焦作碳化硅器件项目建议书范文.docx
《焦作碳化硅器件项目建议书范文.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《焦作碳化硅器件项目建议书范文.docx(138页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书焦作碳化硅器件项目焦作碳化硅器件项目建议书建议书xxxxxx(集团)有限公司(集团)有限公司泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书目录目录第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析.8一、衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高.8二、OBC:SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低.10三、直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC 将加速替代.11第二章第二章 项目概况项目概况.13一、项目名称及建设性质.13二、项目承办单位.13三、项目定位及建设理由.14四、报告编制说明.16五、项目建设选址.18六、项目生产规模.18七、建筑物建设规模.18八、环境
2、影响.19九、项目总投资及资金构成.19十、资金筹措方案.19十一、项目预期经济效益规划目标.20十二、项目建设进度规划.20主要经济指标一览表.21第三章第三章 项目背景及必要性项目背景及必要性.23一、SiC 材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局.23二、射频:5G 推动 GaN-on-SiC 需求提升.23泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书三、SiC 器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待.24四、加快优化升级,构建现代产业体系.25五、注重内外双向发力,开拓改革开放新局面.28六、项目实施的必要性.30第四章第四章 产品规划与建设内容产品规划与建设内容.31一、建设规模及
3、主要建设内容.31二、产品规划方案及生产纲领.31产品规划方案一览表.31第五章第五章 项目选址项目选址.34一、项目选址原则.34二、建设区基本情况.34三、统筹城乡区域协调,构建高质量发展动力系统.41四、项目选址综合评价.43第六章第六章 运营管理模式运营管理模式.44一、公司经营宗旨.44二、公司的目标、主要职责.44三、各部门职责及权限.45四、财务会计制度.48第七章第七章 SWOT 分析说明分析说明.52一、优势分析(S).52二、劣势分析(W).54三、机会分析(O).54泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书四、威胁分析(T).55第八章第八章 环保方案分析环保方案分析.63一、
4、编制依据.63二、环境影响合理性分析.64三、建设期大气环境影响分析.64四、建设期水环境影响分析.68五、建设期固体废弃物环境影响分析.69六、建设期声环境影响分析.69七、环境管理分析.70八、结论及建议.71第九章第九章 项目规划进度项目规划进度.73一、项目进度安排.73项目实施进度计划一览表.73二、项目实施保障措施.74第十章第十章 劳动安全生产劳动安全生产.75一、编制依据.75二、防范措施.78三、预期效果评价.83第十一章第十一章 技术方案分析技术方案分析.84一、企业技术研发分析.84二、项目技术工艺分析.86三、质量管理.87泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书四、设备选型
5、方案.88主要设备购置一览表.89第十二章第十二章 原辅材料分析原辅材料分析.90一、项目建设期原辅材料供应情况.90二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.90第十三章第十三章 投资方案分析投资方案分析.92一、投资估算的依据和说明.92二、建设投资估算.93建设投资估算表.97三、建设期利息.97建设期利息估算表.97固定资产投资估算表.99四、流动资金.99流动资金估算表.100五、项目总投资.101总投资及构成一览表.101六、资金筹措与投资计划.102项目投资计划与资金筹措一览表.102第十四章第十四章 经济效益及财务分析经济效益及财务分析.104一、经济评价财务测算.104营业收入、
6、税金及附加和增值税估算表.104综合总成本费用估算表.105泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书固定资产折旧费估算表.106无形资产和其他资产摊销估算表.107利润及利润分配表.109二、项目盈利能力分析.109项目投资现金流量表.111三、偿债能力分析.112借款还本付息计划表.113第十五章第十五章 风险风险及应对措施风险风险及应对措施.115一、项目风险分析.115二、项目风险对策.118第十六章第十六章 招标、投标招标、投标.120一、项目招标依据.120二、项目招标范围.120三、招标要求.121四、招标组织方式.123五、招标信息发布.123第十七章第十七章 总结评价说明总结评价说明
7、.125第十八章第十八章 附表附录附表附录.127建设投资估算表.127建设期利息估算表.127固定资产投资估算表.128流动资金估算表.129泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书总投资及构成一览表.130项目投资计划与资金筹措一览表.131营业收入、税金及附加和增值税估算表.132综合总成本费用估算表.133固定资产折旧费估算表.134无形资产和其他资产摊销估算表.135利润及利润分配表.135项目投资现金流量表.136泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析一、衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应
8、用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021 年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经 GaN 外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率 1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经 SiC 外延生长可进一步制成 SiC 二极管、SiCMOSFET 等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在 PVT 法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率
9、易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产 4 英寸和 6 英寸碳化硅衬泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如 II-VI 可
10、将 4-6 寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2 以下,国内厂商的产品微管密度基本在 0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类不断丰富,产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超 240 亿元、规划年产能超 420 万片。中国企
11、业呈现小而散的局面,综合 Yole等第三方机构数据,2020 年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为 8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至 21 年底国内厂商对衬底环节的投资超过 240 亿元,规划产能超过 420 万片/年(等效 6 寸),对比 CASA 的泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书数据,2020 年底国内衬底产能仅为 25.8 万片/年(等效 6 寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以 4 寸衬底为主。虽
12、然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影响,实际产能或严重不足。二、OBC:SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC 典型电路结构由前级 PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET 等)是 OBC 中主要应用的功率器件,采用 SiC 替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC 中采用 SiC 二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC 的前级PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入
13、电容(QC)和开通关断速度等。相比于硅基 SBD,SiCSBD的最大优势在于 IR 可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在 PFC 电路使用 SiCSBD 可有效提升 PFC 电路效率。同时,QC、VF 两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用 SiCSBD 可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于 SiC 材料的优势,SiC 二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书二极管更有优势。此外,SiC 二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。全 SiCMOSFET 方案降低 OBC 系统尺寸、重量和成本,
14、同时提高运行效率。根据 Wolfspeed 的研究,采用全 SiCMOSFET 方案的 22kW 双向OBC,可较 Si 方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少 30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC 系统在 3kW/L 的功率密度下可实现 97%的峰值系统效率,而 SiOBC 仅可在2kW/L 的功率密度下实现 95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC 器件的性能可减少 DC/DC 模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个 Si 基二极管和功率晶体管,SiC 基功率器件的成本更高,但整体全 SiC 方案的 OBC 成本可节约 15%左右
15、。三、直流充电桩:大功率充电占比提升,直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC 将加速替代将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC 协力实现高效快充。政策方面,2020 年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020 年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个 150kW 的直流充电器可以在大约 15 分钟内为电动汽车增加 200 公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole 预计 2020-2025 年,全球 200kW泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议
16、书及以上的大功率直流充电桩数量将以超过 30%的 CAGR 增长,高于平均的 15.6%。SiC 器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中 AD-DCPFC、DC-DC 以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET 可简化直流充电桩 AC/DC 及 DC/DC 电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在 DC/DC 中,使用 4 颗1200VSiCMOSFET 替代 8 颗 650V 硅基 MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥 LLC 电路简化为单相全桥 LLC 电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体
17、效率。同样在 AC/DC 中,使用 SiCMOSFET 可将三相Vienna 整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少 50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET 的整体损耗也更小。综上,SiC 方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC 二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz 下,采用 SiC 二极管替代 Si 二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多 80%输出功率的提升。泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书第二章第二章 项目概况项目概况一、项目名称及建设性质项目名称及建设性质(一)项目名称(一)项目
18、名称焦作碳化硅器件项目(二)项目建设性质(二)项目建设性质本项目属于技术改造项目二、项目承办单位项目承办单位(一)项目承办单位名称(一)项目承办单位名称xxx(集团)有限公司(二)项目联系人(二)项目联系人陆 xx(三)项目建设单位概况(三)项目建设单位概况面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书公司依据公司法等法律法规、
19、规范性文件及公司章程的有关规定,制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则,董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实守信,节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有
20、机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。三、项目定位及建设理由项目定位及建设理由泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书SiCMOSFET 可简化直流充电桩 AC/DC 及 DC/DC 电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在 DC/DC 中,使用 4 颗1200VSiCMOSFET 替代 8 颗 650V 硅基 MOSFET,在同样功率下,可将原来
21、的两相全桥 LLC 电路简化为单相全桥 LLC 电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在 AC/DC 中,使用 SiCMOSFET 可将三相Vienna 整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少 50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET 的整体损耗也更小。综上,SiC 方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。展望二三五年,焦作市将围绕在中原更加出彩中出重彩更精彩,坚持“两个高质量”,基本建成“六个焦作”。在以党建高质量推动发展高质量上,思想政治统领更加有力,党的全面领导落实到各领域各方面的高效执行体系全面形成,学的氛围、严的氛围、干的氛
22、围更加浓厚。在富裕焦作建设上,经济总量和居民人均可支配收入迈上新台阶,城乡区域发展差距显著缩小,全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展,基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化,建成现代化经济体系。在创新焦作建设上,创新创业蓬勃发展,科技进步对经济增长的贡献率大幅提升,建成人才强市,创新型城市建设进入全省先进行列。在绿色焦作建设上,生态环境根本好泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书转,生产空间安全高效,生活空间舒适宜居,生态空间山清水秀,黄河流域生态保护和高质量发展引领示范作用进一步提升,基本实现人与自然和谐共生的现代化。在开放焦作建设上,融入共建“一带一路”水平大幅提升,参与国际经济合
23、作和竞争新优势明显增强,营商环境保持全省先进,黄河文化特别是太极文化传播力和影响力更加广泛深远,形成对外开放新格局。在健康焦作建设上,现代化公共卫生防控体系和医疗卫生服务体系建成,人人享有更高质量健康环境和更高水平健康保障,康养产业加快发展,全面健康素养水平大幅提升,健康生活行为全面普及,居民主要健康指标优于全省平均水平。在平安焦作建设上,地方性法规更加完善,执法司法公信力显著增强,治理体系和治理能力现代化基本实现,人民平等参与、平等发展权利得到充分保障,全社会尊法学法守法用法氛围更加浓厚,共建共治共享的社会治理格局基本形成,法治焦作基本建成,政治安全、社会安定、人民安宁、网络安靖全面实现。四
24、、报告编制说明报告编制说明(一)报告编制依据(一)报告编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)报告编制原则(二)报告编制原则1、坚持科学发展观,采用科学规划,合理布局,一次设计,分期实施的建设原则
25、。2、根据行业未来发展趋势,合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则,根据行业的现有格局和未来发展方向,优化设备选型和工艺方案,使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则,产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金,将先进性与实用性有机结合,做到投入少、产出多,效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则,对项目可能产生的污染源进行综合治理,使其达到国家规定的排放标准。泓域咨询/焦作碳化硅器件项目建议书(二)(二)报告主要内容报告主要内容1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 焦作 碳化硅 器件 项目 建议书 范文
限制150内