(精品)第二章 薄膜制备技术基础-1.ppt
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1、第二章第二章 薄膜制备技术薄膜制备技术 v薄膜制备工艺包括:薄膜制备方法的选薄膜制备工艺包括:薄膜制备方法的选择,基体材料的选择及表面处理,薄膜择,基体材料的选择及表面处理,薄膜制备条件的选择,结构、性能与工艺参制备条件的选择,结构、性能与工艺参数的关系等。数的关系等。第一节第一节 基体的选择与基片的清洗方法基体的选择与基片的清洗方法(一)基体的选择(一)基体的选择v在薄膜制备过程中,基体的选择与其他在薄膜制备过程中,基体的选择与其他制备条件同样重要,有时可能更重要,制备条件同样重要,有时可能更重要,基体选择的原则是:基体选择的原则是:(1)是否容易成核和生长成薄膜;)是否容易成核和生长成薄膜
2、;(2)根根据据不不同同的的应应用用目目的的,选选择择金金属属 (或或合合金金)、玻玻璃璃、陶陶瓷瓷单单晶晶和和塑塑料料等等 作基体;作基体;(3)薄膜结构与基体材料结构要对应;)薄膜结构与基体材料结构要对应;(4)要要使使薄薄膜膜和和基基体体材材料料的的性性能能相相匹匹配配,从而减少热应力,不使薄膜脱落;从而减少热应力,不使薄膜脱落;(5)要要考考虑虑市市场场供供应应情情况况、价价格格、形形状状、尺寸、表面粗糙度和加工难易程度等。尺寸、表面粗糙度和加工难易程度等。(二)基片的清洗(二)基片的清洗1 1、概述、概述v由于薄膜厚度很薄,基片表面的平整度、清洁由于薄膜厚度很薄,基片表面的平整度、清
3、洁度都会对所生长的薄膜有影响。基片表面的任度都会对所生长的薄膜有影响。基片表面的任何一点污物都会影响薄膜材料的性能和生长情何一点污物都会影响薄膜材料的性能和生长情况。由此可见,基片的清洗是十分重要的。况。由此可见,基片的清洗是十分重要的。v基片的清洗方法主要根据薄膜生长方法和薄膜基片的清洗方法主要根据薄膜生长方法和薄膜使用目的选定,因为基片表面状态严重影响基使用目的选定,因为基片表面状态严重影响基片上生长出的薄膜结构和薄膜物理性质。片上生长出的薄膜结构和薄膜物理性质。2 2、基片的清洗方法、基片的清洗方法v一般分为去除基片表面上物理附着的污物的一般分为去除基片表面上物理附着的污物的清洗方法和去
4、除化学附着的污物的清洗方法。清洗方法和去除化学附着的污物的清洗方法。v目前,基片清洗方法有:用化学溶剂溶解污目前,基片清洗方法有:用化学溶剂溶解污物的方法、超声波清洗法、离子轰击清洗法、物的方法、超声波清洗法、离子轰击清洗法、等离子体清洗法和烘烤清洗法等。等离子体清洗法和烘烤清洗法等。第二节第二节 真空技术基础真空技术基础 v真空技术是制备薄膜的基础,真空蒸发,真空技术是制备薄膜的基础,真空蒸发,溅射镀膜和离子镀等均要求沉积薄膜的溅射镀膜和离子镀等均要求沉积薄膜的空间要有一定的真空度,因而获得并保空间要有一定的真空度,因而获得并保持真空环境是镀膜的必要条件。持真空环境是镀膜的必要条件。一、真空
5、的概念一、真空的概念“真空真空”拉丁文拉丁文VacuoVacuo,其意义是虚无其意义是虚无=气气体体较较稀稀薄薄的的空空间间。真真空空是是一一个个相相对对的的概概念念“低低于于一一个个大大气气压压的的气气体体状状态态。”真真空空状状态态是是气气体分子运动的动态结果。体分子运动的动态结果。标准状况下气体的分子密度约为标准状况下气体的分子密度约为标准状况下气体的分子密度约为标准状况下气体的分子密度约为 3x1019 3x1019 3x1019 3x1019 个个个个/cm/cm/cm/cm3 3 3 31/101/104 4大气压下气体的分子密度约大气压下气体的分子密度约为为为为 3x1015 3
6、x1015 3x1015 3x1015 个个个个/cm/cm/cm/cm3 3 3 3二、真空度的单位l真真空空状状态态下下气气体体稀稀薄薄程程度度称称为为真真空空度度,通通常常用用压压力力值值表表示示。19581958年年,第第一一界界国国际际技技术术会会议议曾曾建建议议采采用用“托托”(TorrTorr)作作为为测测量量真真空空度度的的单单位位。国国际际单单位位制制(SI)SI)中中规规定压力的单位为帕定压力的单位为帕(Pa)Pa)。我国采用我国采用SISI规定。规定。l1 1标准大气压标准大气压(1(1atm)1.013atm)1.01310105 5Pa(Pa(帕帕)l1 1Torr1
7、/760atm1mmHgTorr1/760atm1mmHgl1Torr133Pa101Torr133Pa102 2 PaPal100Pa=0.75Torr 1Torr100Pa=0.75Torr 1Torr三、真空度的划分三、真空度的划分v为为了了研研究究真真空空和和实实际际应应用用方方便便,常常把把真空划分为:真空划分为:v低真空(低真空(11051102Pa)v中真空(中真空(1102110-1Pa)v高真空(高真空(110-1110-6Pa)v超高真空(超高真空(50km。因此体积有限的超真空系统中,气体分子之间或气体分子与带电粒子之间的碰撞都可以近似忽略。5、气体分子的平均自由程:A分
8、子碰撞截面,为分子直径,p为压强,T为气体温度,k为玻耳兹曼常数。6 6、单位面积上分子与固体表面碰撞的频率:、单位面积上分子与固体表面碰撞的频率:m和T分别为气体分子的质量和温度。对室温下的氮气,在10-6 Torr时,v=4.4 x 1014分子/cm2s假设每次碰撞均被表面吸附,一个“干净”的表面只要一秒多钟就被覆盖满了一个单分子层的气体分子:而在超高真空 10-10 Torr 或 10-11 Torr时,由同样的估计可知“干净”表面吸附单分子层的时间将达几小时到几十小时。对于技术和物理研究的影响:表面物理,薄膜沉积7 7、克努曾定律或余弦定律:、克努曾定律或余弦定律:碰撞于固体表面的分
9、子,飞离表面的方向与原入射方向无关,处于与表面法线成角的空间区域(立体角为的d)的分子的几率为:余弦定律的意义:(1)固体表面使分子入射的方向性消失;(2)分子在固体表面停留,使气体和固体表面发生能量和动量的传递。8.气体的吸附与脱附气体的吸附与脱附v气体吸附气体吸附:是指固体表面捕获气体分子的现:是指固体表面捕获气体分子的现象。吸附分为物理吸附和化学吸附。象。吸附分为物理吸附和化学吸附。v物理吸附物理吸附:主要靠分子间的相互吸引力,易:主要靠分子间的相互吸引力,易脱附,只在低温下有效。脱附,只在低温下有效。v化学吸附化学吸附:当气体和固体表面原子间生成化:当气体和固体表面原子间生成化合物时,
10、所产生的吸附作用。不易脱附,可合物时,所产生的吸附作用。不易脱附,可发生在高温下。发生在高温下。9.电子碰撞气体引起的电离电子碰撞气体引起的电离v电子能量较低电子能量较低:不会引起气体原子(分子)的状态发生变化。:不会引起气体原子(分子)的状态发生变化。v能量较高能量较高:引起气体原子(分子)的激发或电离。:引起气体原子(分子)的激发或电离。激发激发:部分价电子跃迁到较高的能级。:部分价电子跃迁到较高的能级。电离电离:一个或多个价电子脱离原子或分子的过程。:一个或多个价电子脱离原子或分子的过程。10.气体的流动状态气体的流动状态v三种流动状态三种流动状态湍流,层流,分子流湍流,层流,分子流湍流
11、:当气体压强和流速都比较高时,流动呈现不稳定状态,宏湍流:当气体压强和流速都比较高时,流动呈现不稳定状态,宏观流速矢量有径向分量气体流动受到较大的阻力,通常称这观流速矢量有径向分量气体流动受到较大的阻力,通常称这种流动状态为湍流或者旁流。种流动状态为湍流或者旁流。平流(层流):随气体压强和流速的逐渐降低,流动由平流(层流):随气体压强和流速的逐渐降低,流动由具有不同流动速度的各个流动层组成宏观具有不同流动速度的各个流动层组成宏观流速矢量与流速矢量与管轴平行,流动与气体的粘滞性有关,称为平流。平流管轴平行,流动与气体的粘滞性有关,称为平流。平流和湍流都属于粘滞流。和湍流都属于粘滞流。分子流:当压
12、强进分子流:当压强进步降低,气体分子的平均自由程增步降低,气体分子的平均自由程增大,分子间的相互碰撞减少,分子与管壁的碰撞占主要大,分子间的相互碰撞减少,分子与管壁的碰撞占主要地位,分于间的内摩擦消失,气体分子以热运动而自由地位,分于间的内摩擦消失,气体分子以热运动而自由地独立地直线前进,这种流动被称为分子流。地独立地直线前进,这种流动被称为分子流。判断粘滞流与分子流的Knudsen number(克努森数):判断平流与湍流的雷诺数:11.蒸发和凝结蒸发和凝结(1)蒸发和凝结)蒸发和凝结蒸发:由固相和液相转变为气相的过程。蒸发:由固相和液相转变为气相的过程。凝结:由气相转变为固相和液相的过程。
13、凝结:由气相转变为固相和液相的过程。(2)蒸汽和气体)蒸汽和气体由由P-V线可知:存在临界温度线可知:存在临界温度Tc,工作温度低于工作温度低于Tc,气体加压可变成液体,此时的气体称为可凝,气体加压可变成液体,此时的气体称为可凝性气体(蒸汽)性气体(蒸汽)工作温度高于工作温度高于Tc,气体加压不可变成液体,此时的气体称为永久,气体加压不可变成液体,此时的气体称为永久性气体(简称为气体)性气体(简称为气体)在本课程中定义的蒸汽和气体在本课程中定义的蒸汽和气体凡临界温度高于室温(凡临界温度高于室温(1525)的气相,称为蒸汽)的气相,称为蒸汽 其特征是在室温下加压可液化。如水蒸气,金属蒸汽其特征是
14、在室温下加压可液化。如水蒸气,金属蒸汽凡临界温度低于于室温(凡临界温度低于于室温(1525)的气相,称为气体)的气相,称为气体 其特征是在室温下加压不可液化。如氢气,氮气其特征是在室温下加压不可液化。如氢气,氮气以上分类的主要原因是以上分类的主要原因是:蒸汽加压液化,液体减压气化会对蒸汽加压液化,液体减压气化会对系统的真空度产生影响。系统的真空度产生影响。(3)饱和蒸汽和不饱和蒸汽)饱和蒸汽和不饱和蒸汽饱和蒸汽:汽液平衡共存时的蒸汽。饱和蒸汽:汽液平衡共存时的蒸汽。非饱和蒸汽:单一蒸汽存在。非饱和蒸汽:单一蒸汽存在。饱和蒸汽不符合理想气体物态方程,但符合克饱和蒸汽不符合理想气体物态方程,但符合
15、克拉珀龙方程。拉珀龙方程。不饱和蒸汽符合理想气体物态方程。不饱和蒸汽符合理想气体物态方程。第三节第三节 真空系统真空系统1.真空系统的结构示意图真空系统的结构示意图真空室真空室泵泵管路管路阀门阀门真空测量真空测量机械泵机械泵分子泵分子泵阀阀门门管管路路闸板阀闸板阀真空室真空室真空测量真空测量真空状态真空状态是气体分是气体分子运动的子运动的动态结果动态结果漏气与放气漏气与放气系统中气体的流动处于分子流状态2.真空系统的组成真空系统的组成1.泵泵负责抽空系统内的剩余气体负责抽空系统内的剩余气体o机械泵机械泵o扩散泵扩散泵o分子泵分子泵o离子泵离子泵o吸附泵钛吸附泵和冷凝吸附泵吸附泵钛吸附泵和冷凝吸
16、附泵2.真空室真空室安放实验装置安放实验装置3.真空管路真空管路连接真空系统连接真空系统4.阀门阀门控制真空系统的连接情况控制真空系统的连接情况5.真空的测量真空的测量不同的真空要求由不同不同的真空要求由不同的泵和系统组成的泵和系统组成3.表征真空系统的几个参数表征真空系统的几个参数(1)体积流速体积流速S(体积流率)(体积流率)单位时间流过管道某一特定截面的体积单位时间流过管道某一特定截面的体积(3)流导流导C、流阻、流阻Z 表征气体沿管道流动的动力或阻力表征气体沿管道流动的动力或阻力 Q=C(P2-P1),P1、P2为管道两端的压强为管道两端的压强(2)流量流量Q(体积流率)(体积流率)单
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