霍尔传感器原理.docx

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1、霍尔传感器原理霍尔传感器是采用半导体材料的霍尔效应进行测量的一种传感器.它可以直接测量 磁场及微位移量,也可以间接测量液位，压力等工业生产过程参数.目前霍尔传感器已 从分立元件进展到了集成电路的阶段，正越来越受到人们的重视，应用日益广泛. 一，霍尔效应在置于磁场的导体或半导体时通入电流，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂 直的方向上会消失一个电热差,这种现象为霍尔效应.采用霍尔效应制成的元件称为 霍尔传感器,见图6-2-1,半导体材料的长，宽，厚分别为l,b和&在与x轴相垂直的两个 端面c和d上做两个金属电极,称为掌握电极.在掌握电极上外加一电压u,材料中便形 成一个沿x方向流淌的电流I,

2、称为掌握电流.设图中的材料是N型半导体,导电的载流子是电子.在z轴方向的磁场作用下，电子将 受到一个沿y轴负方向力的作用,这个力就是洛仑兹力.洛仑兹力用F1表示，大小为: FL=qvB (6-2-1)式中,q为载流子电荷;v为载流子的运动速度;B为磁感应强度.上一节下一节在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电 荷的积累.这样,A,B两端面因电荷积累而建立了一个电场Eh,称为霍尔电场.该电场对 电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻挡电荷的连续积累.当电场力与洛仑兹力 相等时，达到动态平衡,这时有qEH=qvB霍尔电场的强度为EH=vB (6-2-2)在A与

3、B两点间建立的电势差称为霍尔电压用UH表示UH= EHb= vBb (6-2-3)由式(6-2-3)可见,霍尔电压的大小打算于载流体中电子的运动速度，它随载流体材料 的不同而不同.材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征/ 所谓载流子迁移率，是指在单位电场强度作用下,载流子的平均速度值.载流子迁移率 用符号口表示,(i=v/EL其中EI是C,D两端面之间的电场强度.它是由外加电压U产生 的，即EI=U/L.因此我们可以把电子运动速度表示为v=|iU/L这时式(6-2-3)可改写为： (6-2-4)当材料中的电子浓度为n时,有如下关系式:I=nqbdv即(6-2-5)将式(6-

4、2-5)代入式(6-2-3),得到(6-2-6)式中RH为霍尔系数，它反映材料霍尔效应的强弱，；KH为霍尔灵敏度，它表示一个霍 尔元件在单位掌握电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小,KH=RH/d,它的 单位是mV/(mA.T)由式(6-2-6)可见，霍尔元件灵敏度KH是在单位磁感应强度和单位 激励电流作用下,霍尔元件输出的霍尔电压值，它不仅打算于载流体材料，而且取决于 它的几何尺寸(6-2-7)由式(6-2-4),(6-2-6)还可以得到载流体的电阻率p与霍尔系数RH和载流子迁移率p 之间的关系：(6-2-8)通过以上分析，可以看出：1)霍尔电压UH与材料的性质有关.依据式(6-2-8

5、),材料的p,R大,RH就大.金属的|1 虽然很大，但P很小，故不宜做成元件,在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大, 且国1中,所以霍尔元件一般采纳N型半导体材料.2)霍尔电压UH与元件的尺寸有关.依据式(6-2-7),d愈小,KH愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d 太小，会使元件的输入，输出电阻增加.从式(6-2-4)中可见，元件的长度比1/b对UH也有影响,前面的公式推导,都是以半导体 内各处载流子作平行直线运动为前提的.这种状况只有在1/b很大时，即掌握电极对霍 尔电极无影响时才成立，但实际上这是做不到的由于掌握电极对内部产生的霍尔电 压有局部短路作用在两掌握电

6、极的中间处测得的霍尔电压最大，离掌握电极很近的 地方，霍尔电压下降到接近于零.为了削减短路影响1/b要大一些，一般l/b=2.但假如1/b 过大，反而使输入功耗增加降低元件的输出.霍尔电压UH与掌握电流及磁场强度有关.依据式正比于及.当掌握电流恒定时愈大 愈大.当磁场转变方向时，也转变方向.同样，当霍尔灵敏度及磁感应强度恒定时，增加 掌握电流，也可以提高霍尔电压的输出.二，霍尔元件.如前所述，霍尔电压UH正比于掌握电流和磁感应强度,在实际应用中,总是盼望获得 较大的霍尔电压.增加掌握电流虽然能提高霍尔电压输出，但掌握电流太大，元件的功 耗也增加，从而导致元件的温度上升，甚至可能烧毁元件.设霍尔

7、元件的输入电阻为Ri,当输入掌握电流I时，元件的功耗Pi为(6-2-9) 式中,p为霍尔元件的电阻率.设霍尔元件允许的最大温升为AT,相应的最大允许掌握电流为1cm时,在单位时间内 通过霍尔元件表面逸散的热量应等于霍尔元件的最大功耗，即(6-2-10)式中,A为散热系数W/(m2C).上式中的21b表示霍尔片的上,下表面积之和，式中忽视 了通过侧面积逸散的热量.这样，由上式便可得出通过霍尔元件的最大允许掌握电流为(6-2-11)一将上式及RH=pp代入式(6-2-6),得到霍尔元件在最大允许温升下的最大开路霍尔电 压，即：(6-2-12)_式说明，在同样磁场强度，相同尺寸和相等功耗下,不同材料

8、元件输出霍尔电压仅仅取 决于,即材料本身的性质.依据式(6-2-12),选择霍尔元件的材料时,为了提高霍尔灵敏度，要求材料的RH和 |ipl/2尽可能地大.霍尔元件的结构与其制造工艺有关.例如，体型霍尔元件是将半导体单晶材料定向切 片，经研磨抛光，然后用蒸发合金法或其它方法制作欧姆接触电极，最终焊上引线并封 装.而薄膜霍尔元件则是在一片极薄的基片上用蒸发或外延的方法做成霍尔片，然后 再制作欧姆接触电极，焊引线最终封装,相对来说,薄膜霍尔元件的厚度比体型霍尔元 件小一，二个数量级，可以与放大电路一起集成在一块很小的晶片上，便于微型化.三，温度特性及补偿.温度特性霍尔元件的温度特性是指元件的内阻及

9、输出与温度之间的关系.与一般半导体一样, 由于电阻率,迁移率以及载流子浓度随温度变化，所以霍尔元件的内阻,输出电压等参 数也将随温度而变化.不同材料的内阻及霍尔电压与温度的关系曲线见图6-2-2和6-2-3所刁图中，内阻和霍尔电压都用相对比率表示,我们把温度每变化1 时,霍尔元件输入电 阻或输出电阻的相对变化率称为内阻温度系数用P表示.把温度每变化时，霍尔 电压的相对变化率称为霍尔电压温度系数用a表示.可以看出:碎化锢的内阻温度系数最小，其次是错和硅，睇化锢最大,除了睇化锢的内阻 温度系数为负之外，其余均为正温度系数.霍尔电压的温度系数硅最小，且在温度范围内是正值,其次是碑化锢，它是值在左右温

10、 度下由正变负;再次是错,而睇化锢的值最大且为负数，在低温下其霍尔电压将是的霍 尔电压的3倍,到了高温灌尔电压降为时的15%.1 .温度补偿霍尔元件温度补偿的方法许多,下面介绍两种常用的方法.采用输入回路的串联电阻进行补偿图624a是输入补偿的基本线路，图中的四端元件 是霍尔元件的符号.两个输入端串联补偿电阻R并接恒电源，输出端开路,依据温度特 性,元件霍尔系数和输入内阻与温度之间的关系式为RHt=RHO(l+at) Rit=RiO(l+pt) 式中,RHt为温度为t 口寸霍尔系数;RHO为0时的霍尔系数;Rit为温度为t时的输入 电阻;RiO为0时的输入电阻;a为霍尔电压的温度系数，p为输入

11、电阻的温度系数. 当温度变化At时，其增量为:ARH=RHOaAt ARi=RiOpAt依据式(6-2-6)中及I=E/(R+Ri),可得出霍尔电压随温度变化的关系式为对上式求温度的导数，可得增量表达式(6-2-13)要使温度变化时霍尔电压不变,必需使即(6-2-14)式(6-2-13)中的第一项表示因温度上升霍尔系数引起霍尔电压的增量,其次项表示输 入电阻因温度上升引起霍尔电压减小的量.很明显，只有当第一项时，才能用串联电阻 的方法减小其次项，实现自补偿.将元件的值代入式(6-2-14),依据RiO的值就可确定串联量阻R的值.采用输出回路的负载进行补偿，见图6-2-5,霍尔元件的输入采纳恒流

12、源，使掌握电 流I稳定不变.这样，可以不考虑输入回路的温度影响.输出回路的输出电阻及霍尔电 压与温度之间的关系为UHt=UHO(l+at) Rvt=RvO(l+pt)式中,UHt为温度为t时的霍尔电压;UH0为0 口寸的霍尔电压;Rvt为温度为t时的输出 电阻;RvO为0时的输出电阻.负载RL上的电压UL为UL=UH0(l+at) RL/RvO(l+pt)+RL (6-2-15)为使UL不随温度变化，可对式(6-2-15)求导数并使其等于零，可得RL/RvO 邛/a-1 邛/a (6-2-16)最终，将实际使用的霍尔元件的值代入，便可得出温度补偿时的RL值.当RL= RvO 时，补偿最好.四，

13、零位特性及补偿在无外加磁场或无掌握电流的状况下，元件产生输出电压的特性称为零位特性由此 而产生的误差称为零位误差.主要表现在以下几个方面1 .不等位电压在无磁场的状况下，霍尔元件通以肯定的掌握电流L两输出端产生的电压称为不等腰 三角形位电压，用U0表示.U0与I的比值称为不等位电阻用R0表示，即R0= U0/I (6-2-17)不等位电压是由于元件输出极焊接不对称，厚薄不匀称以及两个输出极接触不良等 缘由千万的，可以通过桥路平衡的原理加以补偿.2 .寄生直流电压在无磁场的状况下，元件通入沟通电流，输出端除沟通不等位电压以外的直流重量称 为寄生直流电压.产生寄生直流电压的缘由不致上的两个方面：1

14、）由于掌握极焊接处欧姆接触不良而造成一种整流效应，使掌握电流因正，反向电流 大小不等而具有肯定的直流重量.2）输出极焊点热容量不相等产生温差电动势.对于褚霍尔元件，当沟通掌握电流为20mA时,输出极的寄生直流电压小于100|iV制 做和封装霍尔元件时，发送电极欧姆接触性能和元件的散热条件，是削减寄生直流电 压的有效措施.3 .感应电动势在未通电流的状况下，由于脉动或交变磁场的作用，在输出端产生的电动势称为感应 电动势.依据电磁感应定律，感应电动势的大小与霍尔元件输出电极引线构成的感应 面积成正比.4 .自激场零电压在无外加磁场的状况下，由掌握电流所建立的磁场在肯定条件下使霍尔元件产生的 输出电

15、压称为自激场零电压.感应电动势和自激场零电压都可以用转变霍尔元件输出和输入引线的布置方法加以 改善五，集成霍尔传感器集成霍尔传感器是采用硅集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的一种传 感器.它取消了传感器和测量电路之间的界限，实现了材料，元件，电路三位一体,集成 霍尔传感器与分立相比，由于削减了焊点，因此显著地提高了牢靠性此外，它具有体积 小，重量轻,功耗低等优点，正越来越爱到众的重视.集成霍尔传感器的输出是经过处理的霍尔输出信号,依据输出信号的形式，可以分为 开关型集成霍尔传感器和线性集成霍尔传感器两种类型.（一）开关型集成霍尔传感器开关型集成霍尔传感器是把霍尔元件的输出经过处理后输出

16、一个高电平或低电平的 数字信号.其典型电路见图6-2-6,下面我们分析电路的工作原理.图中的霍尔元件是在N型硅外延层上制作的.由于N型硅外延层的电阻率p 一般为 1.01.5Qcm电子迁移率约为1200cm2（Vs）,厚度d约为故很适合做霍尔元件. 集成块中霍尔元件的长600|im,宽为400|im.由于在制造工艺中采纳了光刻技术，电极 的对称性好，零位误差大大减小.此外，由于厚度d很小，霍尔灵敏度也相对提高了，在 0.1T磁场作用下，元件开路时可输出20mV左右的霍尔电压.霍尔输出经前置放大的 后送到斯密特触发器，通过整形成为矩形脉冲输出.当磁感应强度B为0时，霍尔元件 无输出，即UH=0.

17、线路中，由于流过V2集电极电阻的电流大于流过VI集电极电阻的 电流，输出电压U b3Ub4,则V3优先导通，经过下面的正反馈过程：最终使得V3饱和V4截止.此时,V4的集电极处于高电位,Uc4=E,V5截止,V6,V7均截 止，输出为高电平.当磁感应强度B不为0时，霍尔元件有UH输出.若集成霍尔传感器处于正向磁场，则 UH1上升,UH2下降，使VI的基极电位上升,V2的基极电位下降.于是,VI的集电极输 出电压Ub3下降,V2的集电极输出电压Vb4上升当Ub3=Ue3+0.6V时,V3由饱和进 入放大状态，经过下面的正反馈过程：Ub31 一 Ic31 一 Ub4T 一 Ic4T - Ue3T最

18、终使得V3截止V4饱和.此时,V4的集电极处于低电位.于是,V5导通，由V5和V6 组成的P-N-P和N-P-N型三极管的复合管,足以使V7,V8进入饱和状态.输出由原来 的高电平UoH转换成低电平U0L.当正向磁场退出时,随着作用于霍尔元件上磁感应强度B的削减,UH相应减小.Ub3 上升,Ub4下降当Ub3=Ue4+0.5V,V3由截止进入放大状态，经过下面正反馈过程： Ub3T一 Ic3T一Ub4一Ic41一Ue31最终又使得V3饱和,V4截止.V4的集电极处于高电位，恢复初始状态,V7,V8截止，输 出又转换成高电平UoH.集成霍尔传感器的输出电平与磁场B之间的关系见图6-2-7,可以看

19、出,集成霍尔传感 器的导通磁感应强度和截止磁感应强度之间存在滞后效应，这是由于V3,V4共用射 极电阻的正反馈作用使它们的饱和电流不相等引起的,其回差宽度AB为 AB=B(H-L)-B(L-H)开关型集成霍尔传感器的这一特性，正是我们所需要的，它大大增加了开关电路的抗 干扰力量，保证开关动作稳定，不产生振荡现象.国产CS型集成霍尔传感器的磁电特 性如下:回差宽度典型值6x10-31电源电压CS837,CS6837 10V(CS839,CS6839 18V). 低电平输出电压U0L均为0.4V,高电平输出最大漏电流为IOrA,高电平电源电流 ICCH CS837,CS6837 为 6mA(CS8

20、39,CS6839 为 7mA),低电平电源电流 ICCL CS837,CS6837 为 9mA(CS839,CS6839 为 7mA).(二)线性集成霍尔传感器线性集成霍尔传感器是把霍尔元件与放大线路集成在一丐的传感器.其输出信号与 磁感应强度成比例.通常由霍尔元件，差分放大，射极跟随输出及稳压四部分组成，其典 型线路见图6-2-8.这是HL1-1型线性集成霍尔传感器，它的电路比较简洁用于精度要 求不高的一些场合.图中，霍尔元件的输出经由V1,V2,R1至R5组成的第一级差分放 大器放大，放大后的信号再由V3,V6,R6,R7组成的其次级差分放大器放大其次级放 大采纳达林顿对管，射极电阻R8

21、外接，适当选取R8的阻值，可以调整该极的工作点, 从而转变电路增益.在电源电压为9V,R8取2K时，全电路的增益可达1000倍左右，与 分立元件霍尔传感器相比，灵敏度大为提高.六，霍尔传感器的应用()HNV025A型霍尔电压传感器1 .工作原理它是采用磁补偿原理的一种霍尔电压传感器,能够测量直流，沟通以及各种波形电压, 同时在电气上是高度绝缘的.它用磁检测器检测磁芯中次级电流所产生的磁场补偿 初级电流所产生的磁场的程度，使之在零磁通状态下工作.因此有等式:Np.Ip=NsIs ; 式中Ip为初级电流;Np为初级匝数;Is为次级电流;Ns为次级匝数 2 .主要参数：初级额定电流In 10 mA测

22、量范围Ip 014 mA测量电阻 Rm 10mARMmin RMmax 100 300 Q次级额定电流Is 25 mA电源电压Vc15(5%) V匝数比2500:1000功耗电流10+IsmA绝缘电压2.5KV/50Hz/lmin总精度0.6%FS线性度0.2%FSType Max失调电流士0.1 0.15 mA失调电流温漂0-70 0.2 0.3 mA-40-85 0.3 0.6 mA响应时间40 uS工作温度C档-1070 E档-4085储存温度C档-4085 E档-55125原边线圈电阻Ta=25 140 Q副边线圈电阻Ta=25 40 Q3 .特点:该型传感器具有优异的性能价格比,体积

23、小，全封密,高度电绝缘;高牢靠性，高 过载容量等优越性能.4 .应用范围:变速驱动领域;功率电源;机器人;过压爱护;掌握系统反馈.5 .留意事项：1）初级电阻Ri：为使传感器达到最佳精度，应尽量选择Ri的大小，使输入电流为10mA.2）工作范围:考虑到初级线圈内阻（与Ri相比，为保持温差尽可能低）和隔离，此传感器 适用于测量电压10500V.3）当把传感器焊接在印刷板上时，用低温烙铁，焊接时间尽量短,避开造成管脚内部联 线开路.4）安装时，印刷板上安装孔径尺寸与传感器尺寸相吻合，不能挤压管脚,否则可能会造 成管脚内部联线开路.（二）HNC-50LX系列闭环霍尔电流传感器L特点：HNC-50LX

24、系列霍尔电流传感器是应用霍尔原理的新一代电流传感器，能在电隔离 条件下测量直流，沟通，脉冲以及各种不规章波形的电流.2 .性能参数：额定测量电流 5A DC 10ADC 15A DC 20A DC 25A DC 30A DC 50A DC线性范围 010A DC 020A DC 030A DC 040A DC 050A DCO60A DCO100ADC输出电压4V0.8% at If零电流失调 within 0.03V at If=0线性度 within 0.25% of Vh at If=F.S电源电压15VDC响应时间1ms Type零点温漂 within0.5mv/绝缘电压 2.5KV AC with 50 or 60Hzx 1 minute绝缘强度 500MQ Min at 500V DC工作温度-10 to +80存储温度-15 to +85 3,形状 结 构 图： 见 图 6-2-9 所oVcc示QVcc?V+OVccqV-FIt jR1h HrHrl|hstYhst3HRl3I磁铁hst产一 3。_1 1_o-1v+HST7 SCR3磁感应面