碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇SiC引领行业变革-20221008-民生证券-80正式版.doc

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1、碳化硅行业深度报告新材料定义新机遇，SiC 引领行业变革2022 年 10 月 08 日碳化硅：第三代半导体突破性材料。SiC 是第三代半导体材料，其具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料。根据 Wolfspeed 预计，2022 年全球碳化硅器件市场规模达 43 亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至 89 亿美元。当前 SiC 功率器件价格较高，是硅基 IGBT 的 35 倍左右，但凭借优异的系统节能特性，SiC 器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。 SiC 引领行业变革，新需求快速涌现。新能源汽车是碳化硅功率器件下游第一大应用

2、市场，根据我们测算，2026 年全球应用于新能源汽车主驱逆变器的 SiC 器件市场规模有望达 44 亿美元。为了提升电动汽车充电速度、缓解里程焦虑，小鹏、比亚迪、长城、保时捷、现代等整车厂陆续推出 800V 高压平台车型，有望推动 SiC 器件在新能源汽车中渗透率进一步提升。 国际巨头垄断行业，国产厂商加速破局。当前全球 SiC 衬底总年产能约在 4060 万片等效 6 英寸，无法满足下游旺盛需求。根据 Yole 预测，随着衬底厂商技术进步、产能进一步扩张，2025 年 6 英寸导电型衬底价格有望降至 590 美元，这将带动 SiC 器件渗透率提升，有望在未来与 Si-IGBT 双雄并驱。此外

3、，当前 Wolfspeed、II-IV、罗姆三家海外大厂占据了全球 89%导电型衬底市场，意法半导体、英飞凌、安森美、Wolfspeed 等六家海外大厂占据了全球 99%碳化硅功率器件市场，行业格局被海外大厂垄断，国内厂商正在加速破局。新需求带来新机遇，技术进步推动新未来。对于 SiC 衬底制造来说，PVT 法生长速率慢、制备难度大、晶锭良率低，因此产能提升较慢，但衬底制造各环节均有工艺改善空间，溶液生长法、激光切割等技术的进步等有望推动衬底产能进一步提升，衬底有望持续降本。对于 SiC 器件制造来说，由于 SiC 材料透明、离子扩散温度高等特性，在器件制造过程中光刻对准、高能离子注入、高温退

4、火工艺、栅氧质量控制、蚀刻工艺等环节相较硅基器件难度较大，器件制造扩产较为困难。对于 SiC 功率模块来说，由于 SiC 器件耐受工作温度较高，AMB 基板凭借更高的热导率等性能优势，成为 SiC 器件导热基板材料首选。 投资建议：随着碳化硅技术的不断突破，国内供应商有望加速追赶国际龙头。建议关注国内垂直一体化龙头厂商三安光电； SiC 衬底制造商天岳先进等；器件厂商时代电气、斯达半导、新洁能、士兰微、华润微、扬杰科技、闻泰科技、中瓷电子、长飞光纤、积塔半导体、比亚迪半导体等；SiC 设备公司北方华创、晶盛机电、中微公司、芯源微等。 风险提示：碳化硅在下游应用领域渗透率不及预期；国家产业政策变

5、化；全球碳化硅行业竞争激烈。重点公司盈利预测、估值与评级代码简称股价EPS（元）PE（倍）评级（元）2021A2022E2023E2021A2022E2023E600703.SH三安光电17.480.290.500.67603526推荐688234.SH天岳先进107.710.210.250.39515439273推荐688187.SH时代电气54.201.421.722.11383226推荐603290.SH斯达半导324.002.334.496.641397249推荐605111.SH新洁能85.011.932.353.37443625推荐003031.SZ中瓷电子96.070.580.8

6、21.2016511780推荐603936.SH博敏电子11.650.470.530.85252214推荐资料来源：Wind，民生证券研究院预测;（注：股价为 2022 年 9 月 30 日收盘价）推荐维持评级分析师方竞执业证书： S0100521120004邮箱：fangjing相关研究1.电子行业 2022Q2 季报总结：国产化基石+智能电车崛起，电子板块主线明朗-2022/09/ 242.半导体零部件深度报告：国产替代核心部件，百舸争流加速崛起-2022/09/183.电子板块 2022 年二季度基金持仓分析：新能源电子接力成长，传统龙头静待拐点-2022 /07/254.电子行业 20

7、22 年中期投资策略：电动化核芯，智能化基石-2022/07/145.汽车电子 6 月跟踪：新车发布浪潮汹涌，激光雷达中军主力-2022/07/11本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告1每日免费获取报告1、每日微信群内分享7+最新重磅报告；2、每日分享当日华尔街日报、金融时报；3、每周分享经济学人4、行研报告均为公开版，权利归原作者所有，起点财经仅分发做内部学习。扫一扫二维码关注公号回复：研究报告加入“起点财经”微信群。行业深度研究/电子目录1 碳化硅：第三代半导体突破性材料31.1 优质的新型半导体衬底材料31.2 碳化硅功率器件性能优异71.3 星辰大海，

8、蓝海市场空间广阔101.4 碳化硅产业链价值集中于上游衬底和外延122 SiC 引领行业变革，新需求快速涌现152.1 新能源汽车占据碳化硅最大下游应用市场152.2 汽车高压平台升级，800V 时代 SiC 成为刚需232.3 半绝缘型碳化硅衬底广泛应用于射频器件领域263 国际巨头垄断行业，各环节产能紧缺持续293.1 全球衬底产能紧缺，SiC 与 IGBT 双雄并驱293.2 国际巨头垄断 SiC 行业，国产厂商逐步破局324 新需求带来新机遇，技术进步推动新未来354.1 技术革新带来产能提升，衬底仍存降本空间354.2 器件制造技术尚需积累，国内厂商加速追赶394.3 SiC 功率模

9、块放量在即，AMB 基板迎来机遇415 投资建议435.1 行业投资建议：国产厂商崛起，星星之火正起燎原之势435.2 重点公司466 风险提示75插图目录77表格目录79本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告2行业深度研究/电子1 碳化硅：第三代半导体突破性材料1.1 优质的新型半导体衬底材料半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料，其特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体，主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、氮化镓等化合物半导体和金刚石等特殊单质。凭借优秀的物理化学性质，碳化硅材料在功

10、率、射频器件领域逐渐开启应用。第三代半导体耐压性较好，是大功率器件的理想材料。第三代半导体主要是碳化硅和氮化镓材料， SiC 的禁带宽度为 3.2eV，GaN 的禁带宽度为 3.4eV，远超过 Si 的禁带宽度 1.12eV。由于第三代半导体普遍带隙较宽，因此耐压、耐热性较好，常用于大功率器件。其中碳化硅已逐渐走入大规模运用，在功率器件领域，碳化硅二极管、MOSFET 已经开始商业化应用。表1：三代半导体材料特性对比项目SiGaAs4H-SiCGaN禁带宽度（eV）1.121.433.23.4饱和电子漂移速率（107cm/s）1.01.02.02.5热导率（Wcm-1K-1）1.50.544.

11、01.3击穿电场强度（MV/cm）0.30.43.53.3资料来源：宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路，赵正平著，民生证券研究院图1：碳化硅耐压特性优异资料来源：英飞凌，民生证券研究院基于上述特性，以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件在性能方面更加具有优势：（1）更强的高压特性。碳化硅的击穿电场强度是硅的 10 余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。（2）更好的高温特性。碳化硅相本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告3行业深度研究/电子较硅拥有更高的热导率，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以带来功率密度的显著提升，同时降低

12、对散热系统的要求，使终端可以更加轻量和小型化。（3）更低的能量损耗。碳化硅具有 2 倍于硅的饱和电子漂移速率，使得碳化硅器件具有极低的导通电阻，导通损耗低；碳化硅具有 3 倍于硅的禁带宽度，使得碳化硅器件泄漏电流比硅器件大幅减少，从而降低功率损耗；碳化硅器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，大幅提高实际应用的开关频率。根据 ROHM 的数据，相同规格的碳化硅基 MOSFET 导通电阻是硅基 MOSFET 的 1/200，尺寸是是硅基 MOSFET 的 1/10。对于相同规格的逆变器来说，使用碳化硅基 MOSFET 相比于使用硅基 IGBT 系统总能量损失小于 1/4。图2：碳化硅 M

13、OSFET 器件体积更小图3：碳化硅 MOSFET 器件节能性更好资料来源：天科合达招股说明书，民生证券研究院资料来源：天科合达招股说明书，民生证券研究院碳化硅优良的频率、散热特性，使得其在射频器件上也得到广泛应用。碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的 2.0、2.5 倍，因此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较差的缺点，因此业界采取半绝缘型碳化硅做衬底，在衬底上生长氮化镓外延层后制造射频器件。本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告4行业深度研究

14、/电子图4：碳化硅器件与硅基器件频率特性资料来源：Semiengineering，民生证券研究院按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底两类，这两类衬底经外延生长后分明用于制造功率器件、射频器件等分立器件。其中，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件、光电器件等。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成 HEMT 等氮化镓射频器件。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造肖特基

15、二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件。表2：半绝缘型和导电型碳化硅衬底的对比种类电阻率尺寸外延器件应用领域半绝缘型碳化硅衬底105cm以4英寸为主，逐渐向6氮化镓外延射频器件信息通讯、无线电探测英寸衬底发展导电型碳化硅衬底1530mcm以6英寸为主，8英寸衬碳化硅外延功率器件在新能源汽车，轨道交底开始发展通以及大功率输电变电资料来源：天岳先进招股说明书, 民生证券研究院本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告5行业深度研究/电子图5：碳化硅外延生长及下游应用资料来源：新经济观点，民生证券研究院外延工艺是指在碳化硅衬底的表面上生长一层质量更高的单晶材料，如果在

16、半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，则称为异质外延；如果在导电型碳化硅衬底表面生长一层碳化硅外延层，则称为同质外延。外延层的生长可以消除衬底生长中的某些缺陷，生长的外延层质量相对较好。碳化硅晶体生长的过程中会不可避免地产生缺陷、引入杂质，导致衬底材料的质量和性能都不够好。而外延层的生长可以消除衬底中的某些缺陷，使晶格排列整齐。例如衬底缺陷中的 BPD（基平面位错）约 95%转化为 TED（贯穿刃型位错），而 BPD 可导致器件性能退化，TED 基本不影响最终碳化硅器件的性能。图6：碳化硅衬底层和外延层结构图7：碳化硅外延片缺陷与衬底片缺陷的关联性资料来源：基本半导体，民生证券研究院资料来源：

17、基本半导体，民生证券研究院本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告6行业深度研究/电子表3：外延片缺陷对最终器件的影响缺陷/器件SBDMOSFET，JFETPiN，BJT，晶闸管，IGBTTSD(无蚀坑)无无无,但会引发局部载流子寿命降低TED(无蚀坑)无无无,但会引发局部载流子寿命降低BPD(包括界面位错、半环阵列)无，但会引发 MPS 二无,但会引发体二极管双极退化(导通电阻及漏电流增加)极管退化退化内生堆垛层错降低(20%50%)降低(20%50%)降低(20%50%)胡萝卜缺陷、三角形缺陷降低(30%70%)降低(30%70%)降低(30%70%)掉落物缺

18、陷降低(50%90%)降低(50%90%)降低(50%90%)资料来源：基本半导体，民生证券研究院1.2 碳化硅功率器件性能优异由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率器件主要分为二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特基二极管（SBD）、结势垒肖特基二极管（JBS）、PiN 功率二极管（PiN）；晶体管主要包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、结型场效应晶体管（JFET）、双极型晶体管（BJT）、晶闸管。图8：碳化硅功率器件分类资料来源：芯 TIP，民生证券研究院

19、本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告7行业深度研究/电子表4：碳化硅二极管分类器件SBDPiNJBS图示优异的高速性，实现高耐压；在射频和微波频段受偏置电流控制的可变阻抗器；同时拥有 SBD 和 PiN 的优点；正向特性，优异的 TRR 特性；具有高于硅 2-3 个数量级的开关速度、具有高耐压、低压降、小漏电、高几乎没有温度和电流依赖性；特点高结温承受能力、高电流密度以及更频特性好及强抗过压和浪涌电流在开关应用中，几乎无反向恢复时间，高的功率密度；能力；可大幅降低开关损耗、提高开关频率；拥有更小的反向漏电流和更高的击穿具有大电流密度、高工作结温的性在高频、中等

20、电压功率开关的应用上电压；能优势有替代 Si 基 PiN 二极管的趋势广泛应用于高压低频功率开关上资料来源：芯 TIP，民生证券研究院碳化硅 MOSFET 主要分为平面结构和沟槽结构。平面型碳化硅 MOSFET 的结构特点是工艺简单、单元的一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄的 N 区中流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。沟槽型碳化硅 MOSFET 是将栅极埋入基体中，形成垂直的沟道，这种结构的特点是可以增加单元密度，没有 JFET 效应，沟道晶面实现最佳的沟道迁移率，导通电阻比平面结构要明显的降低；缺点是由于要开沟槽，工艺变得复杂，且

21、单元的一致性较差，雪崩能量比较差。本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告8行业深度研究/电子图9：碳化硅 MOSFET 平面结构（左）与沟槽结构（右）资料来源：电子工程专辑，民生证券研究院沟槽型碳化硅 MOSFET 专利壁垒较高。目前国际上量产平面型碳化硅 MOSFET 的碳化硅厂商主要有 Wolfspeed、意法半导体、Microsemi、罗姆等，国内量产的有 APS、瀚薪、派恩杰、清纯半导体等 Fabless 厂商。而目前可量产的 SiC 沟槽结构较为稀缺，全球量产沟槽型碳化硅 MOSFET 的仅有罗姆的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋

22、结构等。表5：沟槽结构 SiC MOSFET器件罗姆-双沟槽结构英飞凌-不对称沟槽结构日本住友-V 型沟槽结构图示资料来源：罗姆，英飞凌，民生证券研究院相比平面型 MOSFET，沟槽型碳化硅 MOSFET 在成本和性能上都具有较强优势。以罗姆的第三代碳化硅 MOSFET（第一代沟槽型碳化硅 MOSFET）为例，本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告9行业深度研究/电子其芯片面积仅为罗姆第二代平面型碳化硅 MOSFET 的 75%，且同一芯片尺寸下其导通电阻降低了 50%。而罗姆的第二代沟槽型碳化硅 MOSFET 相比第一代沟槽型碳化硅 MOSFET 导通电阻亦可

23、再降低 40%。图10：罗姆沟槽型与平面型 SiC MOSFET 对比图11：罗姆第二代和第一代沟槽型 SiC MOSFET 对比资料来源：罗姆，民生证券研究院资料来源：罗姆，民生证券研究院1.3 星辰大海，蓝海市场空间广阔最早商业化碳化硅产品的是美国的 CREE 公司，其发展历史具有较强的代表性。碳化硅的产业化基本可分为三个阶段，第一阶段是碳化硅 LED 的诞生及商业化，第二阶段是射频器件的商业化，第三部分是功率器件的商业化。2002 年 CREE 推出商用肖特基二极管、2011 年推出商用碳化硅 MOSFET 是行业两个重要的发展节点。2019 年特斯拉在 Model3 新能源汽车上应用碳

24、化硅 MOSFET 产品更是将行业热情进一步推向高点。CREE 的碳化硅器件项目 2021 年前主要由旗下子公司 Wolfspeed 负责，目前 CREE 已经出售 LED 业务，并更名为 Wolfspeed，主营业务变更为碳化硅射频及功率器件。图12：Wolfspeed 公司第三代半导体发展历史资料来源：芯思想，民生证券研究院碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。根据碳化硅行业全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达到 89 亿美元，其中用于新能源汽本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅

25、读最后一页免责声明证券研究报告10行业深度研究/电子车和工业、能源的 SiC 功率器件市场规模为 60 亿美元，用于射频的 SiC 器件市场规模为 29 亿美元。碳化硅在功率及射频器件领域具备较强的优势，具备较强的应用价值，有望在新能源汽车、工业和能源、射频市场逐步完成对硅基器件的替代。根据 YOLE 的预测，碳化硅的市占率有望在 2024 年突破 10%。图13：碳化硅器件市场规模及预测（亿美元）图14：碳化硅器件市占率不断提升50工业和能源RF汽车40302010020222024E2026E资料来源：Wolfspeed，民生证券研究院资料来源：YOLE，民生证券研究院第三代半导体战略意义

26、重大，世界各个国家和地区均在努力推进发展工作。欧洲的 SPEED 计划、MANGA 计划，美国的 SWITCHES 计划、NEXT 计划，日本的新一代功率电子项目都是意在通过政府资助和企业加强投资的方式推动新一代化合物半导体落地的计划，背后都具有明显的战略意图。第三代半导体的重要性各国都已明确，中国早在 2016 年的“十三五”规划中就将碳化硅和半导体照明列入重点项目，随后科技部、发改委等四部门又将碳化硅衬底技术列入重点突破领域。表6：各个国家和地区三代半导体发展计划发展计划发布机构主要内容SPEED 计划欧盟委员会SWITCHES 计划美国能源部NEXT 计划美国国防部先进研究项目局MANG

27、A 计划欧洲防务局实现低碳社会的新一代日本新能源产业技术开发机构功率电子项目围绕材料、外延、器件、应用等碳化硅全产业链，突破碳化硅器件技术，发展下一代碳化硅基电力电子器件，用于风力发电和新一代固态变压器，器件耐压目标 1.7kV 和 10kV 以上研制新型宽禁带半导体材料、器件结构以及制造工艺，提高能量密度，加快开关频率，增强温度控制，使电力电子技术成本更低，效率更高，降低电机驱动和电网电能转换等应用的能量损耗，使得控制和转换电能的方式发生重大变革研发能够同时实现极高速度和电压的氮化镓器件制造工艺，满足大规模集成要求联合德国、法国、意大利、瑞典和英国，强化欧洲碳化硅衬底和氮化镓外延片区域内供应

28、能力，降低对欧洲以外国家的依赖性，形成服务于国防工业的氮化镓电子器件产业链通过资助富士电机、三菱电机、东京大学等机构，研发低成本碳化硅电力电子器件和功率模组，应用于新能源汽车、铁路列车等领域资料来源：天科合达招股书，民生证券研究院我国亦在大力推动碳化硅行业发展，国资不断支持国内厂商立项融资。2018年国内碳化硅相关的投资项目签署额仅 50 亿元，到 2020 年已达 463 亿元，且其中有接近 90%的项目有政府参与，表明了国家对该领域的大力支持。本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告11行业深度研究/电子图15：2018-2020 年国内碳化硅签署投资项目总额

29、（亿图16：2020 年政府参与项目的占比（亿元）元）衬底器件全产业链52500450400政府参与项目投资350总额300250其他200150100500411201820192020资料来源：电子发烧友，民生证券研究院资料来源：电子发烧友，民生证券研究院1.4 碳化硅产业链价值集中于上游衬底和外延碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件设计、器件制造、封测等。从工艺流程上看，碳化硅一般是先被制作成晶锭，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底；衬底经过外延生长得到外延片。外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。将晶圆切割成 die，经过封装得到器件，器件组合在一起放入特殊外壳中组

30、装成模组。图17：碳化硅产业链资料来源：Trendforce，民生证券研究院碳化硅产业链价值集中于上游衬底和外延环节。根据 CASA 的数据，衬底约占碳化硅器件成本的 47%，外延环节又占据 23%，制造前的成本占据全部成本的70%。而对于 Si 基器件来说，晶圆制造占据 50%的成本，硅片衬底仅占据 7%的成本，碳化硅器件上游衬底和外延价值量凸显。由于碳化硅衬底及外延价格相对硅本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告12行业深度研究/电子片较为昂贵，碳化硅功率器件现阶段渗透率较低。然而，由于碳化硅器件高效率、高功率密度等特性，新能源汽车、能源、工业等领域的强劲需

31、求有望带动碳化硅渗透率快速提升。图18：碳化硅器件成本分布图19：硅基器件的成本结构6%5% 衬底19% 外延47% 前段 其他 研发费用23%24% 晶圆制造设备/工艺 能效维护50%7%衬底 其他原材料19%资料来源：CASA，前瞻产业研究院，民生证券研究院资料来源：Telescope Magazine，民生证券研究院碳化硅衬底的尺寸不断增大，当前国际主流尺寸为 6 英寸，正在向 8 英寸迈进。自从 1991 年第一块商用碳化硅衬底诞生，目前全球主要厂商的衬底尺寸已达到 6 英寸。而全球碳化硅领域龙头 CREE 公司（现更名为 Wolfspeed）已于 2015 年推出了 8 英寸碳化硅衬

32、底，并于 2022 年 4 月宣布其位于美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的全球最大 8 英寸碳化硅制造设施正式开业。图20：CREE 公司碳化硅衬底尺寸演进资料来源：CREE 公司公告，民生证券研究院单片衬底面积的增长有利于制造成本的下降，同时器件制造过程中衬底边缘的浪费也将下降。根据 Wolfspeed 数据，一片 6 英寸碳化硅衬底可以产出 448 颗die，边缘损失为 14%；而一片 8 英寸碳化硅衬底可产出 845 颗 die，边缘损失下降至 7%，衬底利用率更高。本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告13行业深度研究/电子图21：碳化硅

33、衬底尺寸升级后边缘损耗更低资料来源：Wolfspeed，民生证券研究院中国企业在单晶衬底方面以 4 英寸为主，目前国内企业已经开发出了 6 英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。其中天科合达和天岳先进为主的碳化硅晶片厂商发展速度较快，市占率提升明显，三安光电（北电新材）在碳化硅方面也在深度布局。表7：各企业在衬底尺寸方面的研发进度衬底尺寸CREE贰陆罗姆天岳先进天科合达4寸成功研制并规模成功研制并规模成功研制并规模成功研制并规模成功研制并规模化化生产化生产化生产化生产生产2012年全球首次成功研制并规模成功研制并规模成功研制，20192014年国内首次成6寸成功研制并规模年宣布产线建设功研制，已规模化