《小家电知识》PPT课件.ppt
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1、小小 家家 电电 知知 识识一、一、基础知识基础知识二、二、加热器具加热器具三、三、清洁器具清洁器具四、四、电炊器具电炊器具五、五、食品加工器具食品加工器具六、六、保健器具保健器具七、七、其他小家电其他小家电1.1 PN 1.1 PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上,分别制造在同一片半导体基片上,分别制造P P 型半导型半导体和体和N N 型半导体,经过载流子的扩散,在它们的型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了交界面处就形成了PN PN 结。结。1、PN结结基础知识P P 型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E漂移运动漂移运动扩散的结
2、果是使空间扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。电荷区逐渐加宽。内电场越强,漂移运内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空动越强,而漂移使空间电荷区变薄。间电荷区变薄。空间电荷区,空间电荷区,也称耗尽层。也称耗尽层。基础知识漂移运动漂移运动P P型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。厚度固定不变。基础知识+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位VV0基础知识1.1.空间电
3、荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P区区中的空穴中的空穴.N N区区 中的电子(中的电子(都是多子都是多子)向对方运动()向对方运动(扩散扩散运动运动)。)。3.3.P P 区中的电子和区中的电子和 N N 区中的空穴(区中的空穴(都是少子都是少子),),数量有限,因此由它们形成的电流很小。数量有限,因此由它们形成的电流很小。小小 结结基础知识(1)加正向电压(正偏)加正向电压(正偏)电源正极接电源正极接P区,负极接区,负极接N区区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场外电场削弱内电场 耗尽
4、层变窄耗尽层变窄 扩散运动漂移运动扩散运动漂移运动多子多子扩散形成正向电流扩散形成正向电流I I F F正向电流正向电流 1.2 1.2 PN PN 结的单向导电性结的单向导电性基础知识(2)(2)加反向电压加反向电压电源正极接电源正极接N N区,负极接区,负极接P P区区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场外电场加强内电场耗尽层变宽耗尽层变宽 漂移运动扩散运动漂移运动扩散运动少子漂移形成反向电流少子漂移形成反向电流I I R RP PN N 在一定的温度下,在一定的温度下,由本征激发产生的少子浓由本征激发产生的少子浓度是一定的,故度是一定的,故I I
5、R R基本上与基本上与外加反压的大小无关外加反压的大小无关,所所以称为以称为反向饱和电流反向饱和电流。但。但I IR R与温度有关。与温度有关。基础知识 PNPN结加正向电压时,具有较大的正向扩散结加正向电压时,具有较大的正向扩散电流,呈现低电阻,电流,呈现低电阻,PN PN结导通;结导通;PNPN结加反向电压时,具有很小的反向漂移结加反向电压时,具有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,电流,呈现高电阻,PN PN结截止。结截止。由此可以得出结论:由此可以得出结论:PNPN结具有单向导电性结具有单向导电性基础知识1.3 半导体二极管半导体二极管基本结构基本结构PN PN 结加上管壳和引线,就成为半
6、导体二极管。结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号:二极管的电路符号:阳极阳极+阴极阴极-基础知识 伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR基础知识主要参数主要参数1.1.最大整流电流最大整流电流 I IOMOM二极管长期使用时,允许流过二极管的最大二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。正向平均电流。3.3.反向击穿电压反向击穿电压U UBRBR二极管反
7、向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压坏。手册上给出的最高反向工作电压U UWRMWRM一般是一般是U UBRBR的一半。的一半。2.2.反向工作峰值电压反向工作峰值电压U UBWMBWM保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。基础知识二极管:二极管:死区电压死区电压=0.5V=0.5V,正向压降,正向压降 0.7V(0.7V(硅二极管硅二极管)理理想二极管:想二极管:死区电压死区电压=0=0,正向压降,正向压
8、降=0=0 RLuiuouiuott二极管的应用举例:二极管的应用举例:二极管半波整流二极管半波整流二极管的应用是主要利用它的单向导电性,主二极管的应用是主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。要应用于整流、限幅、保护等等。基础知识1.4 稳压二极管稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ稳压稳压误差误差曲线越陡,曲线越陡,电压越稳电压越稳定。定。+-UZ动态电阻:动态电阻:r rz z越小,稳越小,稳压性能越压性能越好。好。基础知识(4 4)稳定电流)稳定电流I IZ Z、最大、最小稳定电流最大、最小稳定电流I Izmaxzmax、I Izminzmin。(5 5)最大允许功
9、耗)最大允许功耗稳压二极管的参数稳压二极管的参数:(1 1)稳定电压)稳定电压 U UZ Z(2 2)电压温度系数)电压温度系数 U U(%/%/)稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。(3 3)动态电阻)动态电阻基础知识在电路中稳压管只有与适当的电阻连在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。接才能起到稳压作用。UIIZIZmax UZ IZUZ基础知识2.1 基本结构基本结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型2、半导体三极管半导体三极管基础知识BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电
10、极基区:较薄,基区:较薄,掺杂浓度低掺杂浓度低集电区:面集电区:面积较大积较大发射区:掺发射区:掺杂浓度较高杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结基础知识BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管三极管的符号:三极管的符号:基础知识ICmA AVVUCEUBERBIBECEB实验电路:实验电路:2.2 2.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理基础知识结论结论:1.IE=IC+IB3.IB=0,IC=ICEO4.4.要使晶体管放大要使晶体管放大,发射结必须正偏发射结必须正偏,集电结必须集电结必须反偏。反偏。基础知识
11、电流放大原理电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向发射区向发射区的扩散可的扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的区的电子少部分电子少部分与基区的空与基区的空穴复合,形穴复合,形成电流成电流IBE ,多数扩散,多数扩散到集电结。到集电结。发射结正发射结正偏,发射偏,发射区电子不区电子不断向基区断向基区扩散,形扩散,形成发射极成发射极电流电流IE。基础知识BECNNPEBRBECIE集电结反偏,有少子集电结反偏,有少子形成的反向电流形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICE从基区扩从基区扩散来的电散来的电子作为集子作为集电结的少电结的少子,漂移子
12、,漂移进入集电进入集电结而被收结而被收集,形成集,形成ICE。基础知识IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE基础知识ICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数基础知识输入特性曲线输入特性曲线UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降:工作压降:硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE=0.5V 死区电压,死区电压,硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。2.3 特性曲线特性曲线基础知识输出特性曲线输出特性曲线IC(mA )1234UCE(V)
13、36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC=IB称称为线性区为线性区(放大区)(放大区)。当当UCE大于一大于一定的数值时,定的数值时,IC只与只与IB有关,有关,IC=IB。基础知识IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集集电结正偏,电结正偏,IBIC,UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。基础知识IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE 死死区电压,称区电压
14、,称为截止区。为截止区。基础知识输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点:(1)(1)放大区:放大区:发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,集电结反偏。(2)(2)即:即:I IC C=I IB B,且且 I IC C =I IB B(2)(2)饱和区:饱和区:发射结正偏,集电结正偏。发射结正偏,集电结正偏。即:即:U UCECE U UBEBE ,I IB B I IC C,U UCECE 0.3V0.3V (3)(3)截止区:截止区:U UBEBE 死区电压,死区电压,I IB B=0=0,I IC C=I ICEOCEO 0 0 基础知识3、基本放大电路的组成基本放大电路的组成三种三极
15、管放三种三极管放大电路大电路共射极放大电路共射极放大电路共基极放大电路共基极放大电路共集电极放大电路共集电极放大电路以共射以共射极放大极放大电路为电路为例讲解例讲解工作原工作原理理基础知识放大元件放大元件iC=iB,工作在放大区,工作在放大区,要保证集电结反要保证集电结反偏,发射结正偏。偏,发射结正偏。uiuo输入输入输出输出参考点参考点RB+ECEBRCC1C2T基础知识作用:作用:使发射使发射结正偏,并提结正偏,并提供适当的静态供适当的静态工作点。工作点。基极电源与基极电源与基极电阻基极电阻RB+ECEBRCC1C2T基础知识集电极电源,集电极电源,为电路提供能为电路提供能量。并保证集量。
16、并保证集电结反偏。电结反偏。RB+ECEBRCC1C2T基础知识集电极电阻,集电极电阻,将变化的电流将变化的电流转变为变化的转变为变化的电压。电压。RB+ECEBRCC1C2T基础知识耦合电容:耦合电容:电解电容,有极性。电解电容,有极性。大小为大小为10 F50 F作用:作用:隔离隔离输入输出与输入输出与电路直流的电路直流的联系,同时联系,同时能使信号顺能使信号顺利输入输出。利输入输出。RB+ECEBRCC1C2T基础知识可以省去可以省去电路改进:采用单电源供电电路改进:采用单电源供电RB+ECEBRCC1C2T基础知识单电源供电电路单电源供电电路+ECRCC1C2TRB基础知识一种大功率半
17、导体器件,出现于一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域 。体积小、重量轻、无噪声、寿命长、体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。特点特点4 4、晶闸管、晶闸管(可控硅可控硅SCR)SCR)应用领域:应用领域:逆变逆变 整流整流(交流(交流直流)直流)斩波斩波(直流(直流交流)交流)变频变频(交流(交流交流)交流)(直流(直流直流)直流)此外还可作无触点开关等此外还可作无触点开关等基础知识4.4.基本基本结构结构A
18、(阳极)(阳极)四四 层层 半半 导导 体体K(阴极)(阴极)G(控制极)(控制极)P1P2N1三三 个个 PN结结N2基础知识符符号号AKG4.2 4.2 工作原理工作原理GKP1P2N1N2APPNNNPAGK示意图示意图基础知识APPNNNPGKi gi gig工作原理分析工作原理分析KAGT1T2基础知识UAK 0、UGK0时时T1导通导通ib1=i giC1=ig=ib2ic2 =ib2=ig=ib1T2导通导通形成正反馈形成正反馈晶闸管迅速导通;晶闸管迅速导通;T1进一步导通进一步导通基础知识晶闸管开始工作时晶闸管开始工作时,UAK加反向电压,加反向电压,或不加触发信号(即或不加触
19、发信号(即UGK=0););晶闸管导通后,晶闸管导通后,UGK,去掉去掉依靠正反馈,依靠正反馈,晶闸管仍维持导通状态;晶闸管仍维持导通状态;晶闸管截止的条件:晶闸管截止的条件:(1)(2)晶闸管正向导通后,令其截止,必须晶闸管正向导通后,令其截止,必须减小减小UAK,或加大回路电阻,使晶闸管,或加大回路电阻,使晶闸管中电流的正反馈效应不能维持。中电流的正反馈效应不能维持。基础知识1.1.晶闸管具有单向导电性晶闸管具有单向导电性2.2.(正向导通条件:(正向导通条件:A A、K K间加正向电压,间加正向电压,G G、K K间加触发信号);间加触发信号);2.2.晶闸管一旦导通,控制极失去作用晶闸
20、管一旦导通,控制极失去作用若使其关断,必须降低若使其关断,必须降低U UAKAK或加大回路电或加大回路电阻,把阳极电流减小到维持电流以下。阻,把阳极电流减小到维持电流以下。结结 论论基础知识4.3 4.3 伏安特性伏安特性UIURS MUDS MURRMIHUDRMIFIG1=0AIG2IG3IG3IG2IG1正向正向反向反向基础知识4.4 4.4 单相半波可控整流电路单相半波可控整流电路(电阻性负载电阻性负载)(1)电路及工作原理电路及工作原理设设u1为为正弦波正弦波 u2 0 时,时,加上触发电压加上触发电压 uG,晶闸管导通,晶闸管导通。且且 uL 的大小随的大小随 uG 加入的早晚而变
21、化;加入的早晚而变化;u2 0 时,时,晶闸管不通晶闸管不通,uL=0。故称可控整流。故称可控整流。u1u2uTuLAGKRL基础知识(2)工作波形工作波形tu2tuGtuLtuT :控制角:控制角:导通角:导通角基础知识4.5 单相全波可控整流电路单相全波可控整流电路(电阻性负载电阻性负载)(1)电路及工作原理电路及工作原理u2 0的导通路径:的导通路径:u2(A)T1RLD2u2(B)T1、T2-晶闸管晶闸管D1、D2-晶体管晶体管T1T2D1D2RLuLu2AB+-基础知识T2RLD1u2(A)u2(B)u2 0的导通路径:的导通路径:T1、T2-晶闸管晶闸管D1、D2-晶体管晶体管T1
22、T2D1D2RLuLu2AB+-基础知识(2)工作波形工作波形tu2tuGtuLt uT1:控制角:控制角:导通角:导通角 基础知识4.6 双向晶闸管双向晶闸管特点:特点:相当于两个反向晶闸管并联,相当于两个反向晶闸管并联,两者共用一个控制极。两者共用一个控制极。符号:符号:T1T2G(控制极)(控制极)(第一电极)(第一电极)(第二电极)(第二电极)基础知识工作原理工作原理VT1VT2时,时,控制极相对于控制极相对于T2加正脉冲,加正脉冲,晶闸管正向导通,电流从晶闸管正向导通,电流从T1流向流向T2。VT2VT1时,时,控制极相对于控制极相对于T2加加 负脉冲,负脉冲,晶闸管反向导通,电流从
23、晶闸管反向导通,电流从T2流向流向T1。GT1T2T1T2G基础知识4.7 可可关断晶闸管关断晶闸管GTO-Gata Turn Off thyristor)可关断晶闸管的触发导通与普通晶闸管相可关断晶闸管的触发导通与普通晶闸管相同。不同之处在于:普通晶闸管的关断不能同。不同之处在于:普通晶闸管的关断不能控制,只能靠减小阳极电压或工作电流来实控制,只能靠减小阳极电压或工作电流来实现。普通晶闸管属半控器件;而可关断晶闸现。普通晶闸管属半控器件;而可关断晶闸管可在控制极上加负触发信号将其关断,因管可在控制极上加负触发信号将其关断,因此它属全控器件。此它属全控器件。基础知识UEE+UCC u+uo u
24、反相反相输入端输入端同相同相输入端输入端T3T4T5T1T2IS5.1 5.1 原理框图原理框图输输入入级级中中间间级级输输出出级级与与uo反相反相与与uo同相同相5、集成运放集成运放基础知识一、开环电压放大倍数一、开环电压放大倍数Auo无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在105 107之间。理想运放的之间。理想运放的Auo为为。二、共模抑制比二、共模抑制比KCMMR常用分贝作单位,一般常用分贝作单位,一般100dB以上。以上。5.2 5.2 主要参数主要参数基础知识 ri 大大:几十几十k 几百几百 k 运放的特点运放的特点KCMRR 很大很大 ro 小:
25、几十小:几十 几百几百 A uo很大很大:104 107理想运放:理想运放:ri KCMRR ro 0 0Auouo 运放符号:运放符号:uu+uo u u+uoAuo5.3 5.3 理想运算放大器及其分析依据理想运算放大器及其分析依据基础知识uiuo+UOM-UOMAuo越大,运放的线性范围越小,必须越大,运放的线性范围越小,必须在在输出与输入输出与输入之间之间加负反馈加负反馈才能使其扩大输入信号的线性范围。才能使其扩大输入信号的线性范围。uiuo_+Auo例:若例:若UOM=12V,Auo=106,则,则|ui|12 V时,时,运放处于线性区。运放处于线性区。线性放大区线性放大区基础知识由
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