2022年“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”.doc

《2022年“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2022年“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”.doc（53页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、国家科技严重专项 “极大规模集成电路制造装备及成套工艺”2009年工程指南为推进我国集成电路制造产业的开展，提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新才能，充分调动国内力量为严重专项的有效施行发挥作用，国家科技严重专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”依照施行方案和“十一五”施行计划，安排一批工程在全国公开发布，通过竞争择优方式选择优势单位承担工程。一、 工程申请范围依照附件1列出的工程指南说明，进展工程申请，编制工程申报书。二、 工程申报与组织方式由专项施行治理办公室组织，通过教育部、工业与信息化部、中国科学院、国资委和各省（市）科委（厅、局）向所辖企业、直属高校、科研院所发布指

2、南，组织所辖单位编制工程申报材料，由各主管部门汇总后统一报送专项施行治理办公室。专项施行治理办公室对各部门（地点）申报工程进展汇总后，由专项总体组组织专家进展申请材料初审，挑选符合专项要求的优势单位提交专项办公室，由专项办公室组织评审委员会进展正式评审，择优委托主承担单位，在专项总体组指导下组织产学研用联盟承担工程。三、 工程申报单位根本要求1、 在中国境内注册的中资控股企业，注册资本为申请国拨经费的10%以上。2、 具备独立法人资历的科研院所和高校。3、 同一单位本次主承担工程原则上不超过2项。同一个人负责工程不能超过1项，参与工程不能超过2项。4、 配套资金要求所有产品开发与产业化工程需由

3、地点政府或行业主管部门提供不少于中央财政经费的配套资金。四、 报送要求每个工程报送工程申报书纸质材料一式20份（详细要求见附件3）及电子版（光盘）1份，以及其它材料（见附件2）。五、 联络方式联络人：张国铭、高华东、王泓联络：01051530051，51530052，64369398电子邮件：zgm通讯地址：北京市海淀区知春路27号（大运村）量子芯座集成电路设计园403室邮 编：100083六、 截止时间2008年10月6日17：00前送达专项施行治理办公室。24附件12009年工程指南说明一、 集成电路装备1. 工程任务：65nm PVD设备研发与应用工程编号：2009ZX02001工程类别

4、：产品开发与产业化 工程目的：研究开发面向65nm极大规模集成电路消费线的PVD设备，获得核心自主知识产权，满足65纳米主流工艺的相关参数要求，功能指标到达同类产品国际先进水平，并通过65纳米的大消费线的考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，在65nm集成电路大消费企业获得5台以上应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟结合承担工程。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发才能，需要具备知识创新才能，具备产业化才能和经历。执行期限：20092012年 2. 工程任务：65nm互连镀铜设备研发与应用 工程编号：2009ZX02

5、002 工程类别：产品开发与产业化 工程目的：研究开发面向65nm极大规模集成电路消费线的镀铜设备，获得核心的自主知识产权，满足65纳米主流工艺的相关参数要求，功能指标到达同类产品国际先进水平，通过65纳米的大消费线考核及用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，在65nm集成电路大消费企业获得5台以上应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟结合承担工程。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发才能，需要具备知识创新才能，具备一定的产业化才能和经历。执行期限：20092012年 3. 工程任务：65nm快速热退火设备研发与应用工程编号

6、：2009ZX02003工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发面向65nm300mm集成电路消费线的快速热退火设备，获得核心的自主知识产权，满足65纳米主流工艺的相关参数要求，功能指标到达同类产品国际先进水平，通过65纳米的大消费线的考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，在65nm集成电路大消费企业获得3台以上应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研联盟结合承担工程。执行期限：20092012年4. 工程任务： 9065nm 匀胶显影设备研发与应用工程编号：2009ZX02004工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发9

7、065nm极大规模集成电路制造用匀胶显影设备，获得核心的自主知识产权，满足9065纳米主流工艺的相关参数要求，功能指标到达同类产品国际先进水平，通过大消费线考核和用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，在65nm集成电路大消费企业获得3台以上应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。 执行期限：20092012年5. 工程任务： 65nm清洗及化学处理设备开发与产业化工程编号：2009ZX02005工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发65nm极大规模集成电路消费线清洗及化学处理系列设备，获得自主创新打破，满足65

8、纳米主流工艺的相关参数要求，功能指标到达同类产品国际先进水平，通过大消费线考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，在65nm集成电路大消费企业获得5台以上应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年6. 工程任务：集成电路消费全自动光学测量设备研发与应用工程编号：2009ZX02006工程类别：产品开发与产业化工程目的：开发9065nm集成电路消费线用全自动光学测量设备，满足膜厚、线宽、图形形貌等工艺测量要求，获得自主创新打破，满足9065纳米主流工艺的相关参数要求，功能指标到达同类产品国

9、际先进水平，通过消费线考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，在集成电路消费线获得5台以上应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所和高校，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年7. 工程任务：CD-SEM工艺检测技术与设备研究工程编号：2009ZX02007工程类别：产品开发与产业化工程目的：打破超精细快速、高速图像采集与处理技术，完成检测线宽到达9065nm的CD-SEM样机研制，获得自主创新打破，通过消费线考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所和高校，并组织产学研联盟结合承担工

10、程。执行期限：20092012年8. 工程任务：射频与数模混合信号集成电路测试系统开发工程编号：2009ZX02008工程类别：产品开发与产业化工程目的：面向大规模集成电路产品，开发射频、数模混合信号集成电路测试系统设备，满足大规模测试消费线的需求，获得自主创新打破，功能指标到达国际同类产品先进水平，通过大测试线考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业、科研院所和高校，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年9. 工程任务：先进封装设备工程编号：2009ZX02009工程类别：产品开发与产业化工程目的：面向高密

11、度封装消费线需求，研究开发高精度倒装芯片键合机、先进封装光刻机、涂胶显影机、溅射台、凸点刻蚀机、硅片清洗机等高端封装设备，技术参数和工艺功能满足封装规模化消费线要求，产品通过大消费线工艺验证和产品考核，功能指标到达同类产品国际先进水平，具备产业化才能和市场竞争力。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年10. 工程任务：成套封装设备与材料消费示范线工程工程编号：2009ZX02010工程类别：产品开发与产业化工程目的：面向先进封装消费线对设备与材料的需求，由大型封装消费企业建立成套设备与材料消费示范线，集成高

12、倍显微镜、磨片前贴膜机、减薄机、接触式测厚仪、自动揭膜机、CO2气泡发生器、Wafer Mount、划片机、自动晶园清洗机、导电胶搅拌机、装片机、无氧化烘箱、等离子清洗机、键合机、金丝拉力仪、自动塑封压机/模具、X-Ray检测、干净固烤炉、自动磨胶机、激光打印机、自动切筋机、自动成型机、高速自动电镀线、镀层测厚仪、切割前贴膜机、切割机、投影仪、UV照射机、装管机、条带测试编带机、测试分选机、测试主机、包装机等设备组成消费示范线。组织封装材料供给商研究开发绿色环保型环氧封装料及液体环氧封装材料、高可靠封料、底填料、导电浆料及导电胶、高密度及异型引线框架、低本钱铜键合丝、超细低弧高强度键合丝、脱模

13、剂、蓝膜、无铅焊料与焊球、聚酰亚胺光敏树脂及厚膜光刻胶、热治理(TIM)材料、基板材料等产品，在消费示范线上进展认证和应用示范。示范所集成的设备与研发的材料技术参数和功能满足封装规模化消费线要求，通过用户考核和合格供给商认证，具备产业化才能及市场竞争力。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的大型封装消费企业，在专项总体组指导下，组织招标，组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年，2010年底前完成设备和材料示范线考核。11. 工程任务：国产300mm硅材料成套加工设备示范线工程工程编号：2009ZX02011工程类别：产品开发与产业化工程目的：面向90-65nm极大规模

14、集成电路用硅单晶及抛光片制备技术需求，研究开发单晶炉、线截断机、多线切割机、倒角机、磨片机、抛光机（CMP）、清洗机(包括CDS)、全自动检测分选装置等关键设备，技术参数和工艺功能满足硅片规模化消费要求，功能指标到达同类产品国际先进水平，在300毫米硅片企业建立成套示范线，通过用户考核和合格供给商认证，具备产业化才能及市场竞争力。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年二、 关键部件与核心技术12. 工程任务：干净与直驱型真空机械手及硅片传输系统研制工程编号：2009ZX02012工程类别：产品开发与产业化

15、工程目的：面向国内大规模集成电路制造整机装备对200300mm硅片输送自动化部件的需求，掌握真空机械手、大气机械手和EFEM的工程设计和批量制造技术，构成面向刻蚀机、CVD、PVD、CMP和镀铜等整机设备配套的EFEM系列化产品，研制出功能稳定可靠的硅片输送设备，功能指标到达同类产品国际先进水平，并实现产品化应用及产业化。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年13. 工程任务：用于超净环境的硅片传输机械手研发与应用工程编号：2009ZX02013 工程类别：产品开发与产业化工程目的：针对我国IC装备的用户

16、需求，掌握超干净环境下的200300mm硅片传输机器人的工程设计与批量制造技术，研制功能稳定可靠的硅片传输机械手，功能指标到达同类产品国际先进水平，并实现产品化应用及产业化。工程承担单位要求：主承担单位要求独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研联盟结合承担工程。执行期限：20092012年14. 工程任务：干泵与系列真空阀门产品开发与产业化工程编号：2009ZX02014工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发极大规模集成电路装备用干泵及系列真空阀门，功能指标到达同类产品国际先进水平，通过整机用户的考核与采购认证，具备产业化才能及市场竞争力，获得500台/套以上的应用。工程承担单位

17、要求：主承担单位要求是独立法人的真空设备制造企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年15. 工程任务：磁浮分子泵系列产品开发与产业化工程编号：2009ZX02015工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发极大规模集成电路装备用磁浮分子泵系列产品，功能指标到达同类产品国际先进水平，通过整机用户的考核与采购认证，具备产业化才能及市场竞争力，获得超过200台的应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的专业消费真空设备的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年16. 工程任务：集成电路装备200300mm

18、 SMIF系统研发与应用工程编号：2009ZX02016工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发极大规模集成电路装备200300mm SMIF系统产品，获得核心自主知识产权，通过整机用户的考核与采购认证，具备产业化才能及市场竞争力，获得超过500套的应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年17. 工程任务：集成电路消费线自动化调度操纵软件技术工程编号：2009ZX02017工程类别：关键技术研究工程目的：面向极大规模集成电路制造大消费线的自动化及高产率、高成品率需求，开展消费过程监控、

19、设备异常预测、优化调度、成品率操纵等技术的研究，开发相关大消费线自动化系统软件产品与处理方案，建立客户支持效劳体系，并在23家（前工序、封装）大消费线得到验证与应用，建立长期合作与效劳关系。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年18. 工程任务：符合国际标准集束型IC装备操纵系统开发平台研发与应用工程编号：2009ZX02018工程类别：关键技术研究工程目的：研制开发符合SEMI标准和相关自动化标准的集束型IC装备自动化系统开发平台，为半导体装备制造商提供开放、模块化的自动化软件产品与系统处理方案，建立客户

20、支持效劳体系，通过34家用户的验证并获得应用，建立长期合作与效劳关系。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所, 并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年19. 工程任务：半导体设备工艺腔室多场耦合分析与优化设计通用平台研究工程编号：2009ZX02019工程类别：关键技术研究工程目的：面向极大规模集成电路制造装备中普遍采纳的核心工艺反响腔室的开发与创新设计需求，研究工艺腔室中流场、热场、电磁场、等离子体等多场强耦合仿真分析技术，开发工艺腔室的优化设计平台，构成有用化的软件工具，提供完好的技术处理方案和成果产业化转移方案，在34家设备和消费线用户得到

21、验证与实际应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的高校、研究所和企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年20. 工程任务：IC装备整机建模与仿真设计平台工程编号：2009ZX02021工程类别：关键技术研究工程目的：面向极大规模集成电路制造装备复杂系统整机设计和产品开发的需求，研究多领域建模与仿真技术、多学科协同设计技术，开发集成电路装备整机建模与仿真设计平台，构成有用化的软件工具，提供完好的技术处理方案和成果产业化转移方案，并在34家典型集成电路制造装备的设计与产品开发中获得实际应用。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的高校、研究所和企业，并组织产

22、学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年21. 工程任务：封装设备关键部件与核心技术 工程编号：2009ZX02021工程类别：关键技术研究与部件产品开发工程目的：研究开发高速空气静压电主轴、超高加速精细运动系统与操纵技术、高速机器视觉技术等先进封装设备关键部件和核心技术，提高整机功能与竞争力，获得核心知识产权。部件产品功能指标到达同类产品国际先进水平，通过用户考核验证，具备产业化才能及市场竞争力。核心技术研发应与整机单位严密结合，提供完好的技术处理方案和成果产业化转移方案，获得产业化应用。应用台数超过200台。工程承担单位要求：关键技术工程主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所

23、和高校；部件产品开发工程承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所。组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年三、 成套工艺22. 工程任务：0.25-0.18微米通用BCD产品工艺开发与产业化工程编号：2009ZX02022工程类别：产品工艺开发与产业化工程目的：完成0.25-0.18微米通用BCD（40V以下）工艺开发与设计效劳平台，获得自主知识产权，具备向其它消费线技术转移和代工量产才能，为510种自主设计的相关产品提供产品制造效劳。工程承担单位要求：主承担单位是独立法人的集成电路芯片制造企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：2009-201

24、0年23. 工程任务：65nm 产品工艺与设备材料考核验证及应用示范平台工程编号：2009ZX02023工程类别：产品开发与产业化工程目的：面向通讯、挪动多媒体、数字消费等严重SOC产品需求，研究开发适用于低功耗和通用产品的数字与数模混合、大容量静态随机存储器（SRAM）与非挥发存储器、射频（RF）等65nm产品工艺，建立完善的客户设计效劳平台，获得自主知识产权，具备向其它消费线技术转移和代工量产才能，为35种自主设计的大规模SOC产品提供制造效劳。建立设备与材料的考核验证与应用示范平台，为国产装备和材料提供验证效劳。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路制造企业或企业性质的研究

25、所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092010年24. 工程任务：45nm 成套工艺开发工程编号：2009ZX02024工程类别：成套工艺开发工程目的：研究开发适用于低功耗和通用产品的数字与数模混合、大容量存储器等45nm标准工艺，建立完善的客户设计效劳平台，获得自主知识产权，具备向其它消费线技术转移和代工量产才能，为自主设计的大规模SOC产品提供产品制造效劳。为国产化装备、材料等提供验证效劳。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路研发企业和制造企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年25. 工程任务：先进封装工艺开发及产业化工程编号：2

26、009ZX02025工程类别：工艺开发及产业化工程目的：研究开发球栅阵列封装BGA、芯片尺寸封装CSP、多芯片封装MCP、圆片级封装WLP、倒装芯片封装FC、封装内封装PIP、高容量闪存集成封装、高可靠特种专用封装等先进封装的成套工艺，打破封装工艺、测试评估与可靠性等关键技术，建立完善的产品效劳平台，获得自主知识产权，具备量产才能和向其它消费线技术转移的才能，开展多目的封装（MPP）效劳，为510种自主设计产品提供封装效劳。工程承担单位要求：主承担单位是独立法人的集成电路封装消费企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年。26. 工程任务：高密度多层封装基板制造工艺开发

27、与产业化工程编号：2009ZX02026工程类别：封装技术开发及产业化工程目的：完成高密度系统级多层封装基板、柔性封装基板等成套制造工艺的开发，打破基板设计、元件埋入、制造工艺、测试评估等关键技术，获得自主知识产权，建立产品效劳平台，具备量产才能和向其它消费线技术转移的才能，开展多目的封装（MPP）效劳，为510种自主设计产品提供封装效劳。工程承担单位要求：主承担单位是独立法人的集成电路封装企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。 执行期限：20092011年。27. 工程任务：极大规模集成电路消费测试技术工程编号：2009ZX02027工程类别：成套工艺开发工程目的：研究开发极大规模集成电路大

28、消费测试（包括中测与成测）技术，获得自主知识产权，并通过大规模测试线考核验证，为510种自主设计的相关产品提供测试效劳。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092011年四、 关键材料28. 工程任务：200mm外延片产品开发与产业化工程编号：2009ZX02028工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发满足0.13-0.25m消费需求的200mm外延片产品，通过大消费线考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，在主流集成电路制造企业获得1.5万片/月、稳定供货12个月以上的应用，签订长期合同。鼓舞使用国产衬底抛

29、光片，比例不少于50。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路材料企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。 执行期限：20092010年29. 工程任务：200mm抛光片产业化技术工程编号：2009ZX02029工程类别：产品研发与产业化工程目的：研究开发8英寸硅单晶晶体生长、抛光片制备、分析检测等量产技术，消费线具有连续稳定运转的才能，通过国内主流8英寸集成电路消费企业的合格供给商评估认证，产品通过用户考核评估，各项技术指标到达0.25-0.13微米集成电路要求，在主流集成电路制造企业获得4万片/月、稳定供货12个月以上的应用，签订长期合同。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法

30、人的半导体硅材料制备企业，并组织产学研联盟结合承担工程。 执行期限：20092011年 30. 工程任务：9065nm集成电路关键抛光材料研究与产业化工程编号：2009ZX02030工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发90-65纳米集成电路化学机械抛光用抛光液制备技术，开发年产万吨级规模消费技术，产品通过用户考核且通过2家以上集成电路大消费企业的合格供给商认证，实现批量稳定供货，在国内化学机械抛光用抛光液的市场占有率超过30%。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的抛光液材料企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。 执行期限：20092010年 31. 工程任务：溅射靶材与电镀液产

31、业化技术开发工程编号：2009ZX02031工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发超高纯大尺寸靶材与电镀液制备成套关键技术，完成铝及铝合金、钛、钽、铜等靶材与电镀液产品开发，靶材满足90nm65集成电路前道工艺与封装要求，电镀液满足6545nm集成电路铜互连工艺要求，产品通过消费线考核，且通过集成电路大消费企业合格供给商认证，具备量产才能和市场竞争力，可实现批量稳定消费。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的消费企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092010年32. 工程任务：超净高纯试剂产品开发和产业化工程编号：2009ZX02032工程类别：产品开发与产业化工

32、程目的：研究开发200300mm集成电路消费线用超净高纯试剂（有机/无机）产品成套技术与系列产品，完成原材料、包装容器质量提升与供给体系建立，通过消费线考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，能对23家大消费企业长期稳定供货，支撑国内市场综合占有率超过20。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。 执行期限：20092010年33. 工程任务：高纯电子气体与液态源产品开发与产业化工程编号：2009ZX02033工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发200300mm集成电路消费线用高纯电子工艺气体与低k介质等有机液态源产品，通

33、过消费线考核与用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，能对23家大消费企业长期稳定供货，支持国内市场综合占有率超过20。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。 执行期限：20092012年34. 工程任务：高可靠陶瓷管壳产品开发工程编号：2009ZX02034工程类别：产品开发与产业化工程目的：研究开发高可靠集成电路封装用陶瓷管壳系列产品，到达同类产品国际先进水平，通过消费线考核及用户认证，具备产业化才能及市场竞争力，支持市场占有率超过20。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行

34、期限：20092012年五、 前瞻性研究35. 工程任务：32nm 新型存储器关键工艺处理方案工程编号：2009ZX02035工程类别：前瞻性研究工程目的：开展32nm新型存储器工艺研究，新构造闪存存储器构成IP和关键工艺处理方案，开发出原型产品；PCRAM、RRAM等新型存储器获得关键技术打破。获得自主知识产权，开发出可向消费线转移的关键工艺。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的科研院所和高校，在专项总体组指导下，依托企业组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年36. 工程任务：4532nm以下装备关键技术工程编号：2009ZX02037工程类别：前瞻性研究工程目的

35、：面向4532nm以下集成电路装备的需求，开展装备关键技术与创新技术研究，包括图形构成转移、薄膜、刻蚀、掺杂、平坦化、退火、清洗、互连等关键技术与创新技术，探究可能的实现32nm以下集成电路芯片制造的关键工艺模块、装备、材料的成套处理方案，获得自主知识产权和核心技术打破，为“十二五”研发集成电路整机装备提供关键技术支撑。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的研究院所、高校或企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年37. 工程任务：三维及系统级封装（SiP）技术研究工程编号：2009ZX02038工程类别：前瞻性研究工程目的：面向国际前沿及我国下一代封装技术开展需

36、求，开展系统级封装(SiP/SoP)、三维集成封装、MEMS与CMOS电路集成封装等核心技术研究，打破三维系统级封装的设计、制造和测试及产业链整合技术，获得自主知识产权，构成系统级封装处理方案，相关技术在封装企业进展应用示范。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的高校、研究所、企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年38. 工程任务：4532nm以下关键材料技术研究工程编号：2009ZX02039工程类别：前瞻性研究工程目的：面向4532nm以下极大规模集成电路的需求，开展高k、低k、应变硅等关键材料技术研究，并进展工程化开发和示范应用，为下阶段产业化开发奠定根

37、底。工程承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的研究院所、高校或企业，并组织产学研用联盟结合承担工程。执行期限：20092012年附件2：工程申报书编写要求：1. 文件编写：以中文编写，要求语言精炼，数据真实、可靠。2. 文件规格：一律用A4纸，仿宋四号字打印并装订成册，一式3份，同时附上电子版（光盘）。工程建议书按统一格式编写。3. 工程申报书应有主承担单位法定代表人（或委托受权人）签字并加盖公章，全部文件须包装完好，封皮上写明工程名称、单位名称、地址、邮政编码、联络人。附件3：与工程申报书、同时提交的相关附件材料包括：（1） 需承担单位提供企业自筹经费的工程应提供建议单位的自筹资金保证书；

38、（2） 如地点政府提供配套经费的工程应提供地点政府经费配套承诺文件；（3） 结合申请工程的正式合作协议；（4） 产业化工程需提供企业近3年度资产负债表与损益表及现金流量表；（5） 产业化工程需提供拟承担单位营业执照或法人代码证；（6） 其它证明文件（如质量体系认证、专利证书、获奖证书等文件）。（7） 申请材料类研发工程的单位，需提供承担单位环评资质文件。附件4 工程申报书格式 受理编号： 密级：公开 机密 机密 绝密国家科技严重专项工程（课题）可行性研究报告(申报书)（参考格式）专项名称： 工程（课题）名称： 工程（课题）责任单位： 工程（课题）组长： 工程（课题）年限：20 年 月 至20

39、年 月填报日期： 20 年 月 日中华人民共和国科学技术部制二 年 月填 写 说 明为建立统一、标准的严重专项信息治理制度，加强严重专项信息的治理，我们研究设计了国家科技严重专项工程（课题）可行性研究报告（申报书）格式和填写要求。一、请严格按照表中要求填写各项。二、工程（课题）可行性研究报告只能由法人提出，能够由一家单位组织，也能够由多家单位结合组织。每个工程（课题）只能有一家责任单位和一个组长。工程（课题）组长由工程（课题）责任单位指定。三、工程（课题）可行性研究报告由工程（课题）责任单位编写，并报专项施行治理办公室汇总；四、工程（课题）可行性研究报告中第一次出现外文名词时，要写清全称和缩写

40、，再出现同一词时能够使用缩写。五、组织机构代码是指工程责任单位组织机构代码证上的标识代码，它是由全国组织机构代码治理中心所给予的唯一法人标识代码。六、编写人员应客观、真实地填报报告材料，尊重别人知识产权，恪守国家有关知识产权法规。在工程（课题）可行性研究报告中援用别人研究成果时，必须以脚注或其他方式注明出处，援用目的应是介绍、评论与本人的研究相关的成果或说明与本人的研究相关的技术征询题。关于伪造、篡改科学数据，抄袭别人著作、论文或者剽窃别人科研成果等科研不端行为，一经查实，将记入信誉记录。七、此表可在科技部网站下载。八、此表为严重专项工程（课题）可行性研究报告的根本信息，各严重专项施行治理办公

41、室可依照本身的特点，适当增加相应的内容。一、工程（课题）根本信息工程（课题）名称工程（课题）密级估计完成时间工程（课题）活动类型预期成果类型工程（课题）责任单位信息单位名称单位性质通讯地址邮政编码所在地区单位主管部门联络组织机构代码号码单位成立时间电子信箱工程（课题）组长信息姓名性别出生日期职称最高学位从事专业固定挪动号码电子信箱证件类型证件号码结合单位信息单位名称单位性质组织机构代码工程（课题）经费来源（万元）总经费申请专项赞助其它国家级赞助(包括部门匹配)地点政府匹配银行贷款自有资金其它资金经费备注 工程（课题）简介（简要说明工程（课题）立项的必要性、工程（课题）目的、技术方案、筹资方案、

42、组织方式、相关根底条件等）二、工程（课题）立项的必要性分析2.1工程（课题）与专项、工程目的和任务的相关性（说明工程（课题）任务在完成专项、工程目的和任务中的作用）2.2工程（课题）与示范工程，以及其他工程（课题）的关系2.3 工程（课题）预期处理的严重征询题三、工程（课题）目的和任务3.1 工程（课题）总体目的，考核指标（技术和经济效益，示范基地、中试线、试验平台和基地、消费线及其形式等相关产业化指标）3.2 工程（课题）年度任务和考核指标年度年度任务年度考核指标重要任务的时间节点年年年年年273.3 结合单位任务分工情况任务名称结合单位任务负责人目的研究内容考核指标重要任务的时间节点建议专

43、项经费（万元）注：可依照内容自行调整四、工程（课题）技术方案4.1工程（课题）技术道路及其先进性和可行性分析（含技术引进消化吸收方案）（说明其主要技术创新点）4.2知识产权和技术标准分析及对策（含国际竞争力分析）4.3预期产品的市场分析或技术成果应用分析五、根底条件和优势5.1工程（课题）责任和结合单位、团队的根本情况（包括实力和根底，以往的业绩和成就，承担相关工程（课题）情况）5.2 工程（课题）责任及结合单位与国内外同类机构的优势比拟分析（完成工程（课题）预期目的的技术、人才、机制、设备设备优势等）5.3工程（课题）的主要人员情况所在单位工程（课题）中职务及分担的任务累计为本工程（课题）工作时间（人月）专 业职务