半导体二极管及基本电路课件.ppt

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1、第一章第一章 半导体二极管及基本电路半导体二极管及基本电路模拟电子技术基础1第一章第一章 半导体二极管及基本电路半导体二极管及基本电路1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识1.2 PNPN结的形成及特性结的形成及特性1.3 二极管及伏安特性二极管及伏安特性1.5 二极管基本电路及分析方法二极管基本电路及分析方法1.6 特殊二极管特殊二极管1.4 二极管的等效模型二极管的等效模型21.1 半导体的基本知识半导体的基本知识一、本征半导体一、本征半导体无杂质无杂质稳定的结构稳定的结构本征半导体本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。是纯净的晶体结构的半导体。1 1、半导体、半导体导电物质可分为：导电物

2、质可分为：导电物质可分为：导电物质可分为：导体：金属导体：金属导体：金属导体：金属绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：1 1、半导体导电能力受环境影响很大半导体导电能力受环境影响很大半导体导电能力受环境影响很大半导体导电能力受环境影响很大（1 1 1 1）受温度：）受温度：）受温度：）受温度：当温度改变时，

3、其导电能力改变当温度改变时，其导电能力改变当温度改变时，其导电能力改变当温度改变时，其导电能力改变热敏元件热敏元件热敏元件热敏元件（2 2 2 2）受光照：）受光照：）受光照：）受光照：当光照强度改变时，其导电能力改变当光照强度改变时，其导电能力改变当光照强度改变时，其导电能力改变当光照强度改变时，其导电能力改变光敏元件光敏元件光敏元件光敏元件2 2、半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强2 2、本征半导体（纯半导体）、本征半导体（纯半导体）SiSi：1414个电子个电子个电子个电子2 2

4、）8 8）4 4GeGe：3232个电子个电子个电子个电子2 2）8 8）1818）4 44 4价元素价元素价元素价元素价电子数可决定物价电子数可决定物质化学性质质化学性质（1 1）345（2 2 2 2）晶体结构晶体结构晶体结构晶体结构晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健 Si Si Si Si Si Si Si Si自由电子自由电子空穴空穴本征激发产生成对的自由电子和空穴本征激发产生成对的自由电子和空穴本征激发产生成对的自由电子和空穴本征激发产生成对的自由

5、电子和空穴（3 3）本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 温度愈高或光照越强，晶体中产生的成温度愈高或光照越强，晶体中产生的成温度愈高或光照越强，晶体中产生的成温度愈高或光照越强，晶体中产生的成对的自由电子和空穴便愈多。对的自由电子和空穴便愈多。对的自由电子和空穴便愈多。对的自由电子和空穴便愈多。自由电子和空穴形成两种载流子自由电子和空穴形成两种载流子自由电子和空穴形成两种载流子自由电子和空穴形成两种载流子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原在外电场的作用下，空穴吸引相邻原在外电场的作用下，空穴吸引相邻原在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补

6、，而在该原子中出现一子的价电子来填补，而在该原子中出现一子的价电子来填补，而在该原子中出现一子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于正电荷的移动）。于正电荷的移动）。于正电荷的移动）。6注意：注意：注意：注意：(1)(1)(1)(1)本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；(2)(2)(2)(2)温度愈高，温

7、度愈高，温度愈高，温度愈高，载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。半导体的导电性能也就愈好。半导体的导电性能也就愈好。半导体的导电性能也就愈好。所以，所以，所以，所以，温度对半导体器件性能影响很大。温度对半导体器件性能影响很大。温度对半导体器件性能影响很大。温度对半导体器件性能影响很大。二、二、二、二、N N型半导体和型半导体和型半导体和型半导体和 P P 型半导体（杂质半导体）型半导体（杂质半导体）型半导体（杂质半导体）型半导体（杂质半导体）多余多余电子电子磷原子磷原子在本征半导体中掺入微量的在本征半导体中掺入微量的在本征半导体中掺入微量

8、的在本征半导体中掺入微量的5 5价元素价元素价元素价元素 ，形成，形成，形成，形成N N型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。Si Si Si Sip+在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子1 1、N N型半导体型半导体型半导体型半导体多数载流子：自由电子多数载流子：自由电子多数载流子：自由电子多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴少数载流子：空穴少数载流子：空穴少数载流子：空穴 动画动画72 2、P P 型半导体型半导体型半导体型半导体 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴 注意：无论注意：无论注意：无论注意：无论N N型或型或型或型或P P型半导体都是中性的（其正负电荷

9、型半导体都是中性的（其正负电荷型半导体都是中性的（其正负电荷型半导体都是中性的（其正负电荷数相等），对外不显电性、不带电。数相等），对外不显电性、不带电。数相等），对外不显电性、不带电。数相等），对外不显电性、不带电。在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入微量微量微量微量的的的的3 3价元素价元素价元素价元素 ，形成，形成，形成，形成P P型半导体型半导体型半导体型半导体。多数载流子：空穴多数载流子：空穴多数载流子：空穴多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子少数载流子：自由电子少数载流子：自由电子少数载流子：自由电子 动画动画 杂质半导体主要靠多数载流子导电。

10、掺入杂质越多，杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。8 1.1.在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与 （a.a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。2.2.在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与 （a.a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。3.3.当温

11、度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量 （a.a.减少、减少、减少、减少、b.b.不变、不变、不变、不变、c.c.增多）。增多）。增多）。增多）。a ab bc c 4.4.在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，P P 型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流主要是主要是主要是主要是 ，N N 型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是 。（a.a.电子电流、电子电流、电子电流、电子电流、b.b.空穴电流）空穴电流）空穴电流）空穴

12、电流）b ba a91.2 PN1.2 PN1.2 PN1.2 PN结及单向导电性结及单向导电性结及单向导电性结及单向导电性一、一、一、一、PNPNPNPN结的形成结的形成结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体扩散的结果使空间扩散的结果使空间扩散的结果使空间扩散的结果使空间电荷区变宽电荷区变宽电荷区变宽电荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称空间电荷区也称空间电荷区也称 PN PN PN PN 结结结结+形成空间电荷区形成空间电荷区形成空间电荷区形成空间电荷

13、区1 1 1 1、扩散运动、扩散运动、扩散运动、扩散运动 由于浓度不同，多子由于浓度不同，多子由于浓度不同，多子由于浓度不同，多子运动，形成内电场，阻运动，形成内电场，阻运动，形成内电场，阻运动，形成内电场，阻碍了多子继续扩散。碍了多子继续扩散。碍了多子继续扩散。碍了多子继续扩散。2 2 2 2、漂移运动、漂移运动、漂移运动、漂移运动 少子在内电场的作用少子在内电场的作用少子在内电场的作用少子在内电场的作用下形成漂移运动。下形成漂移运动。下形成漂移运动。下形成漂移运动。动画动画又称为又称为耗尽层耗尽层10二、二、二、二、PNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性 1 1、

14、PN PN 结加正向电压结加正向电压结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场I 外电场克服内电场，使多子不断扩散，形成较大的扩散电流，外电场克服内电场，使多子不断扩散，形成较大的扩散电流，外电场克服内电场，使多子不断扩散，形成较大的扩散电流，外电场克服内电场，使多子不断扩散，形成较大的扩散电流，此时此时此时此时PNPN结呈现低阻，处于导通状态结呈现低阻，处于导通状态结呈现低阻，处于导通状态结呈现低阻，处于导通状态内电场内电场PN+动画动画+PN PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正

15、向电压时，PNPN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PNPN结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。112 2、PN PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 内电场内电场内电场内电场P PN N+动画动画+PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽IS 外电场加强内电场，使多子不能扩散，少子的漂移加外电场加强内电场，使多子不能扩

16、散，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。PN PN 结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPN结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，PNPN结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。12PN结的反向击穿结的反向击穿 当当PN结的反向电压增加结的反向电压增加到一定数值时，反向电流到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称突然快速增加，此现象称为为PN结的结的反向击穿反向击穿。热击

17、穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿可逆可逆 电击穿电击穿PN结的电流方程结的电流方程常温下的电压当量常温下的电压当量UT：IS：PN结反向饱和电流结反向饱和电流133 3、PNPN结的电容效应结的电容效应1.1.势垒电容势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容等效电容称为势垒电容CB。2.扩散电容扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子

18、的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容过程，其等效电容称为扩散电容CD。结电容：结电容：结电容不是常量！若结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！度，则失去单向导电性！141.3 半导体二极管及伏安特性半导体二极管及伏安特性一、基本结构、符号一、基本结构、符号一、基本结构、符号一、基本结构、符号金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳(a )点接触型点接触型二极管就是一个二极管就是一个二极管就是一个二极管就是一个PNPNPNPN结。

19、结。结。结。1 1、结构：、结构：、结构：、结构：P P区为正（阳）极，区为正（阳）极，区为正（阳）极，区为正（阳）极，N N区为负（阴）极区为负（阴）极区为负（阴）极区为负（阴）极铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线(b )面接触型面接触型阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅(c)平面型平面型阴极阴极阳极阳极D2 2 2 2、符号：、符号：、符号：、符号：将将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。结封装，引出两个电极，就构成了二极管。15二极管的种类二极管的种类小功率小功率二极管二极管大

20、功率大功率二极管二极管稳压稳压二极管二极管发光发光二极管二极管16晶体二极管的单向导电性晶体二极管的单向导电性 利用二极管的这个特性，可使用二极管进行检波和整流。利用二极管的这个特性，可使用二极管进行检波和整流。单向导电性：单向导电性：17二、伏安特性二、伏安特性二、伏安特性二、伏安特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性二极管的电流与其端电压的关系称为二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性伏安特性。材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几十几十A开启开启电压电压反向饱和反向饱和电流

21、电流击穿击穿电压电压温度的温度的电压当量电压当量18 从二极管的伏安特性可以反映出：从二极管的伏安特性可以反映出：2.伏安特性受温度影响伏安特性受温度影响 T()在电流不变情况下管压降在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流反向饱和电流 IS，U(BR)正向特性为正向特性为指数曲线指数曲线反向特性为横轴的平行线反向特性为横轴的平行线 T()正向特性左移，反向特性下移正向特性左移，反向特性下移.1.1.单向导电性单向导电性19三、二极管的主要参数三、二极管的主要参数最大整流电流最大整流电流：最大正向平均电流：最大正向平均电流反向击穿电压反向击穿电压:反向最大瞬时电压反向最大瞬时电压反向电流反向电流

22、:未击穿时的反向电流未击穿时的反向电流极间电容极间电容:扩散电容和势垒电容之和扩散电容和势垒电容之和最大工作频率最大工作频率：使二极管保持单向导电性能的最高频率：使二极管保持单向导电性能的最高频率201.4 二极管二极管的等效模型的等效模型将二极管的伏安特性折线化，以简化分析计算。将二极管的伏安特性折线化，以简化分析计算。理想理想模型模型导通时导通时 UD0截止时截止时IS0导通时导通时UDUon截止时截止时IS0折线折线模型模型应根据不同情况选择不同的等效电路！应根据不同情况选择不同的等效电路！恒压降恒压降模型模型导通时导通时UDUon+IDrD截止时截止时IS0一、二极管直流等效电路一、二

23、极管直流等效电路最接近实最接近实际模型际模型21二极管在直流（二极管在直流（静态静态）基础上叠加一个交流（）基础上叠加一个交流（动态动态）信号作用时，可将二极管等效为一个电阻，这个电阻称为信号作用时，可将二极管等效为一个电阻，这个电阻称为动态电阻，也就是二极管的动态电阻，也就是二极管的微变等效电路微变等效电路。二、二极管小信号等效电路二、二极管小信号等效电路也称也称微变等效电路。微变等效电路。Q越高，越高，rd越小。越小。ui=0，时直流电源作用，时直流电源作用小信号作用小信号作用静态电流静态电流静态工作点静态工作点微变等效电路用于二极管电路的交流分析。微变等效电路用于二极管电路的交流分析。交

24、流信号交流信号221.5 1.5 二极管基本电路及分析方法二极管基本电路及分析方法一、直流分析一、直流分析 1.1.二极管的静态工作情况分析二极管的静态工作情况分析理想模型理想模型（R=10k）（1）VDD=10V 时时定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 分析方法：分析方法：分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低将二极管断开，分析二极管两端电位的高低将二极管断开，分析二极管两端电位的高低将二极管断开，分析二极管两端电位的高低.23（R=10k）（2）VDD=10V 时时恒压降模型恒压降模型（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）折线模型

25、折线模型（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）设设（R=10k）（3）VDD=10V 时时rDUon24电路如图，求：电路如图，求：电路如图，求：电路如图，求：U UABAB 若考虑管压降，若考虑管压降，若考虑管压降，若考虑管压降，U UABAB 为为为为6.36.3（锗管）或（锗管）或（锗管）或（锗管）或6.7V6.7V（硅管）（硅管）（硅管）（硅管）取取取取 B B 点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电管，分析二极管阳极和阴极的电管，分析二极管阳极和阴极的电管，分析二极管阳极和阴极的电位。位。位。位。在这里，二极管起钳位

26、作用。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k BAUAB+分析：分析：分析：分析：V V阳阳阳阳 =6 V 6 V V V阴阴阴阴 =12 V12 VV V阳阳阳阳VV阴阴阴阴 二极管导通二极管导通二极管导通二极管导通若二极管做理想模型处理，可看作短路，若二极管做理想模型处理，可看作短路，若二极管做理想模型处理，可看作短路，若二极管做理想模型处理，可看作短路，U UABAB=6V6V二极管开关电路二极管开关电路 分析方法：分析方法：分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所将二

27、极管断开，分析二极管两端电位的高低或所将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压加电压加电压加电压U UD D的正负。的正负。的正负。的正负。若若若若 V V阳阳阳阳 VV阴阴阴阴或或或或 U UD D为正为正为正为正(正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置 )，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通 若若若若 V V阳阳阳阳 V V V1 1阳阳阳阳 D2 D2 优先导通，优先导通，优先导通，优先导通，D1D1截止。截止。截止。截止。V V2 2阳阳阳阳=0 V=0 V V V1 1阴阴阴阴 =V V2 2阴阴阴阴=12 V12 V 共阳极接法：阴极电位低的先导通。共阳极接法：阴极电

28、位低的先导通。共阳极接法：阴极电位低的先导通。共阳极接法：阴极电位低的先导通。26可看作短路可看作短路可看作短路可看作短路 u uo o=8V=8V已知：已知：已知：已知：二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出 u uo o 波形波形波形波形。8V8V例例例例3 3：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、整流、检波、限幅、钳位、开关、整流、检波、限幅、钳位、开关、整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。元件保护、温度补偿等。元件保护、温度补偿等。元件保护、温度补偿等。u ui i18V

29、18V参考点参考点参考点参考点二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为 8 V8 VD D8V8VR Ru uo ou ui i+可看作开路可看作开路可看作开路可看作开路 u uo o=u ui i 当当当当u ui i 8V 8V时：时：时：时：二极管截止二极管截止二极管截止二极管截止 当当当当u ui i8V8V时：时：时：时：二极管导通二极管导通二极管导通二极管导通27讨论讨论 判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。如何判断二极管工作状态？如何判断二极管工作状态？281.V2V、5V、10V时二极管中时二极管中的直流电

30、流各为多少？的直流电流各为多少？V 较小时应实测伏安特性，用较小时应实测伏安特性，用图解法求图解法求ID。QIDV5V时，时，V=10V时，时，uD=V-iDR 二、交流微变等效电路二、交流微变等效电路2.若输入电压的有效值为若输入电压的有效值为5mV5mV，则上述各种情况下二极管中，则上述各种情况下二极管中 的交流电流各为多少？的交流电流各为多少？29(1)V2V，ID2.6mA(2)V5V，ID 8.6mA(3)V10V，ID 50mA在伏安特性上，在伏安特性上，Q Q点越高，二极管的动态电阻越小！点越高，二极管的动态电阻越小！302.2.符号符号符号符号 3.3.伏安特性伏安特性伏安特性

31、伏安特性稳压管正常工作时加反向电压稳压管正常工作时加反向电压稳压管正常工作时加反向电压稳压管正常工作时加反向电压为使为使IZIZM，使用时必须要加限流电阻使用时必须要加限流电阻原理：原理：原理：原理：稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起性，稳压管在电路中可起稳压作用。稳压作用。1.1.结构结构结构结构 由一个由一个由一个由一个PNPN结组成的特殊二极管结组成的特殊二极管结组成的特殊二极管结组成的特殊二极管 DZ一、稳压二极管一、稳压二极管一、稳压二极管一、稳压二极管1.6 1.6 特殊

32、二极管特殊二极管进入稳压区进入稳压区的最小电流的最小电流不至于损坏的最大电流不至于损坏的最大电流316 6、主要参数、主要参数稳定电压稳定电压UZ稳定电流稳定电流IZ最大功耗最大功耗PZM IZM UZ动态电阻动态电阻rzUZ/IZ正向导通区正向导通区反向截止区反向截止区稳压工作区稳压工作区5 5、三个工作区、三个工作区4 4、等效电路：、等效电路：工程上的稳压管，由工程上的稳压管，由UZ和和PZM来选择。来选择。32例：例：在如图所示的电路中稳压管的稳定电压在如图所示的电路中稳压管的稳定电压UZ6V，最小稳定电流，最小稳定电流IZmin5mA，最大稳定电流，最大稳定电流IZmax25mA。（

33、1 1）分别计算）分别计算UI为为10V10V、15V15V、35V35V三种情况下输出电压三种情况下输出电压UO的值；的值；（2 2）若）若UI35V时负载开路，则会出现什么现象时负载开路，则会出现什么现象?为什么？为什么？解：（解：（1）当）当UI10V时时，若若UOUZ6V，则稳压则稳压管的管的电电流流为为4mA，小于其最小，小于其最小稳稳定定电电流，所以流，所以稳压稳压管未管未击击穿。故穿。故 当当UI15V时，稳压管中的电流小于最小稳定电流，稳压管时，稳压管中的电流小于最小稳定电流，稳压管仍没有击穿，所以仍没有击穿，所以当当UI35V时，稳压管中的电流：时，稳压管中的电流：大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 （2）若）若UI35V负载开路时，负载开路时，29mAIZM25mA，稳压稳压管管将因功耗将因功耗过过大而大而损损坏。坏。（2）若）若UI35V负载开路时，负载开路时，29mAIZM25mA，稳压稳压管将管将 因功耗因功耗过过大而大而损损坏。坏。33稳压管应用于双向限幅电路稳压管应用于双向限幅电路34三、其他特殊二极管三、其他特殊二极管变容二极管变容二极管肖特基二极管肖特基二极管光电二极管光电二极管发光二极管发光二极管激光二极管激光二极管35