模拟电子技术 第1章 半导体器件.ppt

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1、(1-1)模拟电子技术模拟电子技术(1-2)绪 论一、电子技术的内容一、电子技术的内容电子技术电子技术电子元器件电子元器件二极管、三极管二极管、三极管集成电路集成电路 电子电路及其应用电子电路及其应用放大放大滤波滤波电源电源 电子技术电子技术自动控制技术自动控制技术计算机技术计算机技术家用电器家用电器(1-3)二、本课程的性质、任务和重点内容二、本课程的性质、任务和重点内容性质：技术基础课性质：技术基础课基本电子电路的原理、分析方法、典型应用基本电子电路的原理、分析方法、典型应用任务：获得电子技术方面的基本理论、任务：获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能。基本知识和基本技能。重点内容

2、：重点内容：常用电子元器件的外特性及应用常用电子元器件的外特性及应用电子技术电子技术模拟电子技术（本课程）模拟电子技术（本课程）数字电子技术数字电子技术(1-4)三、本课程的特点和学习方法三、本课程的特点和学习方法技术基础课，比基础理论课更接近工程实际。技术基础课，比基础理论课更接近工程实际。采用工程观点采用工程观点实践性强，要重视实验课。实践性强，要重视实验课。学习方法：学习方法：注重物理概念注重物理概念重视实验重视实验(1-5)第1章 半导体器件(1-6)1.1 半导体基础知识半导体基础知识1.2 PN结及半导体二极管结及半导体二极管1.3 半导体三极管半导体三极管1.4 光电器件光电器件

3、第一章第一章 半导体器件半导体器件(1-7)导体、绝缘体和半导体导体、绝缘体和半导体导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属一般都是导体。一般都是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡皮，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。、陶瓷、塑料和石英。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓和，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。一些硫化物、氧化物等。1.1半导体基础知识半导体基础知识(1-8)半导体半导体的导

4、电机理不同于其它物质，所以它具有的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：不同于其它物质的特点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导电能当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。它的导电能力明显改变。(1-9)1.1.1本征半导体本征半导体本征半导体的结构特点本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电

5、子（价电子）都是四个。的最外层电子（价电子）都是四个。(1-10)本征半导体：本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成邻的原子之间形成共价键共价键，共用一对价电子。，共用一对价电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体结构：体结构：(1-11)硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+

6、4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子(1-12)共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自自由电子由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。则排列，形成晶体

7、。+4+4+4+4(1-13)本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度度（T=0K）和没有外界激发时和没有外界激发时,价价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即以运动的带电粒子（即载流子载流子），它的导电能力），它的导电能力为为 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电自由电子子，同时共价键上留下一个空位，称为，同时共价键上留下一个空位，称为空穴空穴。(1).(1).载流

8、子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴(1-14)+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子(1-15)(2).本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，空在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴动，因此可以认为空穴是载流子。是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子自由电子和和空穴空穴。(1-16)温度越高，载流子的浓度越高。因此本

9、征半温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。(1-17)1.1.2 杂质杂质（掺杂）半导体（掺杂）半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能

10、发生显著变化。其原因是掺使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。(1-18)N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有

11、五个价电子，杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为子给出一个电子，称为施主原子施主原子。(1-19)+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子N 型半导体中型半导体中的多数载流子的多数载流子是什么？是什么？1 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。、由施主原子提

12、供的电子，浓度与施主原子相同。2 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。、本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流多数载流子子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。(1-20)P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻

13、的取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为原子接受电子，所以称为受主原子受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。(1-21)杂质半导体的示意表示法杂质半导体的示意表示法P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体杂质杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但型半导体多子和

14、少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近。近似认为多子与杂质浓度相等。似认为多子与杂质浓度相等。(1-22)1.2.1 PN结的形成结的形成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导型半导体和体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了交界面处就形成了PN 结。结。1.2 PN结及半导体二极管结及半导体二极管(1-23)P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区逐渐

15、加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。荷区越宽。内电场越强，就使漂移内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。间电荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。(1-24)漂移运动漂移运动P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。(1-25)+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位UU0(1-26)1 1、空间电荷

16、区中没有载流子。、空间电荷区中没有载流子。2 2、空间电荷区中内电场阻碍、空间电荷区中内电场阻碍P P区区中的空穴、中的空穴、N区区中的电子（中的电子（都是多子都是多子）向对方运动（）向对方运动（扩散扩散运动运动）。）。3 3、P 区中的电子和区中的电子和 N区中的空穴（区中的空穴（都是少子都是少子），），数量有限，因此由它们形成的电流很小。数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意注意:(1-27)1.2.2 PN结的单向导电性结的单向导电性 PN 结结加上正向电压加上正向电压、正向偏置正向偏置的意思都是的意思都是：P 区区加正、加正、N 区加负电压。区加负电压。PN 结结加上反向电压加上反向

17、电压、反向偏置反向偏置的意思都是：的意思都是：P区区加负、加负、N 区加正电压。区加正电压。(1-28)+RU1.1.PN 结正向偏置结正向偏置内电场内电场外电场外电场变薄变薄PN+_内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成的扩散加强能够形成较大的扩散电流。较大的扩散电流。(1-29)2.2.PN 结反向偏置结反向偏置+内电场内电场外电场外电场变宽变宽NP+_内电场被加强，多子的内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电只能形成较小的反向电流。流。RU(1-30)PN PN 结的击穿结的击穿齐纳击穿

18、：齐纳击穿：在电场作用下，直接将载流子从半导体材料的在电场作用下，直接将载流子从半导体材料的原子中拉出来，使载流子剧增。原子中拉出来，使载流子剧增。雪崩击穿雪崩击穿：载流子在强电场下高速运动，具有很大动能，在载流子在强电场下高速运动，具有很大动能，在与硅（或锗）原子碰撞时，将载流子打出来，新的载流子在与硅（或锗）原子碰撞时，将载流子打出来，新的载流子在强电场下高速运动，与硅（或锗）原子碰撞，仍会打出新的强电场下高速运动，与硅（或锗）原子碰撞，仍会打出新的载流子，这样一变二，二变四载流子，这样一变二，二变四，载流子剧增。，载流子剧增。PN结的反向电压加到某一数值时，反向电流急剧结的反向电压加到某

19、一数值时，反向电流急剧增加，这种现象称为击穿。增加，这种现象称为击穿。(1-31)1.2.3 PN结的电容效应结的电容效应二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容势垒电容Cb和和扩散电容扩散电容Cd。势垒电容：势垒电容：势垒区（阻挡层）是积累空间电荷的区域，当势垒区（阻挡层）是积累空间电荷的区域，当外加电压变化时，引起阻挡层厚度变化，从而引起阻挡层外加电压变化时，引起阻挡层厚度变化，从而引起阻挡层内电荷的变化，这样所表现出的电容是内电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容势垒电容Cb。扩散电容：扩散电容：当外加电压变化，载当外加电压变化，

20、载流子扩散也变化，从而引起阻挡流子扩散也变化，从而引起阻挡层外层外电荷变化。电荷变化。这样所产生的电这样所产生的电容就是扩散电容容就是扩散电容Cd。P+-NPNPN结正偏时主要考虑结正偏时主要考虑扩散电容扩散电容Cd ，PNPN结反偏时主要考虑结反偏时主要考虑势垒电容势垒电容Cb。(1-32)Cb在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电势垒电容和扩散电容的综合效应容的综合效应rd(1-33)1.1.半导体

21、二极管的结构和符号半导体二极管的结构和符号PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线引线外壳外壳触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号：二极管的电路符号：1.2.4 半导体二极管半导体二极管(Semiconductor Diode)(1-34)UI死区电压死区电压 硅管硅管0.6V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR2.2.半导体二极管的半导体二极管的伏安特性伏安特性(1-35)温度上升温度上升,二极管的死区缩小二极管的死区缩小,

22、死区死区电压电压 和正向压降将降低。和正向压降将降低。3.3.温度对半导体二极管特性的影响温度对半导体二极管特性的影响二极管的反向电流由少子漂移形成二极管的反向电流由少子漂移形成,少子浓度少子浓度又受温度影响又受温度影响,温度上升温度上升,二极管的反向饱和电二极管的反向饱和电流将增加。流将增加。(1-36)1).最大整流电流最大整流电流 IF二极管工作于整流电路中，长期运行所允许二极管工作于整流电路中，长期运行所允许流过的电流平均值。流过的电流平均值。2).最大最大反向工作电压反向工作电压UR二极管允许的最大工作电压，反向电压超过二极管允许的最大工作电压，反向电压超过此值时。二极管可能击穿。通

23、常击穿电压的此值时。二极管可能击穿。通常击穿电压的一半作为一半作为UR 。4.4.半导体二极管的半导体二极管的主要电参数主要电参数(1-37)3).反向电流反向电流 IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极

24、管的应用是以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。保护等等。下面介绍两个交流参数。(1-38)4).交流电阻交流电阻 rDiDuDIDUDQ iD uDrD 是二极管特性曲线上工是二极管特性曲线上工作点作点Q 附近电压的变化与附近电压的变化与电流的变化之比：电流的变化之比：显然，显然，rD是对是对Q附近的微小附近的微小变化区域内的电阻。变化区域内的电阻。5).最高工作频率最高工作频率 fM二极管的结电容越大，二极管的结电容越大，fM越低。越低。(1-39)二极管特性二极管

25、特性小结：小结：1.1.二极管具有单向导电性二极管具有单向导电性2.2.二极管的反向击穿特性二极管的反向击穿特性3.3.二极管的极间电容效应二极管的极间电容效应(1-40)二极管的应用，主要是利用其单向导电性。二极管的应用，主要是利用其单向导电性。分析二极管的应用电路，关键是判断二极管的分析二极管的应用电路，关键是判断二极管的导通或截止。导通或截止。1.2.5 半导体二极管的应用半导体二极管的应用(1-41)+-5VRuiuoDui=10sint V解解:D导通时导通时uo=ui D 截止时截止时uo=5Vuit10V5Vui正半周正半周,ui5V,D截止截止ui负负半周半周D导导通通.例例1

26、二极管的应用二极管的应用1：二极管的限幅作用二极管的限幅作用:上限幅上限幅uot5V(1-42)ui=10sint v解解:D导通时导通时uo=ui D 截止时截止时uo=5Vui正半周正半周,ui5V D导导通通ui1V D1导导通通ui负负半周，半周，uiIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。(1-63)IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE 0.3V(3)截止区：截止区：UBE 死区电压，死区电压，IB=0，IC=ICEO 0(1-65)例：例：=50，UCC=1

27、2V，RB=70k，RC=6k 当当UBB=-2V，2V，5V时，时，晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位于哪个区？于哪个区？当当UBB=-2V时：时：ICUCEIBUCCRBUBBCBERCUBEIB=0，IC=0ICmax最大饱和电流：最大饱和电流：Q位于截止区位于截止区(1-66)例：例：=50，UCC=12V，RB=70k，RC=6k 当当UBB=-2V，2V，5V时，时，晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位于哪个区？于哪个区？IC Icmax(=2 mA)，Q位于饱和区。位于饱和区。(实际上，此时实际上，此时IC和和IB 已不是已不是 倍的关系）倍的关系）(1-68)1.

28、3.5 三极管的主要参数三极管的主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。集接法。共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为直流上的交流信号。基极电流的变化量为 IB，相应的集电极电流变化为相应的集电极电流变化为 IC，则则交流电流交流电流放大倍数放大倍数为：为：1.电流放大倍数电流放大倍数 和和 (1-69)例：例：UCE=6V时时：IB=40 A,

29、IC=1.5 mA；IB=60 A,IC=2.3 mA。在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：=(1-70)2.极间反向电流极间反向电流 AICBOICBO是集是集电结反偏电结反偏由少子的由少子的漂移形成漂移形成的反向电的反向电流，受温流，受温度的变化度的变化影响。影响。(1).集集-基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBO(1-71)BECNNPICBOICEO=IBE+ICBO IBE IBEICBO进入进入N区，形成区，形成IBE。根据放大关系，根据放大关系，由于由于IBE的存的存在，必有电流在，必有电流 IBE。集电结反集电结反偏有偏有ICBO(2).集集-射

30、极穿透电流射极穿透电流ICEOICEO受温度影响受温度影响很大，当温度上很大，当温度上升时，升时，ICEO增加增加很快，所以很快，所以IC也也相应增加。相应增加。三极三极管的温度特性较管的温度特性较差差。(1-72)3.极限参数极限参数集电极电流集电极电流IC上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值的值下降到正常值的1/31/3至至2/32/3时的集电极电流即为时的集电极电流即为ICM。(1).集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM(1-73)(2).集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM 集电极电流集电极电流IC 流过三极管，流过三极管，所发出的

31、焦耳所发出的焦耳 热为：热为：PC=ICUCE 必定导致结温必定导致结温 上升，所以上升，所以PC 有限制。有限制。PC PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区(1-74)4.反向击穿电压反向击穿电压集集-基极反向击穿电压基极反向击穿电压BUCBO(发射极开路时发射极开路时)集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压BUCER(基射极间接有电基射极间接有电阻阻R时时)集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压BUCEO(基极开路时基极开路时)集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压BUCES(基射极短路时基射极短路时)发发-基极反向击穿电压基极反向击穿电压BUEBO

32、(集电极开路时集电极开路时)(1-75)1.3.6 温度对三极管参数的影响温度对三极管参数的影响1.温度对温度对UBE的影响的影响3.温度对温度对 的影响的影响T上升，上升，UBE下降下降2.温度对温度对ICBO的影响的影响T每上升每上升10C，ICBO增大一倍增大一倍T每上升每上升1C，增大增大0.51(1-76)1.发光二极管发光二极管有正向电流流过时，发出有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。一般二极管类似。1.4 光电器件光电器件(1-77)2

33、.光电二极管光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加照度增加+_(1-78)3.光电耦合器件光电耦合器件输入端加电信号，发光二极管的光随信号变化，输入端加电信号，发光二极管的光随信号变化，照在输出端光电二极管上产生与输入变化一致照在输出端光电二极管上产生与输入变化一致的电信号（电隔离）。的电信号（电隔离）。输输入入输输出出(1-79)1 1、当、当P PN结外加反向电压时，扩散电流（结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流漂移电流。2 2、外加正向电压时，外加正向电压时，PN结的结的空间电荷空间电荷区区（），），外加反向电压时，外加反向电压时，PN结

34、的结的空间电荷空间电荷区区（）。）。3 3、在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（、在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），少数载流子的浓度取决于（），少数载流子的浓度取决于（），），第一章复习第一章复习4 4、三极管处于饱和状态时，发射结和集电结的偏、三极管处于饱和状态时，发射结和集电结的偏置情况是（置情况是（）。）。(1-80)5 5、下图电路中，稳压管、下图电路中，稳压管DZ1、DZ2的反向击穿电压的反向击穿电压分别为分别为6V和和7V，正向导通电压均为，正向导通电压均为0.6V。则。则UO为（为（）。）。UODZ11k UI=20VDZ2+-+-1k(1-81)第一章作业第一章作业:1-9,1-11,1-15,1-17