熔体中的晶体生长技术提拉法幻灯片.ppt
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1、熔体中的晶体生长技术提拉法第1页,共68页,编辑于2022年,星期一提拉法生长仿祖母绿合成品第2页,共68页,编辑于2022年,星期一第3页,共68页,编辑于2022年,星期一第4页,共68页,编辑于2022年,星期一提拉法生长无色蓝宝石第5页,共68页,编辑于2022年,星期一第6页,共68页,编辑于2022年,星期一第7页,共68页,编辑于2022年,星期一第8页,共68页,编辑于2022年,星期一1提拉法提拉法生长设备生长设备介绍介绍YAG生长设备1.保温加热系加热系统统第9页,共68页,编辑于2022年,星期一3.坩锅传动系统气氛控制系统2.后热器第10页,共68页,编辑于2022年,
2、星期一后热器的后热器的主要作用主要作用是调节晶是调节晶体和熔体体和熔体之间的温之间的温度梯度度梯度。第11页,共68页,编辑于2022年,星期一2提拉法生长工艺a生长过程生长过程。b直径自动控制直径自动控制。(ADC技术)技术)c材料挥发的控制材料挥发的控制。d温场的选择与控制温场的选择与控制。e生长速率的控制生长速率的控制。3提拉法生长晶体实例稀土镓石榴石(GGG)第12页,共68页,编辑于2022年,星期一a生长过程生长过程第13页,共68页,编辑于2022年,星期一第14页,共68页,编辑于2022年,星期一第15页,共68页,编辑于2022年,星期一b直径自动控制(ADC)back第1
3、6页,共68页,编辑于2022年,星期一c材料挥发的控制高温下材料的挥发,改变了熔体的化学配比,造成熔体某成分的过剩,组分过冷的改变等一系列影响。因此,人们发展了液相覆盖技术和高压单晶炉覆盖技术和高压单晶炉。第17页,共68页,编辑于2022年,星期一覆盖物质应具有以下性质:密度小于熔体的密度,透明,对熔体、坩埚和气氛是化学惰性的,能够浸润晶体、熔体和坩埚,并具有较大的粘度。目前,最好的覆盖物质是熔融的B2O3back第18页,共68页,编辑于2022年,星期一d温场的选择与控制为克服组分过冷,需要有大的温度梯度;为防止开裂、为克服组分过冷,需要有大的温度梯度;为防止开裂、应力和降低位错密度,
4、需要小的温度梯度应力和降低位错密度,需要小的温度梯度。因此,所谓合适的温场没有一个严格的判据。一般来说,对于掺质的需要大的温度梯度(特别是界面处)一般来说,对于掺质的需要大的温度梯度(特别是界面处);而不掺质的或者容易开裂的,采用小的温度梯度;而不掺质的或者容易开裂的,采用小的温度梯度。因此,合适的温场的选择和控制,只能根据材料特性作出初步判断,通过实验加以解决。加大温度梯度方法:缩小熔体和熔体上方空间的距离(轴向距离)减小温度梯度的方法:采用适当的后热器back第19页,共68页,编辑于2022年,星期一e生长速率的控制提拉速度不能超过临界值提拉速度不能超过临界值,该临界值决定于材料的性质和
5、生长参数。例如:晶体热导率Ks较高的材料比Ks较低的材料(氧化物或者是有机物)可有较大的生长率。生长参数:界面翻转、晶体内所允许的最大热应力fp宏观生长率fo大于晶体的提拉速率fo(R2/R2-r2)fpR和r分别为甘埚和晶体的半径。第20页,共68页,编辑于2022年,星期一back第21页,共68页,编辑于2022年,星期一3提拉法生长晶体实例稀土镓石榴石(GGG)石榴石主要包括的六种矿物:石榴石主要包括的六种矿物:(1)镁铝榴石(Pyrope),也叫红榴石(2)铁铝榴石(Almandine),也叫贵榴石(3)锰铝榴石(Spessartite)(4)钙铝榴石(Grossular),水钙铝榴
6、石(5)钙铁榴石(Andradite),含Cr叫翠榴石(6)钙铬榴石(Uvarovite),也叫绿榴石第22页,共68页,编辑于2022年,星期一天然石榴石天然石榴石第23页,共68页,编辑于2022年,星期一YIG第24页,共68页,编辑于2022年,星期一YIG第25页,共68页,编辑于2022年,星期一人工合成GGG第26页,共68页,编辑于2022年,星期一天然形成的石榴石主要是金属的硅酸盐例如:Ca3Fe2SiO4,Mn3Al2SiO43人工研制的石榴石,如钇铁石榴石(YIG)、钇铝石榴石(YAG)和钆镓石榴石(GGG)等.以上三大类人工石榴石,即由稀士稀士(Yt,Nd)和铁、铝、镓
7、铁、铝、镓(Ga)分别完全取代取代天然石榴石中的金属元素和硅金属元素和硅,所形成的稀土铁石榴石、稀土铝石榴石和稀土镓石榴石第27页,共68页,编辑于2022年,星期一在这三类稀土石榴石中,稀土铁石榴石(YIG)不透明,难以用作装饰品;稀土铝石榴石(YAG)存在折射率不够高,不易掺质稀土镓石榴石(GGG)由于其本身的结构特点,不但能进行多种形式的掺质,而且通过辐照还可以形成稳定的色心,使其单晶体呈现绚丽多彩的漂亮颤色,最适宜作为装饰宝石材料。常用的掺质元素为:Cr,Co,Ni等过渡族元素氧化物和稀土Nd,Er的氧化物。第28页,共68页,编辑于2022年,星期一石榴石生长的主要方法在于原料的区别
8、和是否考虑掺杂问题,一般生长过程包括以下几个方面:a原料准备b保护气氛c生长条件d掺杂生长e晶体的透过率与颜色第29页,共68页,编辑于2022年,星期一a原料准备:Ga2O3(氧化镓)Gd2O3(氧化钆)经过焙烧,脱水,按照比例配料,混合后经压机压紧后在1250进行固相反应,充分反应后的原料可供晶体生长使用。b保护气氛:GGG的熔点为1750摄氏度,一般采用铱坩埚,但铱坩埚存在氧化的问题。因此加入高纯氮气和2%的氩气。第30页,共68页,编辑于2022年,星期一c生长条件:提拉速度一般在5-10mm/h范围内。若掺质或生长大直径的晶体,要放慢生长速度。生长最合适的方向为111d掺杂生长:掺质
9、生长存在一个分凝问题。分凝系数有的大于1有的小于1,因此掺质的浓度也不同。e晶体的透过率与颜色:第31页,共68页,编辑于2022年,星期一纯GGG和掺杂Cr3纯GGG和掺杂Co3第32页,共68页,编辑于2022年,星期一纯GGG和掺杂Nd3第33页,共68页,编辑于2022年,星期一4提拉法生长晶体实例蓝宝石提拉晶体的放肩控制蓝宝石提拉晶体的放肩控制 蓝宝石单晶的应用非常广泛。以蓝宝石蓝宝石单晶的应用非常广泛。以蓝宝石单晶片作绝缘村底的集成芯片,航天工业作单晶片作绝缘村底的集成芯片,航天工业作红外透光材料用得最多;工业中作宝石轴承、红外透光材料用得最多;工业中作宝石轴承、仪表等;人们生活中
10、作宝石表面、装饰等。仪表等;人们生活中作宝石表面、装饰等。提拉法生长的蓝宝石单晶适用于红外、半导提拉法生长的蓝宝石单晶适用于红外、半导体发光及集成电路的大量需要。体发光及集成电路的大量需要。第34页,共68页,编辑于2022年,星期一原料:原料:白色合成蓝宝石碎块白色合成蓝宝石碎块TiO2+Fe2O3,TiO2、Fe2O3配比视颜色而定。配比视颜色而定。工艺参数:工艺参数:2050以上,转速:以上,转速:1015r/min,提拉:提拉:110mm/h第35页,共68页,编辑于2022年,星期一放肩过程中在放肩过程中在dtdt时间内凝固的晶体质量为:时间内凝固的晶体质量为:第36页,共68页,编
11、辑于2022年,星期一r表示放肩生长出晶体的半径。上面方程表明在拉速和熔体中温度梯度不变的情况下,肩部面积随时间接指数律增加。这就要求拉晶工作者在晶体直径达到预定尺寸前就要考虑到肩部自发增长的倾向,提前采取措施。第37页,共68页,编辑于2022年,星期一Al2O3放肩过程中可能出现的几种情放肩过程中可能出现的几种情况况第38页,共68页,编辑于2022年,星期一5提拉法生长晶体实例单晶硅的缩颈和收尾工艺单晶硅的缩颈和收尾工艺实验发现,如果籽晶的质量不好,那么籽晶中的实验发现,如果籽晶的质量不好,那么籽晶中的继承性缺陷(如位错、晶界)会引申到晶体中。因此,继承性缺陷(如位错、晶界)会引申到晶体
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