c): N沟增强型MOSFET, Idss无意
2、、义,gs(例=15V。3.1 已知某JFET的lDss=10mA, UGSoff=-4V,试定性画出它的转移特性曲线,并用平方律电 流方程求出UGS=-2V时的跨导gmo解:(1)转移特性如下图所示。3.2 已知各FET各极电压如题图所示,并设各管的Ugsw =2V。试分别判别其工作状态(可变电阻区,恒流区,截止区或不能正常工作)。解:图(a)中,N沟增强型 MOSFET因为 Ugs = 3 7 Gs(th) 2 V ,UGD = -2V = UGS(th)=2V,所以工作在恒流区。图 (b)中,N 沟耗尽型 MOSFET , UGS = 5 V UGS(th)=-2 V , UGD=0VU
3、GS(th)=-2V,所以工作在可变电阻区。图(c)中,P 沟增强型 MOSFET , UGS = -5 V Ugsc/z)=2V,所以工作在恒流区。图(d)中,为N沟JFET, UGS=-3V UGS(lh)二 L5VUGDQ - GSQ - VdSQ = 3GS(th )可见符合工作在恒流区的假设条件。(2)低频小信号等效电路如图(b)所示。3.6 场效应管电路如题图所示。设MOSFET的&业=500川2, gsw = 3 V。试求显分别为2kQ和10k。时U。的值。9V9 Udd口 TG I-OUo|Rs解:7?s = 2kQ时,可得/o=2mA, Uo = 4 V(舍去/。= 4.5m
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- 场效应 答案

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