液晶电视LED屏的简单原理介绍.ppt
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1、未来主流光源LED及应用简介光的常识光是以电磁波的形式传播的,光源是能被人们的眼所感到的电磁波,光是以电磁波的形式传播的,光源是能被人们的眼所感到的电磁波,其波长范围其波长范围380-780nm380-780nm长于长于780nm 780nm 的为红外线、无线电等,短于的为红外线、无线电等,短于380nm 380nm 的为紫外线、的为紫外线、X X 射线等。射线等。可见光又可分解成红光、黄光、橙光、绿光、青光、蓝光、紫光等可见光又可分解成红光、黄光、橙光、绿光、青光、蓝光、紫光等七种基本单色光七种基本单色光光的度量单位:光的度量单位:(1 1)光通量:光源单位时间内发出的光量称为光通量,符号为
2、)光通量:光源单位时间内发出的光量称为光通量,符号为,单位是流明(单位是流明(LmLm),),(2 2)光强:光源在给定方向的单位立体角中发射的光通量被定义为)光强:光源在给定方向的单位立体角中发射的光通量被定义为光源在该方向的光强度,符号为光源在该方向的光强度,符号为I I,单位为坎德拉(,单位为坎德拉(cdcd),),I=d/dI=d/d(为立体角),光强度的单位是光度测定的基本单位。为立体角),光强度的单位是光度测定的基本单位。(3 3)亮度:光源在某一方向上的单位投影面在单位立体角中发射的)亮度:光源在某一方向上的单位投影面在单位立体角中发射的光通量,称为光源在某一方向的光亮度,符号为
3、光通量,称为光源在某一方向的光亮度,符号为L L,L=dI/dsL=dI/ds,单位,单位为为cd/m2cd/m2(坎德拉每平方米(坎德拉每平方米 )也叫尼特)也叫尼特(4 4)照度:表示表面被照明的程度的量,称为光照度,它是单位面)照度:表示表面被照明的程度的量,称为光照度,它是单位面积上受到光通量数,符号为积上受到光通量数,符号为E E,E=d/dsE=d/ds,单位为,单位为LxLx(勒克斯)(勒克斯)1Lx=1Lm/m21Lx=1Lm/m2(5 5)发光效率:光源发光效率是指一个光源所发出的光通量中与该)发光效率:光源发光效率是指一个光源所发出的光通量中与该光源所消耗的电力功率光源所消
4、耗的电力功率P P 之比即之比即=/p p色域图色域图 注:注:NTSC NTSC 色域值大约是色域覆盖率的色域值大约是色域覆盖率的2.222.22至至2.372.37倍;三原色:红、绿、倍;三原色:红、绿、蓝蓝 R R、G G、B B 三补色:青、品、黄三补色:青、品、黄 C C、MM、Y Y 背光的结构示意图CCFL发光原理n nCCFLCCFL的物理构成是在一玻璃管内封入隋性气体的物理构成是在一玻璃管内封入隋性气体Ne+ArNe+Ar混合气混合气体,其中含有微量水银蒸气体,其中含有微量水银蒸气(mg)(mg),并于玻璃内壁涂布萤光体。,并于玻璃内壁涂布萤光体。通过灯管两端的电极加高压(启
5、动电压通过灯管两端的电极加高压(启动电压120012001600V1600V),让),让灯管内的气态汞电离,激发紫外线碰撞管壁上的荧光粉,从灯管内的气态汞电离,激发紫外线碰撞管壁上的荧光粉,从而发出光线,其波长由萤光体物质特性决定。而发出光线,其波长由萤光体物质特性决定。LED发光原理n nLEDLED,就是发光二极管(,就是发光二极管(light emitting diodelight emitting diode),顾名思义发光二极管是一顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件,具有二极管的特性。基本结构为种可以将电能转化为光能的电子器件,具有二极管的特性。基本结构为一块电致
6、发光的半导体模块。一块电致发光的半导体模块。n n发光二极管的结构主要由发光二极管的结构主要由PNPN结芯片、电极和光学系统组成。结芯片、电极和光学系统组成。n n在电极上加上正向偏压之后(在电极上加上正向偏压之后(0.3V-4V)0.3V-4V),使电子和空穴分别注入,使电子和空穴分别注入P P区和区和N N区,当非平衡少数载流子与多数载流子复合时,就会以辐射光子的形式区,当非平衡少数载流子与多数载流子复合时,就会以辐射光子的形式将多余的能量转化为光能。具体如下:将多余的能量转化为光能。具体如下:半导体晶片由三部分组成,一端是半导体晶片由三部分组成,一端是P P型半导体,为硅晶体上掺杂镓型半
7、导体,为硅晶体上掺杂镓(GAGA),在它里面空穴占主导地位;另一端是),在它里面空穴占主导地位;另一端是N N型半导体,为硅晶体上型半导体,为硅晶体上掺杂砷(掺杂砷(ASAS),电子占主导地位;中间区域为),电子占主导地位;中间区域为PNPN连接区,形成连接区,形成 EVEV的势的势垒,其中垒,其中1 1至至5 5个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,注入电子和空穴在注入电子和空穴在PNPN连接区就会被推向量子阱,在量子阱内电子跟空穴连接区就会被推向量子阱,在量子阱内电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出多余能量。复合,然后就
8、会以光子的形式发出多余能量。在在LEDLED的两端加上正向电的两端加上正向电压,电流从压,电流从LEDLED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线。调节电流,便可以调节光的强度。通过调整材料的能带结颜色的光线。调节电流,便可以调节光的强度。通过调整材料的能带结构和带隙,便可以多色发光,这种发光方式为构和带隙,便可以多色发光,这种发光方式为“注入式电致发光注入式电致发光”LED发光示意图LED LED 芯片制作流程芯片制作流程n n在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石(AL2Q
9、3AL2Q3)、)、SiCSiC、SiSi)上,气态物质)上,气态物质InGaAlPInGaAlP有控制的输送有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LEDLED外延片生长技外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。术主要采用有机金属化学气相沉积方法。n n 外延片外延片清洗清洗镀透明电极层镀透明电极层透明电极图形光刻透明电极图形光刻腐蚀腐蚀去胶去胶平台图形光刻平台图形光刻干法刻蚀干法刻蚀去胶去胶退火退火SiO2SiO2沉积沉积窗口图形光刻窗口图形光刻SiO2SiO2腐蚀腐蚀去胶去胶N N极图形光刻极图形光刻预清洗预清洗镀膜镀膜剥离剥离退火退火
10、P P极图形光刻极图形光刻镀膜镀膜剥离剥离研磨研磨切割切割芯片芯片成品测试。成品测试。n n从制作工艺,从制作工艺,LEDLED的生产和集成电路的生产接近,也接近满的生产和集成电路的生产接近,也接近满足摩尔定律,成本和性能每足摩尔定律,成本和性能每1818个月有翻倍提升。个月有翻倍提升。彩色光白光产生方式n n对于照明,需要白色的光源,主要有以下两种发光方法对于照明,需要白色的光源,主要有以下两种发光方法 A:A:将将GaNGaN芯片和钇铝石榴石(芯片和钇铝石榴石(YAGYAG)封装在一起做成。)封装在一起做成。GaNGaN芯片发蓝光(芯片发蓝光(p=470nmp=470nm,Wd=30nmW
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