第四章-场效应管及其基本放大电路课件.ppt

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1、第第4章章 场效应管及其场效应管及其基本放大电路基本放大电路 14.1 引言引言场效应管的优点场效应管的优点 输入阻抗高输入阻抗高 抗干扰能力强抗干扰能力强 功耗小功耗小分类：分类：结型场效应管结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管IGFET 又称为又称为MOSFET N沟道沟道场效应管场效应管 P沟道沟道场效应管场效应管24.2 场效应管场效应管4.2.1 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管种类：种类：增强型（增强型（沟道从无到有沟道从无到有）N P 耗尽型（耗尽型（沟道从有到无沟道从有到无）N P3 1.结构结构一、一、N沟道增强型沟道增强型MOS管管4 N沟道增强型沟道增强型

2、MOS管的符号如上图所示。左面的一个衬管的符号如上图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。在外部连接。N沟道增强型沟道增强型MOS管的符号管的符号5 2.N沟道增强型沟道增强型MOS管的工作原理管的工作原理 分两个方面进行讨论：分两个方面进行讨论：一是栅源电压一是栅源电压UGS对沟道产生的影响，从而对漏极电流对沟道产生的影响，从而对漏极电流ID产生影响；产生影响；二是漏源电压二是漏源电压UDS对沟道产生影响，从而对漏极电流对沟道产生影响，从而对漏极电流ID产生影响。产生影响。6 令漏源电压令漏源电压UD

3、S=0，加入栅源加入栅源电压电压UGS以后并不断增加。以后并不断增加。UGS带给栅极正电荷，将正带给栅极正电荷，将正对对SiO2层表面下衬底中的空穴推层表面下衬底中的空穴推走，从而形成负离子层，即耗尽走，从而形成负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。层，用绿色的区域表示。在栅极下的表层感生一定的在栅极下的表层感生一定的电子电荷，从而在漏源之间可形成电子电荷，从而在漏源之间可形成导电沟道，即导电沟道，即反型层反型层。反型层（1）栅源电压栅源电压UGS的控制作用的控制作用栅源电压的控制作用栅源电压的控制作用7 反型层形成后，此时若加上反型层形成后，此时若加上UDS，就会有漏极电流就会有漏极电流ID

4、产生。产生。当当UGS较小时，不能形成有较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有效的沟道，尽管加有UDS，也也不能形成不能形成ID。当增加当增加UGS，使使ID刚刚出现时，对应的刚刚出现时，对应的UGS称为称为开启电压开启电压，用，用UGS(th)或或UT表示。表示。显然改变显然改变UGS就会改变沟道，从而影响就会改变沟道，从而影响ID，这说明，这说明UGS对对ID的控制作用。的控制作用。8 设设UGSUGS(th)，增加增加UDS，此时沟道的变化如下。此时沟道的变化如下。漏源电压也会对沟道产生漏源电压也会对沟道产生影响，影响，因为源极和衬底相连接，因为源极和衬底相连接，所以加入所以加入UDS后，

5、后，UDS将从漏将从漏到源逐渐降落在沟道内到源逐渐降落在沟道内，漏极，漏极和衬底间反偏最大，和衬底间反偏最大，PN结的结的宽度最大。所以加入宽度最大。所以加入UDS后，后，在漏源之间会形成一个在漏源之间会形成一个楔形楔形的的PN结区，从而影响沟道的导结区，从而影响沟道的导电性。电性。2.漏源电压漏源电压UDS的控制作用的控制作用漏源电压的控制作用漏源电压的控制作用9 当当UDS进一步增加时，进一步增加时，ID会不断增加，同时，漏端的会不断增加，同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端出现耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为夹断，这种状态称为预夹断预夹断。预夹断 当当UDS进一步增加时，进一步增加

6、时，漏端的耗尽层向源极伸展，漏端的耗尽层向源极伸展，此时此时ID基本不再增加，增基本不再增加，增加的加的UDS基本上降落在预夹基本上降落在预夹断区。断区。漏源电压的控制作用漏源电压的控制作用10OV2GS=UV3+V5.3+V4+DimA/15105uDS/V恒流区.3.3.特性曲线特性曲线（1）输出特性曲线 当UGSUGS(th)，且固定为某一值时，反映UDS对ID的影响，即iD=f(uDS)UGS=const这一关系曲线称为漏极输出特性曲线。曲线分五个区域：（1）可变电阻区（2）恒流区（放大区）（3）截止区（4）击穿区（5）过损耗区可变电阻区截止区击穿区过损耗区11（2）转移特性曲线 转移

7、特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm称为跨导。单位mS（mA/V）OGSu4321/VDimA/4321UGS(th)10VDS=U12OV2GS=UV3+V5.3+V4+DimA/15105uDS/V恒流区.从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线，从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线，过程如下：过程如下：OuGS4321/VDimA/4321UGS(th)13二、二、N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETN沟道耗尽型管的结构和符号沟道耗尽型管的结构和符号1.SiO2中掺入正离子中掺入正离子2.符号：沟道连续符号：沟道连续3.工作原理：工作原理：4.导电沟道存在导电沟道存在

8、 5.沟道被削弱沟道被削弱 当当 时，沟道消时，沟道消失失6.沟道被增强沟道被增强7.14 N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线如右上图所示。沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线如右上图所示。耗尽型场效应管的转移特性曲线也可以用下式表示耗尽型场效应管的转移特性曲线也可以用下式表示夹断电压IDSS 当当UGS=0时，对应的漏时，对应的漏极饱和电流用极饱和电流用IDSS表示。当表示。当UGS0时，将使时，将使ID进一步增进一步增加。加。UGS0时，随着时，随着UGS的的减小漏极电流逐渐减小，直减小漏极电流逐渐减小，直至至ID=0。对应对应ID=0的的UGS称称为为夹断电压夹断电压，用符号，用符号UGS(

9、off)表示，有时也用表示，有时也用UP表示。表示。耗尽型管的特性转移特性耗尽型管的特性转移特性15 三、三、P沟道沟道MOS管管NP+P+P沟道MOS管的结构与N沟道MOS管相同，只不过半导体的极性相反，电源电压、偏置电压的极性也相反。漏极电流的方向相反，夹断电压和开启电压的极性也相反。衬底由P型改为N型；漏、源两个电极的搀杂由N+改为P+。P沟道沟道MOSFET的结构的结构增强型增强型 耗尽型耗尽型16 场效应三极管有二种结构形式：场效应三极管有二种结构形式：1.绝缘栅场效应晶体管绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)-增强型增强型 耗尽型耗尽型 2.结型场效应晶体管结型场效应晶体管(JFET

10、)-只有耗尽型只有耗尽型 4.2.2 结型场效应管结型场效应管171.结型场效应晶体管的结构结型场效应晶体管的结构 JFET的结构与的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。相似，工作机理则相同。PN结N沟道18（1）栅源电压对沟道的控制作用栅源电压对沟道的控制作用2.结型场效应管的工作原理结型场效应管的工作原理 场效应管是一种电压控制电流源器件，它的漏极电流场效应管是一种电压控制电流源器件，它的漏极电流受栅源电压受栅源电压UGS和漏源电压和漏源电压UDS的双重控制。的双重控制。栅源电压的控制作用栅源电压的控制作用UGS(off)19（2）漏源电压对沟道的控制作用漏源电压对沟道的控制作用预加断

11、预加断预加断预加断漏源电压对沟道的控制作用漏源电压对沟道的控制作用20各种场效应管符号和特性曲线比较场效应管场效应管分类分类 2.结型场效应晶体管结型场效应晶体管N沟道耗尽型沟道耗尽型 1.绝缘栅场效应晶体管绝缘栅场效应晶体管P沟道耗尽型沟道耗尽型 增强型增强型 耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道21 N沟沟道道增增强强型型MOS管管，衬衬底底箭箭头头向向里里。漏漏、衬衬底底和和源源、开开，表表示示零零栅栅压压时时沟沟道道不不通通。表示衬表示衬底在内部底在内部没有与源没有与源极连接。极连接。N沟沟道道耗耗尽尽型型 M O S管管。漏漏、衬衬底底和和源源不不断断开开表表示示零零

12、栅栅压压时时沟沟道道已已经经连连通通。N沟道结沟道结型型MOS管。管。没有绝缘没有绝缘层层，只有，只有耗尽型。耗尽型。如果是如果是P沟道，箭头则向外。沟道，箭头则向外。场效应管的符号场效应管的符号22N沟道增强型MOSFET类型类型 漏极输出特性曲线漏极输出特性曲线 转移特性曲线转移特性曲线 P沟道增强型MOSFET场效应管的特性曲线场效应管的特性曲线23N沟道耗尽型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 类型类型 漏极输出特性曲线漏极输出特性曲线 转移特性曲线转移特性曲线 24N沟道 JFET 类型类型 漏极输出特性曲线漏极输出特性曲线 转移特性曲线转移特性曲线 P沟道 JFET 25 开启

13、电压UGS(th)(或UT)-开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不导通。夹断电压夹断电压UGS(off)(或或UP)-夹断电压是耗尽型场效应管的夹断电压是耗尽型场效应管的参数，当参数，当UGS=UGS(off)时时,漏极电流为零。漏极电流为零。饱和漏极电流饱和漏极电流IDSS-耗尽型场效应管耗尽型场效应管,当当UGS=0时所对时所对应的漏极电流。应的漏极电流。1.直流参数直流参数 输入电阻RGS-场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107，对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是1091015。4.2.3 FET的参数的参

14、数 低频跨导低频跨导gm-低频跨导反映了栅压对漏极电流的控低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与晶体管的控制作用相似。制作用，这一点与晶体管的控制作用相似。gm可以在转可以在转 移特移特性曲线上求取，单位是性曲线上求取，单位是mS(毫西门子毫西门子)。极间电容极间电容-场效应晶体管的三个电极之间存在电容。场效应晶体管的三个电极之间存在电容。一般一般Cgs和和Cgd约为约为13pF，Cds约为约为0.11pF。2.交流参数交流参数273.极限流参数极限流参数 最大漏极电流最大漏极电流IDM-场效应管正常工作时的漏极电流场效应管正常工作时的漏极电流的上限值。的上限值。击穿电压击穿电压U(

15、BR)GS-结型结型场效应管栅源之间所加的反向场效应管栅源之间所加的反向电压电压使使PN结击穿的电压值，或绝缘栅场效应管的栅极绝缘结击穿的电压值，或绝缘栅场效应管的栅极绝缘层击穿的电压值。层击穿的电压值。最大漏极功耗最大漏极功耗PDM-最大漏极功耗可由最大漏极功耗可由PDM=UDS ID决定，与双极型晶体管的决定，与双极型晶体管的PCM相当。相当。击穿电压击穿电压U(BR)DS-场效应管进入恒流区，场效应管进入恒流区，uds的增加的增加使使 iD骤然增加的漏源电压值。骤然增加的漏源电压值。28 4.场效应晶体管的型号 场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其一是与双极型晶体管相同，第三位字母

16、J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应晶体管。第二种命名方法是第二种命名方法是CS#，CS代表场效应管，代表场效应管，以数字以数字代表型号的序号，代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。等。29几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。场效应晶体管的参数30总结：总结：1.关于关于 和和 的极性的极性（1）N沟道沟道 P沟道沟道（2）用作增强型）用作增强型 和和 极性相同极性相同

17、 用作耗尽型（包括结型用作耗尽型（包括结型FET）和和 极性相反极性相反（3）若）若 正确正确 错了错了 相当于电阻相当于电阻2.工作在恒流区的条件工作在恒流区的条件314.2.4 BJT和和FET的比较的比较BJT：CCCS 内阻小内阻小 双极型双极型 热稳定性差热稳定性差 功耗大功耗大 不易集成不易集成 响应速度快响应速度快FET：VCCS 内阻大内阻大 单极型单极型 热稳定性好热稳定性好 功耗小功耗小 易于集成易于集成 响应速度慢响应速度慢32 4.3.1 共源放大电路N沟道结型场效应管分压偏沟道结型场效应管分压偏置电路置电路一、静态分析1.分压偏置电路结型场效应管和耗尽型场效应管结型场

18、效应管和耗尽型场效应管4.3 FET基本放大电路基本放大电路33 因因IDQ是二次方程，需要从中确定一个合理的解。一般是二次方程，需要从中确定一个合理的解。一般可根据静态工作点是否合理，栅源电压是否超出了夹断电可根据静态工作点是否合理，栅源电压是否超出了夹断电压，漏源电压是否进入饱和区等情况来确定。压，漏源电压是否进入饱和区等情况来确定。注意以上计算是针对由耗尽型场效应管构成的放大电注意以上计算是针对由耗尽型场效应管构成的放大电路，若放大电路采用的是增强型场效应晶体管，则应采用路，若放大电路采用的是增强型场效应晶体管，则应采用下式计算漏极电流下式计算漏极电流式中式中IDO是是uGS=2UGS(

19、th)时所对应的时所对应的iD。N沟道增强型绝缘栅场效应沟道增强型绝缘栅场效应管分压偏置电路管分压偏置电路34 自给偏压共源组态场效应管放大电路如图所示。建立自给偏压共源组态场效应管放大电路如图所示。建立正确的偏压就是建立正确的静态工作点，图示电路中的场正确的偏压就是建立正确的静态工作点，图示电路中的场效应管应该采用效应管应该采用N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET。因为栅流等于。因为栅流等于0，所以，所以UG=0V、US=IDR，UGSQ=-IDQR。根据场效应管的转移特根据场效应管的转移特性曲线，静态工作点性曲线，静态工作点Q应位应位于第二象限于第二象限。漏极电流漏极电流自给偏压共源放大电路

20、自给偏压共源放大电路管压降管压降 UDSQ=VDDIDQ(Rd+R)ID一、静态分析2.自给偏压电路35 场效应晶体管放大电路的三种组态场效应晶体管有三种不同的组态场效应晶体管有三种不同的组态(或称为三种接法或称为三种接法)：共源极组态，与共发射极组态对应；共源极组态，与共发射极组态对应；共漏极组态，与共集电极组态对应；共漏极组态，与共集电极组态对应；共栅极组态，与共基极组态对应。共栅极组态，与共基极组态对应。(a)共源组态共源组态(b)共漏组态共漏组态(c)共栅组态共栅组态场效应放大电路的三种组态场效应放大电路的三种组态36 采用场效应晶体管构成放大电路时，必须将静态工作点偏采用场效应晶体管

21、构成放大电路时，必须将静态工作点偏置到具有线性特性的恒流区。但是场效应晶体管与双极型晶体置到具有线性特性的恒流区。但是场效应晶体管与双极型晶体管不同，它是电压控制电流源器件，所以场效应管是电压偏置。管不同，它是电压控制电流源器件，所以场效应管是电压偏置。分析场效应管放大电路也必须要正确地区分静态和动态，正确分析场效应管放大电路也必须要正确地区分静态和动态，正确地区分直流通路和交流通路地区分直流通路和交流通路。在进行动态分析之前，也需要先在进行动态分析之前，也需要先进行静态工作点的计算。进行静态工作点的计算。对于绝缘栅型场效应管放大电路，根据转移特性曲线，可对于绝缘栅型场效应管放大电路，根据转移

22、特性曲线，可以确定栅源电压以确定栅源电压UGS是正还是负，是正还是负，还是可正可负；对于结型还是可正可负；对于结型场场效应管放大电路，以避免栅流来决定栅源电压效应管放大电路，以避免栅流来决定栅源电压UGS的正、负。的正、负。场效应晶体管放大电路设置偏置的原则37 具体的偏置电路形式：场效应晶体管放大电路的电压偏置具体的偏置电路形式：场效应晶体管放大电路的电压偏置有两种形式，有两种形式，分压偏置分压偏置和和自给栅偏压自给栅偏压。对于不同类型的场效应管：对于不同类型的场效应管：对于对于MOS增强型增强型N沟道管放大电路，沟道管放大电路，UGS0，UGS0截止截止;对于对于MOS增强型增强型P沟道管

23、放大电路，沟道管放大电路，UGS0 截止。截止。对于对于MOS耗尽型耗尽型N沟道管放大电路，沟道管放大电路，UGS0;对于对于MOS耗尽型耗尽型P沟道管放大电路，沟道管放大电路，UGS0，也可，也可UGS0。对于结型对于结型场效应管放大电路，无论是场效应管放大电路，无论是N沟道还是沟道还是P沟道管，沟道管，以避免出现栅流来决定栅源电压以避免出现栅流来决定栅源电压UGS的正、负。即的正、负。即N沟道管放沟道管放大电路为大电路为UGS0。38 场效应管放大电路分压偏置分压偏置电路分压偏置电路(b)采用耗尽型管采用耗尽型管(a)采用增强型管采用增强型管 由于没有栅流，栅极电位仅由由于没有栅流，栅极电

24、位仅由Rg1和和Rg2分压确定，所分压确定，所以分压偏置既可以得到正偏压，又可以得到负偏压。对于以分压偏置既可以得到正偏压，又可以得到负偏压。对于图图(a)也可以采用结型场效应管。也可以采用结型场效应管。39 场效应管放大电路自给栅偏压图图02.03.03 自给栅偏压自给栅偏压 自给偏压场效应管放大电路如图自给偏压场效应管放大电路如图02.03.0302.03.03所示。该电所示。该电路路因为栅流等于因为栅流等于0，所以，所以，栅极电位等于栅极电位等于0 0。所以只能。所以只能N沟沟道管道管建立负偏压；建立负偏压；P沟道管沟道管建立正偏压。建立正偏压。所以图示电路所以图示电路UG=0VUS=I

25、DR UGSQ=-IDQR403.（1）耗尽型可以用自给偏压）耗尽型可以用自给偏压 也可以用分也可以用分 压偏置压偏置 （2）增强型）增强型 只能用分压偏置只能用分压偏置41 与双极型晶体管一样，可以用一个线性模型来代替场效与双极型晶体管一样，可以用一个线性模型来代替场效应管，条件仍然是工作在恒流区，或是微变信号。与双极型应管，条件仍然是工作在恒流区，或是微变信号。与双极型晶体管相比，因为场效应管的栅源之间的输入电阻十分大，晶体管相比，因为场效应管的栅源之间的输入电阻十分大，可视为开路。输出回路是一个受控源，即电压控制电流源可视为开路。输出回路是一个受控源，即电压控制电流源VCCS，大小是，大

26、小是 。电流源还并联了一个输出电阻。电流源还并联了一个输出电阻rds，在双极型晶体管的简化模型中，因输出电阻在双极型晶体管的简化模型中，因输出电阻rceR L可视可视为开路，在此对于为开路，在此对于rds也应根据具体情况决定取舍。也应根据具体情况决定取舍。图图02.03.11 场效应管场效应管h参数等效电路参数等效电路 场效应管简化的微变等场效应管简化的微变等效电路如图效电路如图02.03.11所示，所示，这个模型也仅适用低频和中这个模型也仅适用低频和中频频段。频频段。开路VCCS二、二、动态分析动态分析1.FET的微变等效电路的微变等效电路42 将图将图02.03.12示放大示放大电路的微变

27、等效电路画出，电路的微变等效电路画出，见图见图02.03.13。根据微变根据微变等效电路进行求解等效电路进行求解图图02.03.13 h参数中频微变等效电路参数中频微变等效电路因因 ，所以，所以式中式中RL=rds/Rd/RL。如果有信号源内阻如果有信号源内阻Rs时，源电压增益为时，源电压增益为 Ri为输入电阻2.动态分析动态分析（1）电压放大倍数）电压放大倍数43（2）输入电阻输入电阻图图02.03.13 h参数中频微变等效电路参数中频微变等效电路根据微变等效电路，有根据微变等效电路，有 场效应晶体管具有输入电阻高的特点，但是由于偏场效应晶体管具有输入电阻高的特点，但是由于偏置电阻并联的影响

28、，其输入电阻并不一定高。置电阻并联的影响，其输入电阻并不一定高。采用图采用图02.03.14的电路可以提高场效应管放大电路的输入电阻。的电路可以提高场效应管放大电路的输入电阻。44 图图02.03.14电路的栅极分压电阻电路的栅极分压电阻Rg1和和Rg2经过一个较大经过一个较大的电阻的电阻Rg接到栅极，因栅流等于接到栅极，因栅流等于0，Rg的串入不影响栅极电的串入不影响栅极电位。而交流信号则经过耦合电容器直接接到栅极，它的微位。而交流信号则经过耦合电容器直接接到栅极，它的微变等效电路如图变等效电路如图02.03.15所示。所示。图图02.03.14 共源放大电路共源放大电路图图02.03.15

29、 微变等效电路微变等效电路由微变等效电路可知由微变等效电路可知45 （3）输出电阻 根据输出电阻的定义，令源电压等于根据输出电阻的定义，令源电压等于0，负载电阻开，负载电阻开路，并在输出端加一个测试电源，可得求输出电阻的微变路，并在输出端加一个测试电源，可得求输出电阻的微变等效电路，如图等效电路，如图02.03.16所示。所示。此时受控源相当开路。然此时受控源相当开路。然后计算输出电阻，于是后计算输出电阻，于是=rdsRd 图图02.03.12 共源放大电路共源放大电路图图02.03.16 求输出电阻的微变电路求输出电阻的微变电路46由以上分析可知，共源组态放大电路与共射组态放大由以上分析可知

30、，共源组态放大电路与共射组态放大电路有相同的基本特点：电路有相同的基本特点：.电压放大倍数较大。电压放大倍数较大。.输出电压的相位与输入电压的相位相反。输出电压的相位与输入电压的相位相反。3.共源组态放大电路的输入电阻由偏置电路决定，共源组态放大电路的输入电阻由偏置电路决定，采用一定的偏置电路方式可以获得高的输入电阻，这一采用一定的偏置电路方式可以获得高的输入电阻，这一点与共射组态放大电路有所不同。点与共射组态放大电路有所不同。共源放大电路的特点共源放大电路的特点.共源组态放大电路的输出电阻近似等于漏极负载共源组态放大电路的输出电阻近似等于漏极负载电阻。电阻。47讲解例题：例讲解例题：例4.3

31、.148 1.静态分析 共漏组态基本放大电路如图共漏组态基本放大电路如图02.03.17所示，其直流工作所示，其直流工作状态分析如下。状态分析如下。图图02.03.17 共漏组态放大电路共漏组态放大电路图图02.03.18 放大电路的直流通路放大电路的直流通路4.3.2 共漏组态基本放大电路共漏组态基本放大电路49 根据直流通路，可以计算出工根据直流通路，可以计算出工作点的参数值作点的参数值:将给出的放大电路的参数代入以上各公式，考察计算将给出的放大电路的参数代入以上各公式，考察计算值，应满足线性工作条件。值，应满足线性工作条件。50 2.动态分析（1）电压放大倍数 先画出图示电路的中频微变等

32、效电路，见图先画出图示电路的中频微变等效电路，见图02.03.19。可。可求出电压放大倍数求出电压放大倍数图图02.03.19 共漏组态放大电路微变等效电路共漏组态放大电路微变等效电路式中当 、时，RL=R/RL。为正，表示输为正，表示输出与输入同相；一般均出与输入同相；一般均可满足可满足gmR L1的条的条件，所以件，所以 1。51 （2）输入电阻图图02.03.19 共漏组态放大电路微变等效电路共漏组态放大电路微变等效电路 由微变等效电路很由微变等效电路很容易看出输入电阻容易看出输入电阻 输入电阻由输入电阻由偏置回路的电阻偏置回路的电阻决定。决定。52（3）输出电阻 按照求输出电阻的规则，

33、画出微变等效电路，如图按照求输出电阻的规则，画出微变等效电路，如图02.03.20所示，并进行下列计算所示，并进行下列计算图图02.03.20 求输出电阻的微变等效电路求输出电阻的微变等效电路 共漏放大电路共漏放大电路的电压放大倍数近的电压放大倍数近似等于似等于1，输出电阻，输出电阻很小，放大电路输很小，放大电路输入电阻主要由偏置入电阻主要由偏置电阻决定。电阻决定。53由以上分析可知，共漏放大电路与共集组态放大电路由以上分析可知，共漏放大电路与共集组态放大电路有相同的基本特点：有相同的基本特点：.电压放大倍数小于电压放大倍数小于1且接近于且接近于1。.输出电压的相位与输入电压的相位相同，输出电输出电压的相位与输入电压的相位相同，输出电压的波形和输入电压的波形一样，故又名压的波形和输入电压的波形一样，故又名源极跟随器源极跟随器。3.共漏组态放大电路的输入电阻高，输出电阻低，共漏组态放大电路的输入电阻高，输出电阻低，具有阻抗变换的特点，有较强的带负载能力，常用于多具有阻抗变换的特点，有较强的带负载能力，常用于多级放大电路的输入级和输出极，以及功率放大电路。级放大电路的输入级和输出极，以及功率放大电路。共漏放大电路的特点共漏放大电路的特点54讲解例题：例讲解例题：例4.3.2554.3.3 共栅组态基本放大电路共栅组态基本放大电路了解了解 自学。自学。56