STM32 闪存编程总结--杨国文.pdf

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1、STM32 闪存编程总结闪存编程总结STM32 的 FLASH 包括主存储块和信息块两部分，主存储块用于存储程序代码，信息块存储的是 STM32 的一些原始信息。闪存的接口具有以下特性：选择字节加载；闪存编程/擦写操作；读出/写入保护（防止代码被破解）；带预取缓冲器的毒接口（264bits）。闪存编程：1、FLASH 解锁：复位后闪存擦写控制器模块是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入两个关键字（KEY1、KEY2）到 FLASH_KEYR 中打开闪存擦写控制器，才可进行编程操作。其中键值 KEY1、KEY2 是定植，可查询 STM32 手册获知；2、页擦除：STM32 的

2、FLASH 是以页为单位的，因此对 FLASH 的操作也是对其页进行擦写和编程。检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认是否为状态忙，即是否有其他正在进行的操作；用 FLASH_AR 寄存器选择要操作的页，即写入需要操作的 FLASH 的页地址；FLASH_AR 寄存器用于对 FLASH 的页擦除和编程选择地址，当 FLASH_SR中的 BSY位为1时，不能写这个寄存器。设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为 1，使能页擦除；设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为 1，触发擦除操作；等待 BSY 位变为 0，即不忙了，已经擦除完毕；读出被擦除的页并作验证，以确认完

3、成擦除（可选）。3、全部操作：一般使用草寇编程下载时，将对 FLASH 进行一次全擦除操作，页可通过户口程序来对 FLASH 进行全擦除；检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认是否为状态忙，即是否有其他正在进行的操作；设置 FLASH_CR 寄存器的 MER 位为 1，使能全擦除；设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为 1，触发擦除操作；等待 BSY 位变为 0，即不忙了，已经擦除完毕；读出所有页并作验证（可选）。注：当闪存操作(编程/擦除)完成时，FLASH_SR 寄存器的 EOP 位硬件设置这位为1，写入1可以清除这位状态。每次成功的编程或擦除都会设置 EOP 状态

4、。4、页编程：可用于编写 Bootloader 代码，存储程序，实现在程序更新代码功能（IAP 功能）。检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认是否为状态忙，即是否有其他正在进行的操作；设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为 1；写入要编程的半字(16bits)到指定的地址 FLASH_AR；等待 BSY 位变为 0，即不忙了，已经擦除完毕；读出所有页并作验证（可选）。从以上可看出 FLASH 的页操作、全操作、编程操作基本相似，擦除操作需使能 STRT 位，全擦除不涉及地址的设置，进行以上这三个操作都需先进行 FLASH 的解锁，然后检查FLASH 的当前状态 FLASH_

5、SR，然后设置 FLASH_CR 寄存器相应的操作位即可。2 0 13.12.19杨国文杨 国文 13-12-19,22:505、信息块擦除：检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认是否为状态忙，即是否有其他正在进行的操作；解除 FLASH_CR 寄存器的 OPTWRE 位，允许对选择字节/小信息块进行编程操作；设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTER 位为 1，擦除选择字节/小信息块；设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为 1，触发擦除操作；等待 BSY 位变为 0；读出小信息块并作验证（可选）。6、选择字节编程解除 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位；解除 FLASH_CR 寄存器的 OPTWRE 位；设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTPG 位为 1，对选择字节编程；写入要编程的半字到指定地址；等待 BSY 位变为 0，即等待不忙；读出小信息块并作验证（可选）。掌握以上操作，即可完全通过函数来实现将数据或文件内容写入到闪存，以实现闪存的编程。然后便可通过 CAN、串口蓝牙等无线方式实现远程 MCU 程序的切换，页可通过其他操作来触发在程序进行代码更新。杨国文 2013.12.192 0 13.12.19杨国文杨 国文 13-12-19,22:50