【教学课件】第七章光电式与光导式传感器.ppt
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1、第7章 光电式与光导式传感器 第七章 光电式与光导式传感器 第一节第一节 光电效应与光电器件光电效应与光电器件第二节第二节 光纤传感器光纤传感器第7章 光电式与光导式传感器 可见光0.5极远紫外0.10.05近红外远红外150.0110波长/m光波光波:波长为波长为10106nm的电磁波的电磁波可见光:可见光:波长波长380780nm紫外线:紫外线:波长波长10380nm波长波长300380nm称为称为近紫外线近紫外线波长波长200300nm称为称为远紫外线远紫外线波长波长10200nm称为称为极远紫外线极远紫外线红外线:红外线:波长波长780106nm波长波长3m(即(即3000nm)以下的
2、称)以下的称近红外线近红外线波长超过波长超过3m的红外线称为的红外线称为远红外线远红外线第7章 光电式与光导式传感器 第一节第一节 光电效应与光电器件光电效应与光电器件一、一、外光电效应外光电效应 定义:在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,亦称光电发射效应(光电管、光电倍培管).每个光子的能量:E=h h普朗克常数,6.62610-34Js;光的频率(s-1)=31010cm/s可以看出光的波长越短,频率越高,光子能量也越大。可以看出光的波长越短,频率越高,光子能量也越大。第7章 光电式与光导式传感器 光照射物体,可以看成一连串具有一定能量的光子轰击物体,物体中电子吸收的
3、入射光子能量超过逸出功A0时,电子就会逸出物体表面,产生光电子发射,超过部分的能量表现为逸出电子的动能。根据能量守恒定理 式中m电子质量;v0电子逸出速度。该方程称为爱因斯坦光电效应方程。由上式可知:n当入射光的频谱成分不变时,产生的光电流与光强成正比。即光强愈大,意味着入射光子数目越多,逸出的电子数也就越多。第7章 光电式与光导式传感器 n光电子能否产生,取决于光电子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。不同的物质具有不同的逸出功,即每一个物体都有一个对应的光频阈值,称为红限频率或波长限。光线频率低于红限频率,光子能量不足以使物体内的电子逸出,因而小于红限频率的入射光,光强再大也不会产生
4、光电子发射;反之,入射光频率高于红限频率,即使光线微弱,也会有光电子射出。n光电子逸出物体表面具有初始动能mv02/2,因此外光电效应器件(如光电管)即使没有加阳极电压,也会有光电子产生。为了使光电流为零,必须加负的截止电压,而且截止电压与入射光的频率成正比。第7章 光电式与光导式传感器 二、内光电效应二、内光电效应当光照射在物体上,使物体的电阻率发生变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应。1、光电导效应在光线作用,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化,这种现象被称为光电导效应(光敏电阻)。第7章 光电式与光导式传感器 过程:过程:自由电子所占能带不存在电子所占
5、能带价电子所占能带导带价带禁带Eg为了实现能级的跃迁,入射光的能量必须大于光电导材料的禁带宽度Eg,即第7章 光电式与光导式传感器 2、光生伏特效应在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应(光光电电池池和光光敏敏二二极极管管、光光敏敏三三极管)极管)。势垒效应(结光电效应)接触的半导体和PN结中,当光线照射其接触区域时,便引起光电动势,这就是结光电效应。以PN结为例,光线照射PN结时,设光子能量大于禁带宽度Eg,使价带中的电子跃迁到导带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下,被光激发的电子移向N区外侧,被光激发的空穴移向P区外侧,从而使P区带正电,N区带负电,形成光
6、电动势。第7章 光电式与光导式传感器 侧向光电效应当半导体光电器件受光照不均匀时,则将产生载流子浓度梯度而产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时,光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大,就出现了载流子浓度梯度,因而载流子就要扩散。如果电子迁移率比空穴大,那么空穴的扩散不明显,则电子向未被光照部分扩散,就造成光照射的部分带正电,未被光照射部分带负电,光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件(PSD)。第7章 光电式与光导式传感器 三、基本概念三、基本概念1、暗电流光传感器接入电路后即使没有光照射,由于热电子发射、场致发射和晶
7、格振荡激发载流子,使电路有电流输出,此电流称为暗电流,也称随机电流。2、响应度光传感器输出的电压或电流与光通量之比。第7章 光电式与光导式传感器 3、光谱光传感器输出与输入光波长的关系曲线。4、等效噪声功率NEP即能够产生于传感器输出噪声电压或电流相等的入射光的功率大小。反映最小可探测的光的功率。第7章 光电式与光导式传感器 四、外光电效应器件四、外光电效应器件(一)、光电管及其基本特性(一)、光电管及其基本特性光1.1.结构与工作原理结构与工作原理阳极光窗光电阴极当光照射在阴当光照射在阴极上时,中央阳极极上时,中央阳极可以收集从阴极上可以收集从阴极上溢出的电子,在外溢出的电子,在外电场作用下
8、形成电电场作用下形成电流流I。第7章 光电式与光导式传感器 充气光电管内充有少量的惰性气体,如氩、氖,当充气光电管的阴极被光照射后,光电子在飞向阳极的过程中,和气体的原子发生碰撞使气体电离。因此增大了光电流,从而使灵敏度增加,但导致充气光电管的光电流与入射光强度不成比例,因而稳定性较差。第7章 光电式与光导式传感器(1 1)光电管的伏安特性光电管的伏安特性2.2.主要性能:主要性能:伏安特性、光照特性、光谱特性在一定的光照射下,对光电器件的阳极所加电压与阳极所产生的电流之间的关系称为光电管的伏安特性。真空光电管真空光电管第7章 光电式与光导式传感器 充气光电管的电压-电流特性不具有真空光电管的
9、那种饱和特性,而是达到充气离子化电压附近时,阳极电流急速上升,如图所示。急速上升部分的特性就是气体放大特性,放大系数为510。充气光电管的优点是灵敏度高,但其灵敏度随电压显著变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差。所以在测试中一般选用真空光电管。充气光电管充气光电管:第7章 光电式与光导式传感器(2)光电管的光照特性指当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时,光通量与光电流之间的关系为光电管的光照特性。225507510000.51.52.0/1mIA/A1.02.51第7章 光电式与光导式传感器(3)光电管光谱特性保保持持光光通通量量和和阴阴极极电电压压不不变变,阳阳极极电电流流与与光光波波
10、长长之之间的关系叫光电管的光谱特性。间的关系叫光电管的光谱特性。一般对于光电阴极材料不同的光电管,它们有不同的红限频率0,因此它们可用于不同的光谱范围。除此之外,即使照射在阴极上的入射光的频率高于红限频率0,并且强度相同,随着入射光频率的不同,阴极发射的光电子的数量还会不同,即同同一一光光电电管管对对于于不不同同频频率率的的光光的的灵灵敏敏度度不不同同,这这就就是是光光电电管管的的光光谱谱特特性性。所以,对各种不同波长区域的光,应选用不同材料的光电阴极。第7章 光电式与光导式传感器 国产GD-4型的光电管,阴极是用锑铯材料制成的。其红限0=7000,它对可见光范围的入射光灵敏度比较高,转换效率
11、:25%30%。它适用于白白光光光光源源,因而被广泛地应用于各种光电式自动检测仪表中。对红红外外光光源源,常用银氧铯阴极,构成红外传感器。对紫紫外外光光源源,常用锑铯阴极和镁镉阴极。另外,锑钾钠铯阴极的光谱范围较宽,为30008500,灵敏度也较高,与人的视觉光谱特性很接近,是一种新型的光电阴极;但也有些光电管的光谱特性和人的视觉光谱特性有很大差异,因而在测量和控制技术中,这些光电管可以担负人眼所不能胜任的工作,如坦克和装甲车的夜视镜等。一般充气光电管当入射光频率大于8000Hz时,光电流将有下降趋势,频率愈高,下降得愈多。第7章 光电式与光导式传感器(二)、光电倍增管及其基本特性(二)、光电
12、倍增管及其基本特性1.1.结构和工作原理结构和工作原理入射光光电阴极第一倍增极阳极第三倍增极由由光光阴阴极极、次次阴阴极极(倍倍增增电电极极)以以及及阳阳极极三三部分组成。部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成;次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的,次阴极多的可达30级;阳极是最后用来收集电子的,收集到的电子数是阴极发射电子数的105106倍。第7章 光电式与光导式传感器 2.2.主要参数主要参数(1)倍增系数M如果n个倍增电极的都相同,则M=因此,阳极电流I 为 I=ii 光电阴极的光电流光电倍增管的电流放大倍数为 =I/i =103104105106255075100125
13、极间电压/V放大倍数第7章 光电式与光导式传感器(2)光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度阴极灵敏度:阴极灵敏度:一个光子在光电倍增管的阴极上能够打出的平均电子数。总灵敏度总灵敏度:一个光子在阳极上产生的平均电子数。极间电压越高,灵敏度越高;但极间电压也不能太高,太高反而会使阳极电流不稳。另外,由于光电倍增管的灵敏度很高,所以不能受强光照射,否则将会损坏。第7章 光电式与光导式传感器(3)暗电流和本底脉冲暗电流:暗电流:由于环境温度、热辐射和其它因素的影响,即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流,这种电流称为暗电流。本底电流:本底电流:如果光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全蔽光情况下,出现的
14、电流称为本底电流,其值大于暗电流。增加的部分是宇宙射线对闪烁体的照射而使其激发,被激发的闪烁体照射在光电倍增管上而造成的,本本底底电流电流具有脉冲形式脉冲形式。第7章 光电式与光导式传感器 光电倍增管的光照特性与直线最大偏离是3%10131010109107105103101在45mA处饱和10141010106102光通量/1m阳极电流/A(4)光电倍增管的光谱特性第7章 光电式与光导式传感器 五、内光电效应器件五、内光电效应器件(一)、光敏电阻光敏电阻又称光导管,为纯电阻元件,其工作原理是基于光电导效应,其阻值随光照增强而减小。1 1、光敏电阻的结构、光敏电阻的结构第7章 光电式与光导式传
15、感器 2.2.光敏电阻的主要参数和基本特性光敏电阻的主要参数和基本特性(1 1)暗电阻、亮电阻、光电流)暗电阻、亮电阻、光电流暗电流:光敏电阻在室温条件下,全暗(无光照射)后经过一定时间测量的电阻值,称为暗电阻。此时在给定电压下流过的电流。亮电流:光敏电阻在某一光照下的阻值,称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流。光电流:亮电流与暗电流之差。第7章 光电式与光导式传感器(2 2)光照特性)光照特性012345I/mA L/lx10002000第7章 光电式与光导式传感器(3 3)光谱特性)光谱特性312/m204060801004080120160200240相对灵敏度1硫化镉2硒化镉3硫化铅第
16、7章 光电式与光导式传感器(4)伏安特性在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。5010015020012U/V02040I/A第7章 光电式与光导式传感器(5)频率特性当光敏电阻受到脉冲光照射时,光电流要经过一段时间才能达到稳定值,而在停止光照后,光电流也不立刻为零,这就是光敏电阻的时延特性。20406080100I/%f/Hz010102103104硫化铅硫化镉第7章 光电式与光导式传感器(6)温度特性I/A100150200-50-1030 5010-30T/C2040608010001.02.03.04.0/mI/mA+20C-20C第7章 光电式与光导式传感
17、器 当当光光照照到到PN结结区区时时,如如果果光光子子能能量量足足够够大大,将将在在结结区区附附近近激激发发出出电电子子-空空穴穴对对,在在N区区聚聚积积负负电电荷荷,P区区聚聚积积正正电电荷荷,这这样样N区区和和P区区之之间间出出现现电电位位差差。若将PN结两端用导线连起来,电路中有电流流过,电流的方向由P区流经外电路至N区。若将外电路断开,就可测出光生电动势。I光P N1、光电池的结构和工作原理(二)、光电池(二)、光电池第7章 光电式与光导式传感器 IU光电池的表示符号基本电路第7章 光电式与光导式传感器(1 1)光照特性)光照特性开路电压曲线:光生电动势与照度之间的特性曲线,当照度为2
18、000lx时趋向饱和。短路电流曲线:光电流与照度之间的特性曲线2.基本特性L/klx5432100.10.20.30.40.5246810开路电压Uoc/VIsc/mA(a)硅光电池短路电流L/klx0.10.20.30.40.50.30.1012345Uoc/VIsc/mA(b)硒光电池开路电压短路电流第7章 光电式与光导式传感器 02468100.10.20.30.40.5I/mAL/klx5010010005000RL=0第7章 光电式与光导式传感器 204060801000.40.60.81.01.20.2I /%12/m(2)(2)光谱特性光谱特性1硒光电池2硅光电池第7章 光电式与
19、光导式传感器(3 3)温度特性)温度特性光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的关系。2004060904060UOC/mVT/CISCUOCISC/A600400200UOC开路电压ISC短路电流硅光电池在1000lx照度下的温度特性曲线第7章 光电式与光导式传感器 1.光敏二极管光敏二极管的结构与一般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中,其PN结装在管顶,可直接受到光照射。光敏二极管在电路中一般是处于反反向向工工作作状状态态,如图所示。PN光光敏二极管符号光敏二极管接线RL 光PN(三)、光敏二极管和光敏三极管(三)、光敏二极管和光敏三极管第7章 光电式与光导式传感器 2.光敏三极管
20、当光线照射在集电结的基区时,会产生电子-空穴对,在内电场的作用下,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发射极间的电压升高,这样便有大量的电子流向集电极,形成输出电流,且集电极电流为光电流的倍。NNPe bc RL EPPN bec第7章 光电式与光导式传感器(1 1)光谱特性)光谱特性硅锗相对灵敏度/%入射光/400080001200016000100806040200第7章 光电式与光导式传感器(2 2)伏安特性)伏安特性500lx1000lx1500lx2000lx2500lxI/mA024620406080光敏晶体管的伏安特性U/V第7章 光电式与光导式传感器 光敏晶体管的光照特
21、性I/AL/lx200400600800100001.02.03.0(3 3)光照特性)光照特性第7章 光电式与光导式传感器 暗电流/mA102030 4050 6070T/C25050光电流/mA100020030040010 20 30 40 50 60 70 80T/C(4 4)温度特性)温度特性第7章 光电式与光导式传感器(5 5)光敏三极管的频率特性)光敏三极管的频率特性0100100050050001000020406010080RL=1kRL=10kRL=100k入射光调制频率入射光调制频率/HZ相相对对灵灵敏敏度度/%光敏晶体管的频率特性第7章 光电式与光导式传感器(四)光电耦
22、合器件(四)光电耦合器件1.光电耦合器光电耦合器光电耦合器的发光元件和接收元件都封装在一个外壳内,一般有金属封装和塑料封装两种。发光器件通常采用砷化镓发光二极管,其管芯由一个PN结组成,随着正向电压的增大,正向电流增加,发光二极管产生的光通量也增加。光电接收元件可以是光敏二极管和光敏三极管,也可以是达林顿光敏管。第7章 光电式与光导式传感器 2.光电开关光电开关光电开关是一种利用感光元件对变化的入射光加以接收,并进行光电转换,同时加以某种形式的放大和控制,从而获得最终的控制输出“开”、“关”信号的器件。第7章 光电式与光导式传感器 第7章 光电式与光导式传感器 1、烟尘浊度监测仪六、光电传感器
23、的应用举例六、光电传感器的应用举例平行平行光源光源光电光电探测探测放大放大显示显示刻度刻度校正校正报警器报警器烟道烟道第7章 光电式与光导式传感器 2、光电转速传感器231231第7章 光电式与光导式传感器 3、光电池应用、光电池应用光电池主要有两大类型的应用:光电池主要有两大类型的应用:将将光光电电池池作作光光伏伏器器件件使使用用,利利用用光光伏伏作作用用直直接接将将大大阳阳能能转转换换成成电电能能,即即太太阳阳能能电电池池。这这是是全全世世界界范范围围内内人人们们所所追追求求、探探索索新新能能源源的的一一个个重重要要研研究究课课题题。太太阳阳能能电电池池已已在在宇宇宙宙开开发发、航航空空、
24、通通信信设设施施、太太阳阳电电池池地地面面发发电电站站、日日常常生生活活和和交交通通事事业业中中得得到到广广泛泛应应用用。目目前前太太阳阳电电池池发发电电成成本本尚尚不不能能与与常常规规能能源源竞竞争争,但但是是随随着着太太阳阳电电池池技技术术不不断断发发展展,成成本本会会逐逐渐渐下下降降,太太阳阳电电池池定定将将获获得得更更广广泛泛的应用。的应用。将将光光电电池池作作光光电电转转换换器器件件应应用用,需需要要光光电电池池具具有有灵灵敏敏度度高高、响响应应时时间间短短等等特特性性,但但不不必必需需要要像像太太阳阳电电池池那那样样的的光光电电转转换换效效率率。这这一一类类光光电电池池需需要要特特
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