【教学课件】第2章组合逻辑电路.ppt
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1、数字电子技术(基础)数字电子技术(基础)学习要点:学习要点:运用组合电路的分析方法对具体电路进行分析;运用组合电路的设计方法设计出所需的电路;组合逻辑电路中的竞争冒险现象、产生的原因、判断方法及消除方法。第二章第二章 组合逻辑电路组合逻辑电路.2 组合逻辑电路的组合逻辑电路的分析与设计方法分析与设计方法2.2 2.2 组合逻辑电路的分析方法组合逻辑电路的分析方法组合逻辑电路的分析方法组合逻辑电路的分析方法2.3 2.3 组合逻辑电路的设计方法组合逻辑电路的设计方法组合逻辑电路的设计方法组合逻辑电路的设计方法2.4 2.4 组合逻辑电路中的竞争冒组合逻辑电路中的竞争冒组合逻辑电路中的竞争冒组合逻
2、辑电路中的竞争冒 险险险险退出退出退出退出 第二章第二章 组合逻辑电路组合逻辑电路2.1 2.1 集成门电集成门电集成门电集成门电 路路路路2.1 2.1 集成门电路一、一、一、一、TTL门电路门电路二、二、二、二、CMOS门电路门电路三、三、三、三、数字集成电路的品种类型数字集成电路的品种类型四、四、四、四、数字集成电路的性能参数和使用数字集成电路的性能参数和使用参见阎石主编的数字电路技术基础第四版45123集成电路的外部特性包含两个内容,一个是输入与输出之间的逻辑关系,即所谓的逻辑功能;另一个是外部的电气特性,包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性。电气特性是实际使用集成电路必要的
3、基础。将数字电路的元、器件和连线制作在同一硅片上的器件,称为集成电路Integrated Circuit,简称IC)。它于1961年在美国德克萨斯仪器公司诞生。按集成度(即每一片硅片中所含元、器件数)的多少,集成电路可分成:小规模集成电路(Small Scale Integration,简称SSI)、中规模集成电路(Medium Scale Integration,简称MSI)、大规模集成电路(Large Scale Integration,简称LSI)、超大规模集成电路(Very Large Scale Integration,简称VLSI)。根据制造工艺不同,集成电路可分成双极型和单极型两
4、大类:双极型有输入端和输出端均为三极管结构的逻辑电路(Transistor-Transistor Logic,简称TTL电路)、发射极耦合逻辑电路(Emitter Coupled Logic,简称ECL电路)、集成注入逻辑(Integrated Injaction Logic,简称I2L电路)。单极型有互补型金属-氧化物-半导体场效应管电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,简称CMOS电路)、N沟道金属-氧化物-半导体场效应管电路(N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor,简称NMOS电路)、P沟道金属-氧化物-半导
5、体场效应管电路(N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor,简称PMOS电路)和双极型CMOS电路(Bipolar-CMOS,简称Bi-CMOS电路)等等。一、TTL门电路TTL门电路由双极型三极管构成,它的特点是速度快、抗静电能力强、集成度低、功耗大,目前广泛应用于中、小规模集成电路中。TTL门电路有74(商用)和54(军用)两大系列,每个系列中又有若干子系列,例如,74系列包含如下基本子系列:与非门7400为例,说明74系列中各子系列的差别74:标准TTL(Standard TTL)。74H:高速TTL(Highspeed TTL)。输出级采用了达林顿(复合三极
6、管)结构,将所有的电阻值降低将近一半,提高了平均传输速度近一倍(通常在10ns以下)。功耗大。74S:肖特基TTL(Schottky TTL)。采用抗饱和三极管(或称肖特基三极管,是普通三极管和肖特基势垒二极管组合而成),避免三极管导通是深度饱和,从而缩短了传输时间;增加了一个有源泄放回路,缩短了门电路的传输时间,改善了门电路的电压传输特性。功耗大,输出低电平升高(最大值可达0.5V)74:标准TTL(Standard TTL)。74H:高速TTL(Highspeed TTL)。输出级采用了达林顿(复合三极管)结构,将所有的电阻值降低将近一半,提高了平均传输速度近一倍(通常在10ns以下)。功
7、耗大。74H系列与非门电路。肖特基TTL(Schottky TTL)。采用抗饱和三极管(或称肖特基三极管,是普通三极管和肖特基势垒二极管组合而成),避免三极管导通是深度饱和,从而缩短了传输时间;增加了一个有源泄放回路,缩短了门电路的传输时间,改善了门电路的电压传输特性。功耗大,输出低电平升高(最大值可达0.5V)74H系列与非门电路。74S系列与非门电路。74S系列与非门电路。74LS系列与非门电路。74LS:低功耗肖特基TTL(Lowpower Schottky TTL)。除同74S一样,采用抗饱和三极管、引入有源泄放回路以外,还采用了将输入端的多发射极三极管改用肖特基势垒二极管、在T4的基
8、极和发射极各接入一个二极管以缩短了门电路的传输时间。采用提高电路中各个电阻的电阻值、将管的发射极接地电阻改接到输出端,来降低功耗,功耗仅为74系列的五分之一,为74H系列的十分之一。74LS:低功耗肖特基TTL(Lowpower Schottky TTL)。除同74S一样,采用抗饱和三极管、引入有源泄放回路以外,还采用了将输入端的多发射极三极管改用肖特基势垒二极管、在T4的基极和发射极各接入一个二极管以缩短了门电路的传输时间。采用提高电路中各个电阻的电阻值、将管的发射极接地电阻改接到输出端,来降低功耗,功耗仅为74系列的五分之一,为74H系列的十分之一。74AS:先进肖特基TTL(Advanc
9、ed Schottky TTL)。除了采用很低的电阻外,结构与74LS结构类似,速度快,但功耗也较74LS结构大。74ALS:先进低功耗肖特基TTL(Advanced Lowpower Schottky TTL)。与74AS系列比较,采用了更高的的电阻,来降低功耗,通过改进工艺缩小器件尺寸,获得更短的延时,来提高速度。54系列和74系列具有相同的子系列,两个系列的参数基本相同,主要在电源电压范围和工作环境温度范围上有所不同,54系列适应的范围更大些,如表21所示。表21 54系列与74系列的比较 系列 电源电压/V 环境温度/54 4.55.5 -55+125 74 4.755.25 070不
10、同子系列在速度、功耗等参数上有所不同。TTL门电路采用5V电源供电。CMOS门电路由场效应管构成,它的特点是集成度高、功耗低、速度慢、抗静电能力差。虽然TTL门电路由于速度快和更多类型选择而流行多年,但CMOS门电路具有功耗低、集成度高的优点,而且其速度已经获得了很大的提高,目前已可与TTL门电路相媲美。因此,CMOS门电路获得了广泛的应用,特别是在大规模集成电路和微处理器中目前已经占据支配地位。二、CMOS门电路 每个系列的数字集成电路都有很多不同的品种类型,用不同的代码表示,例如:00:4路2输入与非门 02:4路2输入或非门 08:4路2输入与门 10:3路3输入与非门 20:双路4输入
11、与非门 27:3路3输入或非门 32:4路2输入或门 86:4路2输入异或门三、数字集成电路的品种类型具有相同品种类型代码的逻辑电路,不管属于哪个系列,它们的逻辑功能相同,引脚也兼容。例,7400,74LS00,74ALS00,74HC00,74AHC00都是引脚兼容的4路2输入与非门封装,引脚排列和逻辑图如图21所示。数字集成电路的性能参数主要包括:直流电源电压、输入/输出逻辑电平、扇出系数、传输延时、功耗等。四、数字集成电路的性能参数和使用4)传输延时tP或tpd 传输延时tP指输入变化引起输出变化所需的时间,它是衡量逻辑电路工作速度的重要指标。传输延时越短,工作速度越快,工作频率越高。t
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