等离子体产生技术.ppt
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1、等离子体产生技术1 等离子体的生成方法直流放电交流放电直流辉光放电直流辉光放电空心阴阴放电空心阴阴放电直流脉冲放电直流脉冲放电电弧放电电弧放电磁控管放电磁控管放电电容耦合放电电容耦合放电感应耦合放电感应耦合放电介质阻挡放电介质阻挡放电微波放电微波放电表面波放电表面波放电本讲安排等离子体的生成方法交流放电 电容耦合放电电容耦合放电感应耦合放电感应耦合放电 为什么选择交流放电?直流放电存在的问题电极材料损伤存在电弧放电等离子体密度不易调节工业等离子体应用时等离子体的参数要求温度低密度高覆盖面大为什么选择交流放电?高频放电或微波放电方法的优点可保持较低的等离子体电极间电位差有利于提高功率,并提高电子
2、的能量吸收效率使低气压下产生高密度等离子体成为可能常见的低温等离子体放电装置常见的低温等离子体放电装置 静电耦合主要利用静电场成份来加速电子,又称电容耦合放电 感应耦合利用感应电场成份,无外加磁场时产生感应耦合放电,有外加磁场时螺旋波放电 电磁波耦合利用电磁波成份为等离子体提供能量,无外加磁场时耦合方式为表面波放电,有外加磁场时可以产生电子回旋共振(ECR)放电几个相关的概念低频 10000Hz射频 300kHz(30kHz长波300kHz)阻抗在给定线路参数的无限长传输线路上,行波的电压与电流的比值阻抗匹配 输出、输入阻抗的共轭匹配 输出阻抗:Ro=X+jY 输入阻抗:RI=X-jY 即要求
3、输出、输入阻抗互为共轭复数RoRI电容耦合等离子体(Capacitively coupled plasma,CCP)CB:直流隔离电容,M.B.(Matching Box):匹配器典型参数:压强101000Pa,电极间距15cm,高频功率20200W,高频频率13.56MHz自给偏压(Self-bias)由于A电极接地,其有效面积大于K电极,形成非对称放电 在只有交流电压的K电极上会自动生成负直流电压VDC(即自给偏压)CB的存在,保证了VDC不为零,VDC0 VK(t)=VDC+VRFsint 实质上是鞘层起到类似二级管的整流作用 离子响应慢,受平均电位分布作用,在自给偏压作用下撞击K电极外
4、加高频电场对电子的加速作用,电子吸收高频功率有三种机制:等离子体区域的焦耳加热(放电,有碰撞)鞘层内二次电子逸出后被加速(放电,无碰撞)由于鞘层振荡产生的统计加热(费米加速)高频放电的功率输入机理鞘层厚度由高频电压所决定,若鞘层厚度由高频电压所决定,若Vrf 一定而改变频一定而改变频率率f,则鞘层边界的移动速度跟,则鞘层边界的移动速度跟f成正比。因此统计成正比。因此统计加热的功率正比于频率的平方,所以在加热的功率正比于频率的平方,所以在Vrf 定的定的条件下放电频率越高,等离子体密度就越高;条件下放电频率越高,等离子体密度就越高;高频放电的优点容易产生大口径等离子体;在加有高频(RF)电压的电
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