晶体结构与常见晶体类型.ppt
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1、金属金属=离子(失去价电子)离子(失去价电子)+非局域电子(运动于离子之间)非局域电子(运动于离子之间)1晶体的晶体的最小内能性最小内能性决定了晶态金属的离子在空间往往具有最紧密堆积决定了晶态金属的离子在空间往往具有最紧密堆积结构,形成体心立方(结构,形成体心立方(bcc)、面心立方()、面心立方(fcc)和密排六方()和密排六方(hcp)等晶体结构。等晶体结构。金属键金属键(无方向性和饱和性)(无方向性和饱和性)金属键示意图金属键示意图22.4.1.4.1 典型的单质金属晶体结构典型的单质金属晶体结构第二章第二章 晶体的结构与常见晶体结构类型晶体的结构与常见晶体结构类型2-2-4 4 元素晶
2、体的常见晶体结构元素晶体的常见晶体结构体心立方晶格体心立方晶格面心立方晶格面心立方晶格密排六方晶格密排六方晶格2个个4个个6个个23一球体的紧密堆积原理一球体的紧密堆积原理原子和离子都具有一定的有效半原子和离子都具有一定的有效半径,因而可看成是具有一定大径,因而可看成是具有一定大小的球体。金属晶体可被理解小的球体。金属晶体可被理解为数目很大的正离子圆球的堆为数目很大的正离子圆球的堆积和一群自由电子的结合体;积和一群自由电子的结合体;对于离子晶体(不考虑极化),对于离子晶体(不考虑极化),离子间的结合可看成是球体的离子间的结合可看成是球体的相互堆积,并且相互堆积,并且为使引力和斥为使引力和斥力达
3、到平衡,使晶体具有最小力达到平衡,使晶体具有最小内能,要求离子间作最紧密堆内能,要求离子间作最紧密堆积。积。六方密堆积结构的晶胞六方密堆积结构的晶胞4等径球体的最紧密堆积方式有两种:等径球体的最紧密堆积方式有两种:六方和立方最紧密堆积。六方和立方最紧密堆积。(1)六方最紧密堆积方式)六方最紧密堆积方式第第一一层层(A):各各球球在在同同一一平平面面上上彼彼此此尽尽量量靠靠拢拢,每每个个球球相相邻邻有有六六个个球球,每每三三个个球球之之间间形形成成一一个个三三角角形形空空隙隙,一一半半尖尖角角向向下下,另另一一半半尖角向上;尖角向上;第第二二层层(B):球球体体放放在在第第一一层层球球面面的的空
4、空隙隙上上,中中心心落落在在尖尖角角向向下下的三角形空隙上(也可落在尖角向上的三角形空隙上)。的三角形空隙上(也可落在尖角向上的三角形空隙上)。第三层:第三层:重复第一层的排列方式。重复第一层的排列方式。1.等径球体的密堆积等径球体的密堆积A AB BA AB BA AABABAB每两层重复一次每两层重复一次六方最紧密堆积六方最紧密堆积5A AA AA AA AB BB B密密排排面面六方晶胞六方晶胞六方密堆积六方密堆积67六方最紧密堆积的排列层序是:六方最紧密堆积的排列层序是:ABABAB.将将这这些些球球的的球球心心联联结结起起来来,便便形形成成六六方方原原始始格格子子,即即在在这这种种堆
5、堆积积中中可可找找出出六六方方晶晶胞胞,故故称称为为六六方方最最紧紧密密堆堆积积。其其最紧密排列层平行于最紧密排列层平行于0001面网面网。金属锇、铱等金属锇、铱等8(2)面心立方最紧密堆积方式)面心立方最紧密堆积方式第一层(第一层(A)和第二层()和第二层(B)球体与六方密堆方式相同;)球体与六方密堆方式相同;第三层(第三层(C):):球体放在第一层球间的另外三个相应的空隙上(即球体放在第一层球间的另外三个相应的空隙上(即尖角向上的三角形空隙尖角向上的三角形空隙C处)的位置上,与第二层球相互交错,使处)的位置上,与第二层球相互交错,使三层球的排列方式并不重复。而是第四层与第一层重复。三层球的
6、排列方式并不重复。而是第四层与第一层重复。C立方最紧密立方最紧密堆积的排列层序堆积的排列层序是:是:ABCABCABC.123456123456123456A AB BC C面心立方最紧密堆积面心立方最紧密堆积面心立方最紧密堆积面心立方最紧密堆积9ABCAABC面心立方最紧密堆积面心立方最紧密堆积ABCABC,即每三层重复一次即每三层重复一次10123456面心立方最紧密堆积面心立方最紧密堆积面心立方最紧密堆积面心立方最紧密堆积1112在这种堆积方式中可以找出面心立方晶在这种堆积方式中可以找出面心立方晶胞,其中的相当点按面心立方格子分布,胞,其中的相当点按面心立方格子分布,所以称为面心立方最紧
7、密堆积。所以称为面心立方最紧密堆积。其最紧密排列层平行于其最紧密排列层平行于111面网。面网。面心立方面心立方晶胞晶胞晶体结构晶体结构金属金属Cu、Pt等等1213(3)球体最紧密堆积中的空隙球体最紧密堆积中的空隙四面体空隙:四个球围成的空隙四面体空隙:四个球围成的空隙八面体空隙:六个球围成的空隙八面体空隙:六个球围成的空隙14等径球体密堆积中存在着两种空隙:四面体空隙(由四个球围成)等径球体密堆积中存在着两种空隙:四面体空隙(由四个球围成)和八面体空隙(由六个球围成)。和八面体空隙(由六个球围成)。以图中以图中B空隙上面的一个球为例:该球下面紧靠它的有三个八面体空隙上面的一个球为例:该球下面
8、紧靠它的有三个八面体空隙及四个四面体空隙。按六方密堆积排列,第三层与第一层相同,空隙及四个四面体空隙。按六方密堆积排列,第三层与第一层相同,则在该球上面也有三个八面体空隙及四个四面体空隙。则在该球上面也有三个八面体空隙及四个四面体空隙。BB15即:每个球的周围共有六个八面体空隙及八个四面体空隙。即:每个球的周围共有六个八面体空隙及八个四面体空隙。属于一个球的空隙数为:属于一个球的空隙数为:61/6=1个八面体空隙;个八面体空隙;81/4=2个四面体空隙。个四面体空隙。若有若有n个等径球体作密堆积,则必有个等径球体作密堆积,则必有n个八面体空隙和个八面体空隙和2n个四面体空隙。(六方和立方密堆相
9、同)个四面体空隙。(六方和立方密堆相同)六方和立方密堆积的空间六方和立方密堆积的空间利用率利用率都是都是74.05%(称为堆称为堆积系数);空隙占整个空间积系数);空隙占整个空间的的25.95%。六方和立方密堆积的配位六方和立方密堆积的配位数均为数均为12(3+6+3)。)。16(4 4)紧密堆积中的空间利用率(堆积系数):)紧密堆积中的空间利用率(堆积系数):=晶胞中球的总体积晶胞中球的总体积/晶胞体积晶胞体积以立方密堆积为例,设球的半径为以立方密堆积为例,设球的半径为R R晶胞中球的总体积:晶胞中球的总体积:属于该晶胞的球的个数:属于该晶胞的球的个数:81/8+61/2=481/8+61/
10、2=4球的总体积:球的总体积:v=v=4/34/3 R R设:晶胞常数为设:晶胞常数为a;晶胞体积为;晶胞体积为V;对于面心立方晶胞,原子半径对于面心立方晶胞,原子半径=R,17名名称称堆积方式堆积方式配位配位数数密排面密排面空空隙隙堆积堆积系数系数六方密六方密堆积堆积ABABABAB12 (00010001)四面体空隙四面体空隙八面体空隙八面体空隙0.74立方密立方密堆积堆积ABCABCABCABC12 (111111)四面体空隙四面体空隙八面体空隙八面体空隙0.74182等径球体的次紧密堆积等径球体的次紧密堆积1)体心立方堆积)体心立方堆积 等等径径球球体体还还有有另另一一种种堆堆积积方方
11、式式,虽虽不不是是最最紧紧密密的的,但但是是一一种种有有效效的的和和对对称称的的体体心心立立方方结结构构堆堆积积(金金属属Li、Na、K、Rb、Cs、Ba、Cr、Mo等属体心立方堆积)。等属体心立方堆积)。19堆积方式:堆积方式:第一层:第一层:排列面近似于密排面,每个原子与四个最邻近原子相接触;排列面近似于密排面,每个原子与四个最邻近原子相接触;第二层:第二层:放置于第一层的凹坑处;放置于第一层的凹坑处;第三层:第三层:重复第一层的排列方式。如此堆积,质点就按体心立方格子分布,在重复第一层的排列方式。如此堆积,质点就按体心立方格子分布,在这种堆积方式中可找出体心立方晶胞这种堆积方式中可找出体
12、心立方晶胞。体心立方结构的堆积,体心立方结构的堆积,密排面密排面为为(110)面,即在体对角线上球互面,即在体对角线上球互相接触。相接触。空间利用率是空间利用率是68%,空隙为,空隙为32%。配位数是。配位数是8。20第一层球,每个球与周围第一层球,每个球与周围4个求相接触;第二层球的位置与个求相接触;第二层球的位置与第一层球重合第一层球重合 密排面密排面为为/(100100)()(010010)()(001001)。球和球在棱上互相接触。)。球和球在棱上互相接触。空间利用率空间利用率为为52%52%。2)简立方堆积简立方堆积213不等径球体的紧密堆积不等径球体的紧密堆积 将将大大球球视视为为
13、等等径径球球体体作作紧紧密密堆堆积积,小小球球则则按按其其体体积积大大小小填填入入四四面面体体或或八八面面体体空空隙隙中中。在在硅硅酸酸盐盐晶晶体体中中,O2-的的离离子子半半径径比比Si4+、Al3+、Mg2+、Ca2+、Fe2+、Na+大大得得多多,所所以以通通常常认认为为主主要要是是O2-的的堆堆积积,其其他他离离子子填填入入其其空空隙隙中中。实实际际晶晶体体中中,正正离离子子的的尺尺寸寸可可能能大大于于或或小小于于负负离离子子的的空空隙隙,前前者者可可使使空空隙隙被被撑撑开开,使使结结构构变形;后者属不稳定结构。变形;后者属不稳定结构。22二影响离子晶体结构的基本因素二影响离子晶体结构
14、的基本因素1离子半径离子半径 离离子子晶晶体体中中每每个个离离子子周周围围存存在在着着一一定定大大小小的的作作用用力力范范围围,其其他他离离子子不不能能进进入入,这这个个范范围围的的半半径径称称为为离离子子半半径径。一一般般认认为为r0为为两两个个相相接触的离子半径之和(接触的离子半径之和(r0=r+r-)。在在离离子子晶晶体体中中,离离子子的的堆堆积积形形式式取取决决于于较较小小的的正正离离子子半半径径(r+)与与较较大大的的负负离离子子半半径径(r-)之之比比值值(r+/r-);离离子子半半径径还还经经常常作作为为衡量键性、键强、离子极化力、配位关系的重要数据。衡量键性、键强、离子极化力、
15、配位关系的重要数据。2配位数与配位多面体配位数与配位多面体(1)配配位位数数(符符号号CN)一一个个原原子子(离离子子)的的配配位位数数是是指指在在晶晶体体结结构构中中,该该原原子子(离离子子)周周围围与与其其直直接接相相邻邻结结合合的的原原子子个个数数(异号离子的个数)。(异号离子的个数)。23对对于于单单质质晶晶体体,若若原原子子作作紧紧密密堆堆积积则则每每个个原原子子的的配配位位数数为为12(六六方方,立立方方密密堆堆积积);若若不不是是紧紧密密堆堆积积,则则配配位位数数小小于于12,如如体体心立方堆积,心立方堆积,CN=8。共共价价晶晶体体,由由于于共共价价键键有有方方向向性性和和饱饱
16、和和性性,其其配配位位数数不不受受球球体体紧紧密堆积支配,配位数一般小于密堆积支配,配位数一般小于4。离离子子晶晶体体,正正离离子子一一般般处处于于负负离离子子密密堆堆积积的的空空隙隙中中,配配位位数数一一般般为为4或或6;若负离子不作紧密堆积,正离子可能有其他配位数。;若负离子不作紧密堆积,正离子可能有其他配位数。(2)配配位位多多面面体体在在晶晶体体结结构构中中,与与某某一一正正离离子子(或或原原子子)成成配配位位关关系系而而相相邻邻结结合合的的各各个个负负离离子子(或或原原子子),它它们们的的中中心心联联线线所所构构成成的的多多面面体体。(正正离离子子位位于于配配位位多多面面体体中中心心
17、,各各配配位位负负离离子子的的中中心在其角顶上。)心在其角顶上。)常见的配位多面体有:三角形、四面体、八面体、立方体等,常见的配位多面体有:三角形、四面体、八面体、立方体等,见见表。表。24r+/r-配位数配位数配位多面体配位多面体00.1552直线直线0.1550.2253三角形三角形0.2250.4144四面体四面体0.4140.7326八面体八面体0.73218立方体立方体112立方八面体立方八面体正离子的配位数与正、负离子的半径比的关系正离子的配位数与正、负离子的半径比的关系P292425分分析析:对对于于NaCl晶晶体体,Na+的的配配位位数数是是6;对对于于CsCl晶晶体体,Cs+
18、的的 配配 位位 数数 是是 8。这这 是是 由由 于于 rCs+rNa+(0.182nm0.110nm)。Cs+填填入入的的空空隙隙比比八八面面体体更更大大些些,即即Cs+周周围围比比Na+周周围围能能排排列列更更多多的的Cl-。所所以以,Cs+离离子子的配位数大于的配位数大于Na+的配位数。的配位数。可可见见离离子子晶晶体体结结构构中中,配配位位数数的的大大小小与与正正、负负离离子子半半径的比值(径的比值(r+/r-)有关。)有关。当当负负离离子子形形成成配配位位八八面面体体时时,正正、负负离离子子彼彼此此都都能能相相互互接触的必要条件是接触的必要条件是r+/r-=0.414。26配位多面
19、体的形成分析配位多面体的形成分析CN:3CN:6CN:8利用几何关系,可计算正、负离子的临界半径比值(利用几何关系,可计算正、负离子的临界半径比值(正、负离正、负离子彼此都能相互接触,具体计算见子彼此都能相互接触,具体计算见)。)。P2727正负离子相互正负离子相互接触状态接触状态2r-+2r+=a02r-=x28当当r+/r-=0.414时时,正正负负离离子子刚刚好好处处于于相相互互接接触触状状态态(临临界界状态状态);当当r+/r-0.414时时,正正、负负离离子子间间相相接接触触,而而负负离离子子间间相相脱脱离离,这这时时正正、负负离离子子引引力力较较大大,负负离离子子间间斥斥力力小小,
20、能能量较低,结构仍是稳定的。量较低,结构仍是稳定的。晶体结构的稳定性晶体结构的稳定性不但要求正、负离子能相互接触,不但要求正、负离子能相互接触,还要求配位数愈高愈稳定。即正离子周围要有尽可能多还要求配位数愈高愈稳定。即正离子周围要有尽可能多的负离子包围它。的负离子包围它。29当当r+/r-=0.732时时,每每个个正正离离子子的的周周围围即即可可排排列列八八个个负负离离子,负离子按简立方堆积,正离子的配位数是子,负离子按简立方堆积,正离子的配位数是8。当当r+/r-0.732时时,正正、负负离离子子间间相相接接触触,负负离离子子间间脱脱离离,结构仍稳定。(结构仍稳定。()表表列列出出了了r+/
21、r-比比值值范范围围与与配配位位数数的的关关系系。由由r+/r-值值可可确确定定正正离离子子的的配配位位数数和和形形成成的的负负离离子子配配位位多多面面体体的的结构。结构。决定配位数的因素决定配位数的因素很多,有温度、压力、正离子类很多,有温度、压力、正离子类型、极化性能及型、极化性能及r+/r-值。当温度、压力一定,离子的变值。当温度、压力一定,离子的变形很小时,主要取决于形很小时,主要取决于r+/r-值。否则应考虑极化对结构值。否则应考虑极化对结构类型的影响。类型的影响。P30P2430负离子相互接触:负离子相互接触:正负离子相互正负离子相互接触状态接触状态2r-=x=a031几种常见的负
22、离子配位多面体几种常见的负离子配位多面体(a)三角形(三角形(CN=3)(b)四面体(闪锌矿)四面体(闪锌矿)(CN=4)(d)立方体(立方体(CaF2)(CN=8)(c)八面体()八面体(NaCl)(CN=6)323离子的极化离子的极化离子在外电场作用下,改变形状和大小的现象。离子在外电场作用下,改变形状和大小的现象。一般认为离子的正、负电荷重心是重合的且位于离子的中心,但一般认为离子的正、负电荷重心是重合的且位于离子的中心,但在外电场的作用下,正、负电荷重心将发生分离在外电场的作用下,正、负电荷重心将发生分离产生偶极现产生偶极现象,这时离子的形状和大小也发生变化。如图所示。象,这时离子的形
23、状和大小也发生变化。如图所示。+-未被极化未被极化负离子负离子被极化被极化极化结果极化结果33 在在离离子子晶晶体体中中,正正、负负离离子子都都受受到到相相邻邻异异号号离离子子电电场场的的作作用用而而被被极极化化,同同时它们的电场又对邻近异号离子起极化作用。时它们的电场又对邻近异号离子起极化作用。即极化过程为:即极化过程为:被被极极化化一一个个离离子子在在其其他他离离子子所所产产生生的的外外电电场场作作用用下下产产生生极极化化(变变形形)。变变形程度大小用极化率形程度大小用极化率表示。表示。F离子所在位置的电场强度;离子所在位置的电场强度;u诱导偶极矩。诱导偶极矩。u=eLe电荷;电荷;L极化
24、后正、负电荷的中心距。极化后正、负电荷的中心距。主主极极化化一一个个离离子子其其本本身身的的电电场场作作用用于于周周围围离离子子使使其其他他离离子子极极化化变变形形。主主极极化能力的大小用极化力化能力的大小用极化力表示。表示。w离子的电价;离子的电价;r离子半径离子半径。34在在离离子子晶晶体体中中,一一般般正正离离子子半半径径较较小小,当当电电价价较较高高时时,极极化化力力较较明明显显,而而极极化化率率较较小小,不不易易变变形形。负负离离子子半半径径较较大大,易于变形而被极化,而极化力较小。如易于变形而被极化,而极化力较小。如Br-、I-等。等。通通常常只只考考虑虑正正离离子子对对负负离离子
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