最新电大《光伏检测与分析》形考作业任务01.doc

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1、最新电大光伏检测与分析p 形考作业任务01最新电大光伏检测与分析p 形考作业任务01-04网考试题及答案 100通过 考试说明：光伏检测与分析p 形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中屡次抽取试卷，直到出现01任务001、02任务001、03任务001、04任务001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。01任务 01任务001 一、单项选择题共 10 道试题，共 20 分。1.缓冲剂一般是 。A.强酸强碱 B.弱酸弱碱 C.弱

2、酸 D.弱碱 2.一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在 的硅单晶。A.小于1000cm B.11000cm C.大于1000cm D.以上皆不是 3.目前国内外广泛采用 测量半导体硅单晶电阻率。A.两探针法 B.四探针法 C.扩展电阻法 D.范德堡法 4.用冷热探笔法测量 半导体时，冷端带正电，热端带负电。A.P型 B.N型 C.PN型 D.以上皆不是 5.半导体器件厂就是用一定型号的 来消费出所需要的半导体元件。A.单晶 B.多晶 C.非晶 D.以上皆不是 6.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷 。A.大 B.小 C.一样大小 D.未知 7. 是半导体中最主要

3、的缺陷，它属于线缺陷。A.空位 B.位错 C.层错 D.杂质沉淀 8. 是最简单的点缺陷。A.空位 B.填隙原子 C.络合体 D.外来原子 9.三探针法属于利用半导体的 来测量导电类型的方法。A.温差电效应 B.整流效应 C.以上二种皆可 D.以上二种皆不可 10. 是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 D.微缺陷 二、多项选择题共 10 道试题，共 30 分。1.国内外半导体硅单晶导电类型的测量详细方法有 。A.冷热探笔法 B.三探针法 C.单探针点接触整流法 D.冷探笔法 2.半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有 。

4、A.星形构造 B.杂质析出 C.系属构造 D.点缺陷 3.高频光电导衰退法的优点主要有 。A.样品无需切割成一定的几何形状 B.测量时不必制作欧姆电极 C.样品较少受到污染 D.应用广泛 4.陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用 。A.使整个样品加底光照 B.加底光照后用氙灯闪光进展照射 C.将硅单晶加热到5070 D.将硅单晶加热到6080 5.半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的 有直接影响。A.太阳能电池的光电转换效率 B.晶体管的放大倍数 C.开关管的开关时间 D.太阳能电池的填充因子 6.半导体硅的常用腐蚀剂主要有 。A.Sirtl腐蚀液 B.Dash腐蚀液 C.W

5、right腐蚀液 D.Shimmel腐蚀液 7.直流光电导衰退法的缺点主要有 。A.对样品有几何形状和几何尺寸的要求 B.要求制备符合一定要求的欧姆接触 C.测量下限较高 D.仪器线路比拟复杂 8.高频光电导衰退法的缺点主要有 。A.仪器线路比拟复杂 B.干扰比拟大 C.测试方法比拟简单 D.依靠电容耦合 9.半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有 。A.点缺陷 B.位错 C.层错 D.杂质沉淀 10.稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有 。A.光电导衰退法 B.扩散长度法 C.光磁法 D.光脉冲法 三、判断题共 10 道试题，共 20 分。1.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少

6、两个数量级。A.错误 B.正确 2.半导体的陷阱中心数量是变化的。A.错误 B.正确 3.硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。A.错误 B.正确 4.用冷热探笔法测量N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。A.错误 B.正确 5.腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。A.错误 B.正确 6.测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对外表进展喷砂处理或进展研磨处理。A.错误 B.正确 7.用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时，热探笔的温度要适当，以4050为宜。A.错误 B.正确 8.被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。A.错误 B.正确 9.半导体体内的缺

7、陷可用金相显微镜进展观察和计数。A.错误 B.正确 10.当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠外表能级作为复合中心。A.错误 B.正确 四、连线题共 10 道试题，共 30 分。1.将以下不同电阻率的测量电流范围一一对应。1样品电阻率1000 A.样品电流1 2样品电阻率301000 B.样品电流0.1 3样品电阻率130 C.0.01 1C 2B 3A 2.将以下半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。1HCL A.冰醋酸 2HAc B.36 3H2O2 C.30 1B 2A 3C 3.1A 2B 3C 4.将以下半导体晶体缺陷类型一一对应

8、。1宏观缺陷 A.杂质沉淀 2微观缺陷 B.星形构造 3外表机械损伤 C.加工损伤 1B 2A 3C 5.将以下微观缺陷种类与说法一一对应。1空位 A.晶格点阵上的原子由于热运动或辐照分开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的外表 2填隙原子 B.占据晶格空隙处的多余原子 3络合体 C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体 1A 2B 3C 6.将以下硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。1Shimmle腐蚀液 A.1015min 2Wright腐蚀液 B.20 min以上 3Sirtl腐蚀液 C.5min 1C 2B 3A 7.将以下不同电阻率的测量电流范围一一对应。1样品电阻率0.01 A.样品电流10

9、0 2样品电阻率0.011 B.样品电流10 3样品电阻率130 C.1 1A 2B 3C 8.将以下硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。1Sirtl腐蚀液 A.1015min 2Dash腐蚀液 B.20 min以上 3Secco腐蚀液 C.116h 1A 2B 3C 9.将以下电阻率测量方法与电阻率值一一对应。答题框中填写答案对应的选项即可 1冷热探笔法 A.10-4104cm 2整流法 B.11000cm 3两探针法 C.1000cm以下 1冷热探笔法 C 2整流法 B 3两探针法 A 10.将以下半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。1HF A.70 2HNO3 B.49 3H2O2 C

10、.30 1B 2A 3C 02任务 02任务001 一、单项选择题共 10 道试题，共 20 分。1.样品制备中选择样品厚度的原那么是使吸收峰处的透射率为。A.10-70 B.10-80 C.20-70 D.20-80 2.直拉单晶中氧含量头部与尾部相比。A.较高 B.一样 C.较低 D.无法判断 3.双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于。A.B.C.D.4.K系辐射线可以细分为 及 ，他们辐射的强度比约为。A.1：1 B.2:1 C.3:1 D.4:1 5._射线剂量用伦琴表示，符号用r,根据国际放射学会议规定，普通人的平安剂量应为每周不超过r。A.0.2 B.0.3 C.0.4

11、D.0.5 6.晶面间距可用字母d表示，以下哪项表达式为立方晶系的晶面间距。A.B.C.D.7.抛光时，抛光液HF与体积比为。A.1:1 B.1:2 C.1:4 D.1:6 8.红外线通过样品时，对于硅单晶反射率R为。A.10 B.20 C.30 D.40 9._射线在医疗诊断方面得到广泛应用，主要是依赖其。A.感光作用 B.电离作用 C.穿透性强 D.衍射作用 10.参比样品应不含有被测杂质，一般要求氧和碳原子含量在以下。A.B.C.D.二、多项选择题共 10 道试题，共 30 分。1.抛光时对于样品外表有要求。A.无划道 B.无浅坑 C.无氧化 D.无沟道 2.以下选项都需要考虑晶体取向的

12、影响。A.单晶材料制备 B.单晶片的制备 C.器件的制作 D.管芯划片方向 3.A.B.C.D.4._射线的衍射法准确度高，它受以下因素影响。A._射线束的发散性 B._射线束准直性 C.转角鼓轮读数轮刻度的精度 D.天气温度 5.布喇格定律成立需满足以下条件。A.B.入射角等于反射角 C.入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面，且入射线和衍射线处法线两侧 D.6.某样品受到红外线照射时，会产生以下现象。A.反射 B.折射 C.吸收 D.透过 7.硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下。A.光点定向仪 B.光 C.光屏 D._光 8._射线主要有以下性质。A.感光作用 B.荧光作用 C.电离

13、作用 D.衍射作用 9._射线定向仪主要有以下局部组成。A._射线发生局部 B._射线检测局部 C.样品台 D.转角测量局部 10.样品加工主要包括以下步骤。A.取样 B.研磨 C.抛光 D.连接电脑测试系统 三、判断题共 10 道试题，共 20 分。1._射线是一种电磁波，与可见光一样，但波长要长得多。A.错误 B.正确 2.晶向偏离度是指晶体生长方向偏离晶轴的角度。A.错误 B.正确 3.激光照射和中子轰击等可以产生_射线。A.错误 B.正确 4.晶体定向是研究晶体各种物理性质的根底。A.错误 B.正确 5.测定硅中碳含量时，必须使用差异法。A.错误 B.正确 6.在硅单晶中，氧的分布以替

14、位的形式存在。A.错误 B.正确 7.氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布。A.错误 B.正确 8.硅单晶中掺杂杂质的溶度相比氧和碳来说相对较低。A.错误 B.正确 9.较大的光照面积比拟容易得到要求的光学晶面。A.错误 B.正确 10.在晶体取向的表示方法中，三条晶轴的顺序按左手螺旋定那么来确定。A.错误 B.正确 四、连线题共 10 道试题，共 30 分。1.1C 2B 3A 2.将以下利用晶体外观来判断晶体生长方向的关系一一对应。(1) 111 A二条轴对称的棱线 (2) 100 B三条轴对称的棱线 (3) 110 C四条轴对称的棱线 1B 2C 3A 3.1C 2A 3B 4.1C 2B

15、3A 5.由于晶胞参数关系，在立方晶体中，某些晶面和晶向是互相垂直的，请一一对应。(1)100晶向 A111晶面 (2)111晶向 B100晶面 (3)110晶向 C110晶面 1B 2A 3C 6.1A 2B 3C 7.将以下_射线定向仪主要构成局部一一对应。1_射线发生局部 A吸盘 2_射线检测局部 B_射线管 3样品台 C盖革计数管和计数时率计 1B 2C 3A 8.1B 2A 3C 9.1A 2B 3C 10.1B 2C 3A 03任务 03任务001 一、单项选择题共 10 道试题，共 20 分。1.反浸透装置是超纯水治水系统中提纯的 局部。A.预脱盐 B.清洗 C.软化 D.维护

16、2.超纯水制水处理系统再生局部选择 水泵。A.高压 B.低压 C.耐酸碱的ABS水泵 D.未知 3.离子交换树脂是一种高分子化合物，是由 和活性基团两局部组成。A.树脂的骨架 B.阴树脂 C.阳树脂 D.碱性树脂 4.对三氯氢硅中痕量杂质的分析p 采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量 水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。A.SiO2 B.SiH C.HCL D.Si 5.RO反浸透技术是利用 为动力的膜别离过滤技术。A.吸附力 B.离子交换 C.电力 D.压力差 6.全自动软化过滤器设计过滤体材质选用 。A.炭钢 B.玻璃 C.钢铁 D.FRP增强玻璃钢内衬PE 7.对三氯氢硅中痕

17、量杂质的分析p 主要试剂盐酸是优级纯再经 提纯两次。A.有机玻璃蒸发器 B.石英亚沸蒸馏器 C.聚四氟乙烯 D.聚乙烯蒸馏器 8.露点法测定气体中的水分职业中，本岗位存在的危险是 。A.液氮低温冻伤 B.潜在氢气泄露引起的爆炸 C.温度过高 D.没有明显危险 9.A.1 B.2 C.5 D.3 10.放射线同位素的量越多，放出的射线的强度 。A.越小 B.不变 C.越大 D.随机变化 二、多项选择题共 10 道试题，共 30 分。1.自动软化系统出现下述情况之一 就必须进展化学清洗。A.装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5-10 B.装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10

18、-20时 C.装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍 D.装置需要长期停运时用保护溶液保护前 2._射线形貌技术的试验方法有 。A.透射形貌法 B.反射形貌法 C.异常透射法 D.双晶光谱仪法 3.以下哪三项是天然水的三大杂质 。A.悬浮物质 B.挥发物质 C.胶体物质 D.溶解物质 4.高纯水的检测时，测量方法有 。A.静置测量法 B.反浸透测量法 C.蒸发测量法 D.流动测量法 5.纯水制备系统运行控制考前须知，以下表述错误的选项是 。A.软化器工作时，自动启动原水增压泵，其他高压泵都处于停顿状态 B.无论何时，反浸透系统都要将脓水调节阀和进水调节阀完全关闭 C.离子交换床

19、在工作的任何时侯，混床进水压力大于160Pa D.设备第一次使用时，所 制纯水应至少排放1h后再搜集 6.RO系统清洗条件有 。A.装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低510时 B.装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低1020时 C.装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的12倍 D.装置需长期停运时用保护溶液保护前 7.影响树脂再生的主要因素有 。A.再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等 B.终点PH值的大小 C.离子交换树脂的别离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等 D.杂质量的多少 8.三氯氢硅中硼的分析p 试剂表述错误的选项是 。A.B

20、.氢氟酸 优级纯氢氟酸，再经自制的聚乙烯蒸馏器蒸馏一次，经分析p 合格后备用 C.5甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中 D.直径6mm的光谱纯无B石墨电极 9.露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有 。A.用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h B.测定时，在封底铜管内参加制冷剂，在插入一直-80低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管外表出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度 C.测定流速控制在250300ml/min D.通常测-34以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4 10.中子活化分析p 的特点有 。A.灵敏度高

21、 B.分析p 速度快，精度高 C.非破坏性分析p D.不易沾污和不受试剂空白的影响 三、判断题共 10 道试题，共 20 分。1.混床交换在再生处理时，阴离子交换树脂和阳离子交换树脂充分混合。A.错误 B.正确 2.色谱法根本原理是基于时间的差异进展别离。A.错误 B.正确 3.为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水，阴、阳树脂必须交换出等量的离子。A.错误 B.正确 4.对三氯氢硅中痕量杂质的分析p 采用化学药剂提纯法。A.错误 B.正确 5.制取高纯水时一般采用强碱型阴离子交换树脂。A.错误 B.正确 6.硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷 A.错误 B.正确 7.新树脂使用前应进展

22、预处理：膨胀处理和变形处理。A.错误 B.正确 8.活性炭过滤器在作为反浸透装置的前处理是是受本身进水温度、PH值和有机混合物的影响的。A.错误 B.正确 9.只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进展日常维护。A.错误 B.正确 10.露点法检测气体中的水分是通常测-34以下气体观察到的是露点。A.错误 B.正确 四、连线题共 10 道试题，共 30 分。1.将以下天然水中杂质三大局部情况一一对应。1悬浮物质 A.溶胶、硅胶、铁、铝 2胶体物质 B.细菌、泥沙、黏土等其他不容物质 3溶解物质 C.Ca 、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸盐 1B 2A 3C 2.将以下RO膜污染原因与适

23、应药液一一对应。1碳酸盐结垢 A.1.5EDTA溶液 2有机物污染及硫酸盐构造 B.1富尔马林溶液 3细菌污染 C.3柠檬酸溶液 1C 2A 3B 3.将以下离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度一一对应。1强酸型离子交换树脂 A.5-10盐酸溶液3000ml 2强碱型离子交换树脂 B.5-10氢氧化钠溶液2500ml 3干树脂 C.4-5Nacl溶液浸泡 1B 2A 3C 4.将以下质谱分析p 造成其误差较高的因素与原因一一对应。1杂质不均匀 A.与元素本身性质、样品中元素的选择及离子火花条件有关 2各元素电离效率 B.因为质谱分析p 一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量 3谱线

24、黑度 C.受到很多因素，如离子质量影响 1B 2A 3C 5.将以下多介质过滤器工作原理与内容一一对应。1反洗 A.将原水泵停顿，阀门关闭，让多介质自然下沉，使沙层排列平整 2静止 B.原水由进口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体 3正洗 C.水从底部进入石英砂过滤层后由上部排除 1C 2A 3B 6.将以下混床再生中操作步骤一一对应。1逆洗分层 A.再生剂为5的NaOH，用量为树脂体积的3-5倍，从上口进入，控制一定流速，维持液面顺流通过 2强碱性阴离子交换树脂再生 B.水从底部进入，上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来，可加大水流速以冲不出树脂为原 那么，洗至出水清高度 3强酸

25、性阳离子交换树脂再生 C.再生剂为5盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍 1B 2A 3C 7.1A 2C 3B 8.1B 2A 3C 9.将以下露点法测定气体中的水分时职业安康平安进展控制一一对应。1危险 A.意把氢气引出室外 2分析p 氢气露点时用大气赶走气 B.液氮低温冻伤 3酒精放置 C.要放在阴凉地方 1B 2A 3C 10.将以下自动软化系统工艺过程一一对应。1反洗 A.再生用盐液在一定浓度、流量下，流经失效的树脂层，使其恢复原有的交换才能 2再生吸盐+慢洗 B.向再生剂箱中注入溶液再生一次所需盐量的水 3再生剂箱注水 C.树脂失效后，在进展再生之前，先用水自上而下流出 1C

26、 2A 3B 04任务 04任务001 一、单项选择题共 10 道试题，共 20 分。1.以下哪一项不是天然水的三大杂质之一 。A.悬浮物质 B.挥发物质 C.胶体物质 D.溶解物质 2.气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是 。A.液氮低温冻伤 B.潜在氢气泄露引起的爆炸 C.温度过高 D.没有明显危险 3.露点法测定气体中水分的设备环境要求是保持工作环境高纯卫生，温度4-40度，相对湿度小于 ，现场整洁，无腐蚀性气体，不得有电路和火种。A.90 B.85 C.95 D.92 4.RO反浸透技术是利用 为动力的膜别离过滤技术。A.吸附力 B.离子交换 C.电力 D.压力差 5.人们

27、通常将水分为纯水和 。A.超纯水 B.蒸馏水 C.高氧水 D.海水 6.离子交换树脂是一种高分子化合物，是由树脂的骨架和 两局部组成。A.活性基团 B.阳树脂 C.阴树脂 D.氢氧根离子 7.对三氯氢硅中痕量杂质的分析p 采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量 水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。A.SiO2 B.SiH C.HCL D.Si 8.纯水制备系统混床的再生反洗的目的是 。A.使阴阳离子交换树脂更严密 B.使阴阳离子交换树脂分层 C.去除杂质 D.无目的 9.以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢复

28、原产物 。A.混合氯代硅烷 B.氯化氢 C.磷化氢 D.水 10.制取高纯水时一般采用 交换树脂和 交换树脂。A.强酸型阳离子 强碱型阴离子 B.强碱型阴离子 强酸型阳离子 C.强酸型阳离子 强酸型阴离子 D.强碱型阳离子 强碱型阳离子 二、多项选择题共 10 道试题，共 30 分。1.RO系统清洗过程中RO膜污染原因与使用药剂搭配错误的选项是 。A.碳酸盐结垢用3柠檬酸溶液 B.有机物污染及硫酸盐垢用1.5EDTA溶液 C.细菌污染用3柠檬酸溶液 D.碳酸盐结垢用1富尔马林溶液 2.混床的再生详细操作步骤正确的选项是有 。A.逆洗水从底部进入，上口排出，树脂均匀松弛膨胀开来，可加大水流速以冲

29、不出树脂为原那么。B.强碱性阴离子交换树脂再生剂为20的NAOH，用量为树脂体积的3-5倍 C.清洗阴离子交换树脂当碱液琳完后，再淋洗附在阴离子交换树脂上的碱液。D.强酸性阳离子交换树脂再生剂为5盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍 3.以下DUI 纯水制备系统中多介质过滤器考前须知表达错误的选项是 。A.原水箱回流阀完全关闭，保护原水泵 B.日常维护过程中，每次反洗时先用压缩空气使滤料充分松动，并且要把控制阀旋到对应位置才能开启原水增压泵。C.石英砂滤材一般35年更换或添加 D.每周检测一次沙虑出水SDI值，SDI小于5，那么有问题 4.离子交换法制备纯水时，新树脂的预处理方式是 。A

30、.膨胀处理 B.混合处理 C.变形处理 D.稀释处理 5.自动软化系统考前须知下述表达正确的选项是 。A.逆洗时进口水压维持在0.5-1bar。以利冲洗 B.假如进水太快，罐中的介质会损失，在缓慢进水的同时，应能听到空气渐渐从排水管排出的声音。C.只有石英砂过滤器控制阀和活性炭过滤器控制阀均在运行位置时，软化过滤器才能进展设备的日常维护。D.假如整套设备连续供水，却能确定每天的用水量，可将多功能控制阀设为自动状态。6.混床的再生中是两种树脂充分混合的方法有 。A.自然混合法 B.用真空泵进展混合，自上口抽气，翻开下口阀门进气，用空气搅动阴阳离子交换树脂到达充分混合的目的 C.参加混合剂使之混合

31、 D.用压缩空气自底部进入，上口排除 7.高纯水的检测时，测量方法有 。A.静置测量法 B.反浸透测量法 C.蒸发测量法 D.流动测量法 8._射线形貌技术的试验方法有 。A.透射形貌法 B.反射形貌法 C.异常透射法 D.双晶光谱仪法 9.以下哪三项是天然水的三大杂质 。A.悬浮物质 B.挥发物质 C.胶体物质 D.溶解物质 10.自动软化系统反洗的目的是 。A.通过反洗，试运行中压紧的树脂层松动，有利于树脂颗粒与再生液充分接触 B.是树脂外表积累的悬浮物及碎树脂随反洗水排出，从而是交换器的水流阻力不会越来越大 C.去除树脂层中残留的再生废液 D.进步软化效果 三、判断题共 10 道试题，共

32、 20 分。1.为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水，阴、阳树脂必须交换出等量的离子。A.错误 B.正确 2.只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进展日常维护。A.错误 B.正确 3.硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷。A.错误 B.正确 4.对三氯氢硅中硼的分析p 采用蒸发法。A.错误 B.正确 5.RO系统清洗过程应亲密注意清洗液温度上升，不得超过35。A.错误 B.正确 6.气相色谱法测定干法H2的组成存在的环境因素是潜在的液氮低温冻伤。A.错误 B.正确 7.制取高纯水时一般采用强酸型阳离子交换树脂。A.错误 B.正确 8.露点法检测气体存在的危险是氢气泄露引起的燃烧核

33、爆炸。A.错误 B.正确 9.离子交换法制备纯水用阴树脂可以得到高纯水。A.错误 B.正确 10.纯水制备系统反浸透系统要把浓水调节阀和进水调节阀完全关闭。A.错误 B.正确 四、连线题共 10 道试题，共 30 分。1.将以下活性炭过滤器工作原理一一对应。1反洗 A.向下穿过过滤料层，经下布水器搜集返回中心。管 2运行 B.原水由进水口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体 3正洗 C.水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出 1C 2B 3A 2.将以下离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度一一对应。1强酸型离子交换树脂 A.5-10盐酸溶液3000ml 2强碱型离子交换树脂

34、B.5-10氢氧化钠溶液2500ml 3干树脂 C.4-5Nacl溶液浸泡 1B 2A 3C 3.将以下RO膜污染原因与适应药液一一对应。1碳酸盐结垢 A.1.5EDTA溶液 2有机物污染及硫酸盐构造 B.1富尔马林溶液 3细菌污染 C.3柠檬酸溶液 1C 2A 3B 4.1A 2B 3C 5.将以下混床树脂再生步骤与内容一一对应。1逆流分层 A.由入酸口将6-10的盐酸溶液，流入柱内，严格控制流过阳离子交换树脂层的流速，使其在0.5-1h内流完 2碱液再生阴离子交换树脂 B.对树脂进展短时间的强烈反冲，使阴阳离子交换树脂充分分层 3酸液再生阴离子交换树脂 C.由入碱口或入水口将2-3倍阴离子

35、交换树脂体积的4-6的NaOH溶液注入柱内，控制流速，使其在15-30min流完 1B 2C 3A 6.将以下混床再生中操作步骤一一对应。1逆洗分层 A.再生剂为5的NaOH，用量为树脂体积的3-5倍，从上口进入，控制一定流速，维持液面顺流通过 2强碱性阴离子交换树脂再生 B.水从底部进入，上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来，可加大水流速以冲不出树脂为原 那么，洗至出水清高度 3强酸性阳离子交换树脂再生 C.再生剂为5盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍 1B 2A 3C 7.1B 2A 3C 8.将以下质谱分析p 造成其误差较高的因素与原因一一对应。1杂质不均匀 A.与元素本身性质、样品

36、中元素的选择及离子火花条件有关 2各元素电离效率 B.因为质谱分析p 一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量 3谱线黑度 C.受到很多因素，如离子质量影响 1B 2A 3C 9.将以下天然水中杂质三大局部情况一一对应。1悬浮物质 A.溶胶、硅胶、铁、铝 2胶体物质 B.细菌、泥沙、黏土等其他不容物质 3溶解物质 C.Ca 、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸盐 1B 2A 3C 10.将以下分析p 工程与分析p 方法一一对应。1三氯氢硅中硼的分析p A.基于时间的差异进展别离 2三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定 B.自然挥发法 3_射线形貌技术 C.异常透射法 1B 2A 3C 第 31 页 共 31 页