第1章常用半导体器件及其应用精选PPT.ppt
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1、第第1章常用半章常用半导体器体器件及其件及其应用用第1页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用第第1 1章章 常用半导体器件及常用半导体器件及其应用其应用本章要点本章要点 半导体器件的基础知识 半导体二极管的基本知识与应用 整流、滤波电路的分析与应用 第2页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 晶体管的基本知识与应用 场效应晶体管的基本知识 直流稳压电路的分析与应用第3页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.1 1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识 1.1.1 1.1.1 半导体的特性半导体的特性 1.1.热敏特性热敏特性 半导体
2、对温度很敏感,其电阻率随着温度的升高而半导体对温度很敏感,其电阻率随着温度的升高而显著减小。利用这一特性制成了各种自动控制装置中常显著减小。利用这一特性制成了各种自动控制装置中常用的热敏电阻传感器和能迅速测量物体温度变化的半导用的热敏电阻传感器和能迅速测量物体温度变化的半导体点温计等。体点温计等。第4页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用2.2.光敏特性光敏特性 半导体对光照很敏感,光照射时,其电阻值会显著减半导体对光照很敏感,光照射时,其电阻值会显著减小。利用这一特性制成了光敏电阻、光电二极管、光电三小。利用这一特性制成了光敏电阻、光电二极管、光电三极管及太阳能电池等极管
3、及太阳能电池等。3.3.杂敏特性杂敏特性 半导体对杂质很敏感,在纯净的半导体中掺入半导体对杂质很敏感,在纯净的半导体中掺入微量杂质,可以显著改变它的导电能力。利用这一微量杂质,可以显著改变它的导电能力。利用这一特性制成了不同性能、不同用途的半导体器件,如特性制成了不同性能、不同用途的半导体器件,如二极管、三极管等。二极管、三极管等。第5页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.1.2 1.1.2 半导体的结构半导体的结构 一般半导体都是晶体结构,所以半导体管又叫做晶一般半导体都是晶体结构,所以半导体管又叫做晶体管。最常见的半导体材料为硅和锗,它们的结构如图体管。最常见的半导
4、体材料为硅和锗,它们的结构如图所示。所示。硅和锗原子结构平面示意图硅和锗原子结构平面示意图第6页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.1.3 1.1.3 本征半导体本征半导体 1.1.本征半导体中的两种载流子本征半导体中的两种载流子 自由电子带负电荷,空穴是因为原子失去电子而产生自由电子带负电荷,空穴是因为原子失去电子而产生的,故带正电荷。的,故带正电荷。由于它们都是携带电荷的粒子,因此称自由电子为电由于它们都是携带电荷的粒子,因此称自由电子为电子载流子,称空穴为空穴载流子。子载流子,称空穴为空穴载流子。第7页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用2.2
5、.两种导电方式两种导电方式 半导体中将会出现两部分电流:一部分是自由电半导体中将会出现两部分电流:一部分是自由电子在外电场作用下逆电场方向运动形成的电子电流;子在外电场作用下逆电场方向运动形成的电子电流;另一部分是空穴在外电场作用下顺电场方向运动形成另一部分是空穴在外电场作用下顺电场方向运动形成的空穴电流。的空穴电流。3.3.自由电子和空穴的复合自由电子和空穴的复合 因为热运动中自由电子和空穴两者如果相遇,则空穴因为热运动中自由电子和空穴两者如果相遇,则空穴会被自由电子填补掉,两种载流子就会一起消失,这个过会被自由电子填补掉,两种载流子就会一起消失,这个过程称为复合。程称为复合。第8页,此课件
6、共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.1.4 1.1.4 杂质半导体杂质半导体 1.P1.P型(空穴型)半导体型(空穴型)半导体 掺入硼杂质的硅(或锗)半导体中就具有相当掺入硼杂质的硅(或锗)半导体中就具有相当数量的空穴载流子,这种半导体主要靠空穴导电,数量的空穴载流子,这种半导体主要靠空穴导电,所以被称为空穴型半导体,简称为所以被称为空穴型半导体,简称为P P型半导体。在型半导体。在P P型型半导体中,不但有数量很多的空穴半导体中,不但有数量很多的空穴而且还有少量的自由电而且还有少量的自由电子存在,空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。子存在,空穴是多数载流子,自由电子是少数
7、载流子。第9页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用2.N2.N型(电子型)半导体型(电子型)半导体 掺入磷杂质的硅(或锗)半导体中就具有相当数掺入磷杂质的硅(或锗)半导体中就具有相当数量的自由电子载流子,这种半导体主要靠自由电子导量的自由电子载流子,这种半导体主要靠自由电子导电,所以被称为电子型半导体,简称为电,所以被称为电子型半导体,简称为N N型半导体。在型半导体。在N N型半导型半导体中,不但有数量很多的自由电子而且还有少量的体中,不但有数量很多的自由电子而且还有少量的空穴存在,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。空穴存在,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
8、第10页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.1.5 PN1.1.5 PN结结 通过一定的生产工艺把一块半导体的通过一定的生产工艺把一块半导体的P P区部分和区部分和N N区部区部分结合在一起,则它们的交界处就会形成一个具有特殊分结合在一起,则它们的交界处就会形成一个具有特殊性能的薄层,称为性能的薄层,称为PNPN结。结。PNPN结具有单向导电性,它是二结具有单向导电性,它是二极管、三极管、晶闸管以及半导体集成电路等半导体器件极管、三极管、晶闸管以及半导体集成电路等半导体器件的核心部分。的核心部分。1.PN1.PN结的形成结的形成第11页,此课件共108页哦模拟电子技术与
9、应用模拟电子技术与应用2.PN2.PN结的特性结的特性 外加正向电压时,外加正向电压时,PNPN结的正向电阻很小,正向电流结的正向电阻很小,正向电流较大,是多数载流子的扩散运动形成的,此时较大,是多数载流子的扩散运动形成的,此时PNPN结正向结正向导通。导通。外加反向电压时,外加反向电压时,PNPN结的反向电阻很小,反向电流结的反向电阻很小,反向电流很小,是少数载流子的漂移运动形成的,此时很小,是少数载流子的漂移运动形成的,此时PNPN结反向截结反向截止。止。PNPN结的这种特性称为单向导电性。结的这种特性称为单向导电性。第12页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.2
10、1.2 半导体二极管半导体二极管 1.2.1 1.2.1 二极管的结构和类型二极管的结构和类型 从二极管从二极管P P区引出的外引线称为二极管的阳极,区引出的外引线称为二极管的阳极,将从二极管将从二极管N N区引出的外引线称为二极管的阴极。二区引出的外引线称为二极管的阴极。二极管的符号如图所示,其中三角箭头表示正向电流极管的符号如图所示,其中三角箭头表示正向电流的方向,正向电流从二极管的阳极流入,阴极流出。的方向,正向电流从二极管的阳极流入,阴极流出。第13页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用二极管的结构和符号二极管的结构和符号 第14页,此课件共108页哦模拟电子技术与
11、应用模拟电子技术与应用 二极管有许多种类型。从工艺上分,有点接触型和二极管有许多种类型。从工艺上分,有点接触型和面接触型;从材料上分,由硅二极管和锗二极管;从用面接触型;从材料上分,由硅二极管和锗二极管;从用途上分,有整流管、检波二极管、稳压二极管、光电二途上分,有整流管、检波二极管、稳压二极管、光电二极管和开关二极管等。极管和开关二极管等。第15页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 根据理论分析,根据理论分析,PNPN结两端的电压与流过结两端的电压与流过PNPN结的电结的电流之间的关系可表示为:流之间的关系可表示为
12、:1.PN1.PN结的伏安特性方程结的伏安特性方程 此式称为理想二极管电流方程。式中,此式称为理想二极管电流方程。式中,I IS S称为称为PNPN结的反向饱和电流,结的反向饱和电流,U UT T称为温度的电压当量,常温下称为温度的电压当量,常温下U UT T26mV26mV。U U和和I I的参考方向都是由的参考方向都是由P P指向指向N N的。的。第16页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 当二极管承受正向电压小于某一数值当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区称为死区电压电压)时,还不足以克服时,还不足以克服PNPN结内电场对多数载流子运动结内电场对多数载流子运动
13、的阻挡作用,这一区段二极管正向电流很小,称为死的阻挡作用,这一区段二极管正向电流很小,称为死区。区。通常,硅材料二极管的死区电压约为通常,硅材料二极管的死区电压约为0.5V0.5V,锗材,锗材料二极管的死区电压约为料二极管的死区电压约为0.1V0.1V。2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性1 1)正向特性)正向特性第17页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 当正向电压超过死区电压值时,外电场抵消了当正向电压超过死区电压值时,外电场抵消了内电场,正向电流随外加电压的增加而明显增大,内电场,正向电流随外加电压的增加而明显增大,二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后,二
14、极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后,正向压降基本维持不变,称为二极管正向导通压降正向压降基本维持不变,称为二极管正向导通压降U UF F。一般硅管为一般硅管为0.7V0.7V,锗管为,锗管为0.3V0.3V。第18页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 当二极管承受反向电压时,外电场与内电场方向当二极管承受反向电压时,外电场与内电场方向一致,只有少数载流子的漂移运动,形成的漏电流一致,只有少数载流子的漂移运动,形成的漏电流I IR R极小,这时二极管反向截止。极小,这时二极管反向截止。当反向电压增大到某一数值时,反向电流将随当反向电压增大到某一数值时,反向电流将随反向
15、电压的增加而急剧增大,这种现象称为二极管反向电压的增加而急剧增大,这种现象称为二极管反向击穿。击穿时对应的电压反向击穿。击穿时对应的电压U UBRBR称为反向击穿电压。称为反向击穿电压。2 2)反向特性)反向特性第19页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线 第20页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数 1 1)第一部分用阿拉伯数字表示器件的电极数目:)第一部分用阿拉伯数字表示器件的电极数目:2 2代表二极管;代表二极管;3 3代表三极管。代表三极管。2 2)第
16、二部分用汉语拼音字母表示器件的材料:)第二部分用汉语拼音字母表示器件的材料:A A、B B是锗材料;是锗材料;C C、D D是硅材料。是硅材料。3 3)第三部分用汉语拼音字母表示器件的用途。)第三部分用汉语拼音字母表示器件的用途。4 4)第四部分用阿拉伯数字表示序号。)第四部分用阿拉伯数字表示序号。5 5)第五)第五部分用汉语拼音字母表示规格号。部分用汉语拼音字母表示规格号。1.1.二极管的型号命名法二极管的型号命名法第21页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1 1)最大整流电流)最大整流电流I IFMFM:是指二极管长期工作时允许通过是指二极管长期工作时允许通过的最大正
17、向平均电流值。的最大正向平均电流值。2 2)最高反向工作电压)最高反向工作电压U URMRM:是指二极管不击穿所允许加是指二极管不击穿所允许加的最高反向电压。的最高反向电压。3 3)最大反向电流)最大反向电流I IRMRM:是指二极管在常温下承受最高反是指二极管在常温下承受最高反向工作电压时的反向漏电流。向工作电压时的反向漏电流。4 4)最高工作频率)最高工作频率f fM M:是指保持二极管单向导通性能时,是指保持二极管单向导通性能时,外加电压允许的最高频率。外加电压允许的最高频率。2.2.二极管的主要参数二极管的主要参数第22页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.2.
18、4 1.2.4 二极管的应用二极管的应用 二极管在数字电路中应用时,常将其理想化为一个二极管在数字电路中应用时,常将其理想化为一个无触电开关器件。无触电开关器件。二极管正向导通时,其正向压降为二极管正向导通时,其正向压降为0 0,相当于开,相当于开关闭合。关闭合。二极管反向截止时,其反向电流为二极管反向截止时,其反向电流为0 0,相当于开关相当于开关断开。断开。1.1.开关开关第23页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 所谓的整流,就是将交流电变为单方向脉动的直所谓的整流,就是将交流电变为单方向脉动的直流电。利用二极管的单向导电性可组成单相、三相等流电。利用二极管的单向导
19、电性可组成单相、三相等各种形式的整流电路,然后再经过滤波、稳压,便可各种形式的整流电路,然后再经过滤波、稳压,便可获得平稳的直流电。获得平稳的直流电。2.2.整流整流3.3.钳位钳位 利用二极管正向导通时压降很小的特性,利用二极管正向导通时压降很小的特性,可组成可组成钳位电路。钳位电路。第24页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 利用二极管正向导通后其两端电压很小且基本不变利用二极管正向导通后其两端电压很小且基本不变的特性,可以构成各种限幅电路,使输出电压幅度限制的特性,可以构成各种限幅电路,使输出电压幅度限制在某一电压值以内。在某一电压值以内。4.4.限幅限幅5.5.元
20、件保护元件保护 在电子线路中,常用二极管来保护其他元器件在电子线路中,常用二极管来保护其他元器件免受过高电压的损害。免受过高电压的损害。第25页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用1.2.5 1.2.5 特殊二极管特殊二极管 硅稳压二极管简称稳压管,是一种特殊的二极管,硅稳压二极管简称稳压管,是一种特殊的二极管,它与电阻配合具有稳定电压的特点。它与电阻配合具有稳定电压的特点。1.1.稳压二极管稳压二极管1 1)稳压二极管的伏安特性)稳压二极管的伏安特性稳压二极管伏安特性及符号稳压二极管伏安特性及符号 第26页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 稳压管正
21、向偏压时,其特性和普通二极管一样;稳压管正向偏压时,其特性和普通二极管一样;反向偏压时,开始一段和二极管一样,当反向电压达反向偏压时,开始一段和二极管一样,当反向电压达到一定数值以后,反向电流突然上升,而且电流在一到一定数值以后,反向电流突然上升,而且电流在一定范围内增长时,管两端电压只有少许增加,变化很定范围内增长时,管两端电压只有少许增加,变化很小,具有稳压性能。这种小,具有稳压性能。这种“反向击穿反向击穿”是可恢复的,是可恢复的,只要外电路限流电阻保障电流在限定范围内,就不致只要外电路限流电阻保障电流在限定范围内,就不致引起热击穿而损坏稳压管。引起热击穿而损坏稳压管。第27页,此课件共1
22、08页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用2 2)稳压二极管的主要参数)稳压二极管的主要参数(1 1)稳定电压值)稳定电压值U UZ Z:稳压管在正常工作时管子的稳压管在正常工作时管子的端电压。端电压。(2 2)稳定电流)稳定电流I IZ Z:稳压管正常工作时的参考电流。稳压管正常工作时的参考电流。(3 3)动态电阻)动态电阻R RZ Z:稳压管端电压的变化量与对应电流稳压管端电压的变化量与对应电流变化量之比。变化量之比。(4 4)稳定电压的温度系数:当温度变化)稳定电压的温度系数:当温度变化11时稳时稳压管的稳压值的相对变化量。压管的稳压值的相对变化量。(5 5)稳压管额定功耗)稳压管额定
23、功耗P PZMZM:保证稳压管安全工作所允保证稳压管安全工作所允许的最大功耗。许的最大功耗。第28页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用3 3)稳压二极管的应用)稳压二极管的应用 稳压二极管用来构成的稳压电路,如图所示。稳压二极管用来构成的稳压电路,如图所示。U UI I是不稳定的可变直流电压,希望得到稳定的电压是不稳定的可变直流电压,希望得到稳定的电压U UO O,故在两者之间加稳压电路。它由限流电阻,故在两者之间加稳压电路。它由限流电阻R R和稳压管和稳压管VDzVDz构成,构成,R RL L是负载电阻。是负载电阻。稳压管稳压电路稳压管稳压电路 第29页,此课件共108
24、页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用2.2.发光二极管发光二极管1 1)发光二极管的符号及特性)发光二极管的符号及特性发光二极管符号和伏安特性曲线发光二极管符号和伏安特性曲线 第30页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器件,件,简称简称LED(Light Emitting Diode)LED(Light Emitting Diode)。发光二极管和普。发光二极管和普通二极管相似,也由一个通二极管相似,也由一个PNPN结组成。发光二极管在正结组成。发光二极管在正向导通时,由于空穴和电
25、子的复合而发出能量,发出向导通时,由于空穴和电子的复合而发出能量,发出一定波长的可见光。光的波长不同,颜色也不同。一定波长的可见光。光的波长不同,颜色也不同。发光二极管的伏安特性如图所示。它和普通二极管发光二极管的伏安特性如图所示。它和普通二极管的伏安特性相似,只是在开启电压和正向特性的上升速的伏安特性相似,只是在开启电压和正向特性的上升速率上略有差异。当所施加正向电压时,率上略有差异。当所施加正向电压时,正向电流几乎正向电流几乎为零,但电压一旦超过开启电压时,电流急剧上升。为零,但电压一旦超过开启电压时,电流急剧上升。第31页,此课件共108页哦模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用2 2)发
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