低频电子线路要点PPT讲稿.ppt
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1、低频电子线路要点第1页,共50页,编辑于2022年,星期四第一章第一章 晶体二极管晶体二极管半导体本征半导体杂质半导体第2页,共50页,编辑于2022年,星期四杂质半导体P型半导体:掺入三价元素,受主杂质N型半导体:掺入五价元素,施主杂质第3页,共50页,编辑于2022年,星期四半导体的导电机理漂移:电场作用下的漂移电流扩散:分布浓度引起的扩散电流第4页,共50页,编辑于2022年,星期四PN结PN结的伏安特性PN结的击穿特性PN结的电容特性第5页,共50页,编辑于2022年,星期四二极管模型理想模型大信号模型小信号模型简化模型第6页,共50页,编辑于2022年,星期四二极管电路的分析二极管是
2、导通截止的判断二极管电路分析第7页,共50页,编辑于2022年,星期四稳压二极管二极管击穿特性的应用伏安特性击穿齐纳击穿雪崩击穿击穿与截止的判断第8页,共50页,编辑于2022年,星期四稳压管电路的分析*二极管,稳压管电路波形分析方法。第9页,共50页,编辑于2022年,星期四第二章第二章 晶体三极管晶体三极管第10页,共50页,编辑于2022年,星期四电流传输方程共基极:IC=IE+ICBO共发射极:IC=IB+ICEO共集电极:IE=(1+)IB+ICEOIC=IBIE=(1+)IB发射极到集电极电流的电流传输系数=Ic/Ie基极到集电极电流的电流放大系数=Ic/Ib发射极电流为0时的集电
3、极漏电流ICBO基极电流为0时的集电极漏电流ICEO(1+)ICBO第11页,共50页,编辑于2022年,星期四三极管的一般模型指数模型:直流模型及简化模型第12页,共50页,编辑于2022年,星期四三极管的工作状态(模式)及判别第13页,共50页,编辑于2022年,星期四三极管的伏安特性曲线输入特性曲线输出特性曲线四个工作区截止,放大,饱和,击穿第14页,共50页,编辑于2022年,星期四三极管的小信号等效电路模型混合型电路模型小信号电路计算的基础rbe=(1+)re=(1+)IEQ/VTgm=/rerce=|VA|/ICQ第15页,共50页,编辑于2022年,星期四三极管直流电路分析直流工
4、作点,三极管的工作区(模式,状态)图解法,近似计算法第16页,共50页,编辑于2022年,星期四第三章第三章 场效应管场效应管第17页,共50页,编辑于2022年,星期四原理不同分为JFET,MOSFETMOSFET可分成EMOS 和DMOS每一类型均可分为N沟道和P沟道NEMOS,NDMOS,PEMOS,PDMOS,NJFET,PJFET的第18页,共50页,编辑于2022年,星期四伏安特性与转移特性输出特性曲线四个工作区截止,饱和,非饱和,击穿第19页,共50页,编辑于2022年,星期四MOS管的一般模型ID=第20页,共50页,编辑于2022年,星期四JFET管的一般模型第21页,共50
5、页,编辑于2022年,星期四小信号等效模型gm=第22页,共50页,编辑于2022年,星期四场效应管直流电路分析直流工作点,场效应管的工作区(模式,状态)图解法,近似计算法第四章第四章 基本放大器基本放大器第23页,共50页,编辑于2022年,星期四偏置电路与静态工作点三极管(场效应管)电路的直流分析。第24页,共50页,编辑于2022年,星期四放大器的性能指标输入电阻:Ri 输出电阻:Ro增益:A第25页,共50页,编辑于2022年,星期四*计算方法从直流电路的分析获得晶体管的工作状态(模式,工作区),计算直流偏置(电压或电流):IBQ,ICQ,VCEQ。从而可以获得三极管的等效参数。将三极
6、管电路转换为基本线性电路。对于FET则是IDQ,gm。使用电路分析方法计算:Ri,Ro,A。第26页,共50页,编辑于2022年,星期四基本放大器的组合状态共基极,共发射极共集电极第27页,共50页,编辑于2022年,星期四四种增益电压,电流,互阻,互导源增益,负载短路时的电流增益,负载开路时的电压增益第28页,共50页,编辑于2022年,星期四直流/交流等效电路直流等效电路:电容等效于开路交流等效电路:电容等效于短路,直流电压源等效于短路,直流电流源等效于开路。第29页,共50页,编辑于2022年,星期四三种组态放大器性能的比较(表)第30页,共50页,编辑于2022年,星期四差分放大器差模
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