惠州光伏靶材项目申请报告(模板).docx
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1、泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告报告说明报告说明目前国内光伏电池主要以硅片涂覆型太阳能电池为主,薄膜电池以及 HIT 占比较低,但是未来增长潜力较大。薄膜电池方面:政策鼓励叠加销率提升,我国薄膜电池预计将逐步进入加速发展阶段。我国的薄膜电池以硅基薄膜为主,碲化镉与铜铟镓硒薄膜电池占比小,但随着薄膜电池尤其是碲化镉电池效率提升叠加政策鼓励,我国薄膜电池预计将逐步进入加速发展阶段。根据谨慎财务估算,项目总投资 33276.45 万元,其中:建设投资24865.33 万元,占项目总投资的 74.72%;建设期利息 546.55 万元,占项目总投资的 1.64%;流动资金 7864.57 万元,占项
2、目总投资的23.63%。项目正常运营每年营业收入 74000.00 万元,综合总成本费用57040.18 万元,净利润 12426.29 万元,财务内部收益率 27.96%,财务净现值 18137.67 万元,全部投资回收期 5.41 年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经
3、济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录目录第一章第一章 行业发展分析行业发展分析.8一、国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲.8二、应用趋势:预计 OLED 用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔.10第二章第二章 项目建设背景、必要性项目建设背景、必要性.14一、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展.14二、供给:薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,国内光伏靶材亦多处于起步阶段.17第三章第三章 项目概况项目概况.19一、项目名称及建设性质.19二、项目承办单位.19三、项目定位及建设理由.20四、报告编制说明.22五、项目建设选址
4、.23六、项目生产规模.24泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告七、建筑物建设规模.24八、环境影响.24九、项目总投资及资金构成.24十、资金筹措方案.25十一、项目预期经济效益规划目标.25十二、项目建设进度规划.25主要经济指标一览表.26第四章第四章 产品方案与建设规划产品方案与建设规划.28一、建设规模及主要建设内容.28二、产品规划方案及生产纲领.28产品规划方案一览表.29第五章第五章 项目选址方案项目选址方案.30一、项目选址原则.30二、建设区基本情况.30三、积极融入新发展格局,培育高质量发展新动能.31四、建设现代化基础设施体系.34五、项目选址综合评价.37第六章第六章
5、法人治理法人治理.38一、股东权利及义务.38二、董事.42三、高级管理人员.48四、监事.50泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告第七章第七章 SWOT 分析说明分析说明.52一、优势分析(S).52二、劣势分析(W).53三、机会分析(O).54四、威胁分析(T).54第八章第八章 发展规划发展规划.58一、公司发展规划.58二、保障措施.64第九章第九章 劳动安全生产劳动安全生产.66一、编制依据.66二、防范措施.67三、预期效果评价.71第十章第十章 组织架构分析组织架构分析.73一、人力资源配置.73劳动定员一览表.73二、员工技能培训.73第十一章第十一章 原辅材料及成品分析原辅材
6、料及成品分析.76一、项目建设期原辅材料供应情况.76二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.76第十二章第十二章 投资估算投资估算.78一、投资估算的依据和说明.78泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告二、建设投资估算.79建设投资估算表.83三、建设期利息.83建设期利息估算表.83固定资产投资估算表.85四、流动资金.85流动资金估算表.86五、项目总投资.87总投资及构成一览表.87六、资金筹措与投资计划.88项目投资计划与资金筹措一览表.88第十三章第十三章 经济效益评价经济效益评价.90一、基本假设及基础参数选取.90二、经济评价财务测算.90营业收入、税金及附加和增值税估算表.90综
7、合总成本费用估算表.92利润及利润分配表.94三、项目盈利能力分析.95项目投资现金流量表.96四、财务生存能力分析.98五、偿债能力分析.98借款还本付息计划表.99六、经济评价结论.100泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告第十四章第十四章 招标、投标招标、投标.101一、项目招标依据.101二、项目招标范围.101三、招标要求.101四、招标组织方式.102五、招标信息发布.104第十五章第十五章 总结总结.105第十六章第十六章 附表附表.107营业收入、税金及附加和增值税估算表.107综合总成本费用估算表.107固定资产折旧费估算表.108无形资产和其他资产摊销估算表.109利润及利润
8、分配表.110项目投资现金流量表.111借款还本付息计划表.112建设投资估算表.113建设投资估算表.113建设期利息估算表.114固定资产投资估算表.115流动资金估算表.116总投资及构成一览表.117项目投资计划与资金筹措一览表.118泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告第一章第一章 行业发展分析行业发展分析一、国产替代国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020
9、 年全球靶材市场规模约 188 亿美元,我国靶材市场规模为 46 亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据 80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达 5N5 甚至 6N 以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计 25年我国半导体靶材市场规模将达到约 6.7 亿美元,21-25 年我国靶材需求增速或达 9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占 90%份额,但有
10、研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来 2-3 年我国半导体靶材将新增 10 万块以上产能。泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为 Cu、Al、Mo 和 IGZO 等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在 4N甚至 5N 以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计 25 年我国FDP 靶材市场规模将达 50 亿美元,21-25 年 CAGR 为 18.9%。此外预计OLED 用钼靶与低电阻
11、铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit 量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和 HIT 光伏电池,纯度一般在 4N 以上。随着 HIT 电池和薄膜电池的发展,预计 25 年我国市场规模将接近 38 亿美元,21-25 年CAGR 为 56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将
12、逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND 领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。二、应用趋势:预计应用趋势:预计 OLED 用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔显示面板用靶材的发展趋势是:大尺寸、低电阻
13、、高纯度、高密度化,高效率化。平板显示器对于溅射靶材的纯度和技术要求仅次于半导体,一般在 4N 甚至 5N(99.999%)以上。在溅射靶材应用领域中,半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等最为严苛。相较于半导体芯片,平板显示器对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹,但随着靶材尺寸的增大,对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。钼溅射靶材作为 OLED 显示屏中的关键核心原材料,预计未来会有较快幅度的增长,据 DSCC 测算,到 2025 年,中国大陆的 Gen6OLED 产线将消耗约 248Ton 高纯 Mo。钼靶及其合计靶材作为 OLED 阴极常用材料,通常来看是
14、OLED 屏幕使用最多的靶材原料,2019 年之前,钼溅射靶材由国外供应商独家供应,国产化率极低,钼靶原材料的瓶颈也阻泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告碍这我国 OLED 显示行业的发展。但近年来,金钼股份等国内企业已突破了钼溅射靶材行业壁垒。如 2020 年,金钼股份通过自主进行工装技术设计、改造,先后攻克了超宽幅钼靶所用钼板坯的规格设计、钼基板板型控制、大规格板坯机加工精度控制等技术难题,成功制备出宽 1800mm,长度 2300mm 的G6 代钼靶材,产品各项指标已经达到国际先进水平,成功将 G6 代钼整靶推向全球最先进的 OLED 生产线使用,如三星、京东方。且公司主要产品已经量产,并
15、具有超大(宽幅1800mm,单重超 600Kg)、超纯(Mo99.97%)、超细晶粒等特点,制备难度大,精度要求高。据悉 2019 年金钼股份钼靶材产品销售同比增长 222%,跻身成为三星全球第二大供应商。2020 年钼靶材产品销量同比增加 47%。预计随着 OLED 的快速崛起,钼靶未来将保持较高增长。参考 DSCC 数据,预计 2025 年,中国大陆的 Gen6OLED 产线大约需要消耗 46Ton 的 Al 和248Ton 高纯 Mo。其中京东方、深天马和华星大致会消耗总量的 37%、20%和 17%。此外,得益于优异的电学性能,铜靶将在显示屏生产得到广泛运用,据 DSCC 测算,中国大
16、陆 Gen10.5 工厂对高纯 Cu 的需求会从 2021 年 599 吨,逐步增加到 2025 年的 976 吨。G8.5+产线对高纯 Cu的需求将会超过 8000 吨。据悉,为满足超高清电视性能需要和未来4K、8K 产业规划,现在国内所有的 Gen10.5 代产线均已采取铜制程。泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告同时,也为了进一步增加高端 IT 产品的刷新率和分辨率,一些较小的产线也逐步开始进行 Cu 制程的改建,不少 Gen8.5 和 Gen8.5 代线也在逐渐的全部或者部分转向 Cu 制程。预计到 2025 年,所有 G8.5+的产线均会采用 Cu 制程。随着 Cu 制程的进一步推广,
17、显示面板厂对 Cu 的需求和依赖也会进一步推高。根据 DSCC 测算,中国大陆 Gen10.5 工厂对高纯 Cu 的需求将会从 2021 年 599 吨,逐步增加到 2025 年的 976 吨。若考虑到G8.5+产线,预计中国大陆 G8.5+产线每年对高纯 Cu 的需求会超过8000 吨与 Al 不同,Cu 的氧化物不能形成致密保护膜,耐腐蚀较差且扩散性较强,所以在采取 Cu 工艺时,一般会用 Mo 和 Ti 进行保护。据DSCC 测算,假设 Gen10.5 代线均以 Ti 来保护 Cu 线,则在 2025 年大致一年会消耗 38 吨的高纯 Ti。若考虑到 G8.5+产线,假设在 2025 年
18、,G8.5+的产线一半采用 Mo,而一般采用 Ti,则在 2025 年,大约需要消耗 640 吨高纯 Mo,372 吨高纯 Ti。面板 ITO 靶材:预计整体需求相对稳定,但高端 ITO 靶材国产替代需求强劲。ITO 靶材技术难壁垒高,长期以来一直被外商高度垄断,国产化进展十分缓慢。目前中国 ITO 靶材供应超一半左右依赖进口。本土厂商生产的 ITO 靶材主要供应中低端市场;而高端 TFT-LCD、触摸屏用 ITO 等靶材几乎全部从日本、韩国进口。据 ResearchInChina 数泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告据显示,2018 中国 ITO 靶材需求已超过 1000 吨。但其中一半仍需
19、进口,其中多为高端 ITO 靶材,本土企业实现进口替代的空间很大。但考虑到 OLED 产业对于 ITO 靶材需求相对较小,预计未来面板用 ITO 靶材市场将维持相对稳定。泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告第二章第二章 项目建设背景、必要性项目建设背景、必要性一、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展高纯度化发展芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,晶圆尺寸也已实现了 8 英寸到 12 英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品
20、或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了 8英寸到 12 英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势 1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越
21、高。.12 英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告化,相对于 8 英寸晶圆而言,12 英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势 2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说 110nm 晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm 晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导
22、线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12 寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据 SEMI 数据显示,如今 12 英寸晶圆约占 64%,8英寸晶圆占比达 26%,其他尺寸晶圆占比 10%。12 英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量泓域咨
23、询/惠州光伏靶材项目申请报告使用铝钛材料的 110nm 以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm 以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势 3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至 99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与
24、溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数泓域咨询/惠州光伏靶材项目申请报告也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破,已开始逐步实现国产替代。二、供给:薄膜电池及供
25、给:薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,国内光伏靶材亦多电池市场规模尚小,国内光伏靶材亦多处于起步阶段处于起步阶段国外头部企业一直在增强自身对太阳能电池的开发与供应。JX 日矿金属与爱发科等在行业内处于领先位置。如如 JX 日矿金属目前已拥有了用于形成 CIGS 薄膜太阳能电池吸收层的 In 靶材(4N)和 CuGa 靶材(3N5N)。爱发科在太阳能电池靶材方面也在不断加强产能建设,据 2017 年爱发科电子材料(苏州)有限公司靶材生产技术改造项目环境影响报告表数据显示,技改后爱发科(苏州)共拥有半导体及太阳能电池靶材产能 1200 枚/年。国内薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,相关企业
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