材料科学基础精选PPT.ppt
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1、材料科学基础第1页,此课件共37页哦在实际晶体中,由于原子(或离子、分子)的热运在实际晶体中,由于原子(或离子、分子)的热运动,以及晶体的形成条件、冷热加工过程和其他辐动,以及晶体的形成条件、冷热加工过程和其他辐射、杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排列不射、杂质等因素的影响,实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整,常存在各种偏离理想结构的可能那样规则、完整,常存在各种偏离理想结构的情况,即情况,即晶体缺陷晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结构敏感性晶体缺陷对晶体的性能,特别是对那些结构敏感性能,如屈服强度、断裂强度、塑性、电阻率、磁导能,如屈服强度、断裂强度、塑性、电阻率、磁导率
2、等有很大影响。另外晶体缺陷还与扩散、相变、率等有很大影响。另外晶体缺陷还与扩散、相变、塑性变形、再结晶、氧化、烧结等有密切关系。塑性变形、再结晶、氧化、烧结等有密切关系。因此,研究晶体缺陷具有重要的理论与实际意义。因此,研究晶体缺陷具有重要的理论与实际意义。第2页,此课件共37页哦晶体结构缺陷的类型晶体结构缺陷的类型按几何形态分类按几何形态分类:1.点缺陷点缺陷2.线缺陷线缺陷3.面缺陷面缺陷第3页,此课件共37页哦1.点缺陷(零维缺陷)点缺陷(零维缺陷)缺缺陷陷尺尺寸寸处处于于原原子子大大小小的的数数量量级级上上,即即三三维维方方向上缺陷的尺寸都很小。向上缺陷的尺寸都很小。包括:包括:空位空
3、位(vacancy)、)、间隙质点间隙质点(interstitialparticle)、)、杂质质点杂质质点(foreignparticle)。)。点点缺缺陷陷与与材材料料的的电电学学性性质质、光光学学性性质质、高高温温动动力力学过程等有关。学过程等有关。第4页,此课件共37页哦图图2-1晶体中的点缺陷晶体中的点缺陷(a)空位空位(b)杂质质点杂质质点(c)间隙质点间隙质点第5页,此课件共37页哦2.线缺陷(一维缺陷)线缺陷(一维缺陷)指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一
4、维方向较长,另外二维方向上很短,如各种长,另外二维方向上很短,如各种位错位错(dislocation)。线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。关。第6页,此课件共37页哦图图4-2 (a)刃位错刃位错(b)螺位错螺位错(a)(b)第7页,此课件共37页哦3.面缺陷面缺陷面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维方向上即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维方向上很小,如晶界、相界等。很
5、小,如晶界、相界等。面缺陷的取向及分布与材料断裂韧性有关。面缺陷的取向及分布与材料断裂韧性有关。第8页,此课件共37页哦图图4-3面缺陷晶界面缺陷晶界第9页,此课件共37页哦2.1点缺陷点缺陷(pointdefects)是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷。的正常排列的一种缺陷。特征:三个方向尺寸都很小,不超过几个原特征:三个方向尺寸都很小,不超过几个原子间距。子间距。晶体点缺陷包括空位、间隙原子、杂质或溶晶体点缺陷包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子,以及由它们组成的复杂点缺陷,如空质原子,以及由它们组成的复杂点缺陷,如空位对、空
6、位团和空位位对、空位团和空位-溶质原子对等。溶质原子对等。第10页,此课件共37页哦 分类方法分别有按照分类方法分别有按照位置位置、成分成分和和产生原产生原因因等不同角度进行分类,不同分类方法可能等不同角度进行分类,不同分类方法可能产生重叠交叉。产生重叠交叉。2.1.1点缺陷的类型点缺陷的类型第11页,此课件共37页哦一、按照位置和成分分类 空位 填隙质点 杂质缺陷 第12页,此课件共37页哦1、空位:正常结点没有被原子或离子所占据,成为空结点,称为空位或空穴 第13页,此课件共37页哦2、填隙质点:原子或离子进入晶体中正常结点之间的间隙位置,成为填隙原子(或离子)或间隙原子(或离子)。从成分
7、上看,填隙质点可以是晶体自身的质点,也可以是外来杂质的质点 第14页,此课件共37页哦3、杂质缺陷:外来杂质质点进入晶体中就会生成杂质缺陷,从位置上看,它可以进入结点位置,也可以进入间隙位置 第15页,此课件共37页哦二、按照缺陷产生原因分类 热缺陷杂质缺陷 非化学计量结构缺陷 第16页,此课件共37页哦1、热缺陷:、热缺陷:当晶体的温度高于当晶体的温度高于0 K时,由于晶格上质点热振动,使一时,由于晶格上质点热振动,使一部分能量较高的质点离开平衡位置而造成缺陷。部分能量较高的质点离开平衡位置而造成缺陷。离开平衡位置的原子有三种去处:离开平衡位置的原子有三种去处:a a 移到晶体表面的正常结点
8、而留移到晶体表面的正常结点而留下空位:肖特基缺陷(下空位:肖特基缺陷(Schottky)b b 挤入点阵的间隙位置,晶体中形成数目相等的空位和间挤入点阵的间隙位置,晶体中形成数目相等的空位和间隙原子称为弗仑克尔缺陷(隙原子称为弗仑克尔缺陷(Frenkel)C C 跑到其他晶体缺陷处而使空位消失或使空位移位。跑到其他晶体缺陷处而使空位消失或使空位移位。第17页,此课件共37页哦图图2-4热缺陷产生示意图热缺陷产生示意图(a)弗仑克尔缺陷的形成(空位)弗仑克尔缺陷的形成(空位与间隙质点成对出现)与间隙质点成对出现)(b)单质中的肖特基缺陷的形成)单质中的肖特基缺陷的形成第18页,此课件共37页哦(
9、1)弗仑克尔缺陷:)弗仑克尔缺陷:在晶格热振动时,一些能量较大的质点离开平衡位置后,在晶格热振动时,一些能量较大的质点离开平衡位置后,进入到间隙位置,形成间隙质点,而在原来位置上形成空进入到间隙位置,形成间隙质点,而在原来位置上形成空位位。特点:间隙质点与空位总是成对出现特点:间隙质点与空位总是成对出现 第19页,此课件共37页哦(2)肖特基缺陷:)肖特基缺陷:如果正常格点上的质点,在热起伏过程中获得能量离如果正常格点上的质点,在热起伏过程中获得能量离开平衡位置迁移到晶体的表面,而在晶体内部正常格点上开平衡位置迁移到晶体的表面,而在晶体内部正常格点上留下空位。留下空位。特点:特点:肖特基缺陷的
10、生成需要一个像晶界、位错或者表面之类的晶肖特基缺陷的生成需要一个像晶界、位错或者表面之类的晶格排列混乱的区域;格排列混乱的区域;正离子空位和负离于空位按照分子式同时成对产生;正离子空位和负离于空位按照分子式同时成对产生;伴随晶体体积增加。伴随晶体体积增加。第20页,此课件共37页哦取取代代由于外来质点进入晶体而产生的缺陷由于外来质点进入晶体而产生的缺陷填填隙隙 杂质掺杂量一般较小杂质掺杂量一般较小(0.1%),进),进入晶体后无论位于何处,均因杂质入晶体后无论位于何处,均因杂质质点和原有的质点性质不同,故它质点和原有的质点性质不同,故它不仅破坏了质点有规则的排列,而不仅破坏了质点有规则的排列,
11、而且在杂质质点周围的周期势场引起且在杂质质点周围的周期势场引起改变,因此形成改变,因此形成种缺陷。种缺陷。2、杂质缺陷:、杂质缺陷:第21页,此课件共37页哦 晶体中杂质含量在未超过其固溶度时,晶体中杂质含量在未超过其固溶度时,杂质缺陷的浓度与温度无关,这与热缺陷是杂质缺陷的浓度与温度无关,这与热缺陷是不同的。不同的。第22页,此课件共37页哦1-1-大的置换原子大的置换原子 4-4-复合空位复合空位2-2-肖脱基空位肖脱基空位 5-5-弗兰克尔空位弗兰克尔空位3-3-异类间隙原子异类间隙原子 6-6-小的置换原子小的置换原子第23页,此课件共37页哦缺陷产生的能量变化形成空位或间隙原子等点缺
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