Nokia5510液晶模块中文手册.pdf

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1、 综合电路数据表 PCD854448 84 点矩阵 LCD 控制/驱动 产品说明书 1999 4 月 12日 综合电路在文档内，I C 1 71999 年 4 月 12 日 2 目录目录 1 特征 2 概述 3 应用 4 分类信息 5 方块图 6 引脚 6.1 引脚功能 6.1.1 R0 到 R47：行驱动输出 6.1.2 C0 到 C83：列驱动输出 6.1.3 VSS1，VSS2：负电源 6.1.4 VDD1，VDD2：正电源 6.1.5 VLCD1，VLCD2：LCD 电源供应 6.1.6 T1，T2，T3 和 T4：测试焊盘 6.1.7 SDIN：串行数据线 6.1.8 SCLK：串行

2、时钟线 6.1.9 D/C：模式选择 6.1.10 SCE：芯片使能 6.1.11 OSC：振荡器 6.1.12 RES:复位 7 功能描述 7.1 振荡器 7.2 地址计数器（AC）7.3 显存（DDRAM）7.4 时钟发生器 7.5 显示地址计数器 7.6 LCD 行列驱动器 7.7 寻址 7.7.1 数据结构 P h i l i p s 半导体 产品说明书4 8 x 8 4 点矩阵L C D 控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 3 7.8 温度补偿 8 指令 8.1 初始化 8.2 复位功能 8.3 功能设置 8.3.1 位 PD 8.3.2 位 V 8.3.3 位

3、 H 8.4 显示控制 8.4.1 位 D 和 E 8.5 设置 RAM 的 Y 地址 8.6 设置 RAM 的 X 地址 8.7 温度控制 8.8 偏置值8.9 设置 VOP 值 9 极限值 10 操作 11 直流特性 12 交流特性 12.1 串行界面 12.2 复位 13 应用信息 14 焊盘定位 14.1 焊盘信息 14.2 焊盘定位 15 盘信息 16 定义 17 应用支持 P h i l i p s 半导体 产品说明书4 8 x 8 4 点矩阵L C D 控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 4 1 特特征征单芯片 LCD 控制/驱动48 行，84 列输出显示数

4、据 RAM 48*84 位芯片集成：LCD 电压发生器（也可以使用外部电压供应）LCD偏置电压发生器振荡器不需要外接元件（也可以使用外部时钟）外部 RES（复位）输入引脚串行界面最高 4.0Mbits/S CMOS 兼容输入混合速率：48逻辑电压范围 VDD 到 VSS：2.7V3.3V显示电压范围 VLCD 到 VSS：6.08.5V LCD内部电压发生器（充许电压发生器）6.09.0V LCD 外部电压供应（电压发生器关闭）低功耗，适用于电池供电系统关于 VLCD的温度补偿使用温度范围：-25702 概概述述 PCD8544 是一块低功耗的 CMOS LCD 控制驱动器，设计为驱动48 行

5、 84 列的图形显示。所有必须的显示功能集成在一块芯片上，包括 LCD 电压及偏置电压发生器，只须很少外部元件且功耗小。PCD8544 与微控制器的接口使用串行总线。PCD8544 采用 CMOS 工艺。3 应应用用通信设备Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 5 4 4 分分类类信信息息 封装 类型编号 名称 说明 版本 PCD8544U 芯片带突起盘，168个通信盘，4个虚设盘 5 5 方方块块图图 图1 方块图 Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544MGL629列驱动数

6、据锁存器显示数据存储器(DDRAM)48 84地址计数器数据 寄存器行驱动移位寄存器复位时钟发生器显示地址计数器振荡器I/O缓冲区偏置电压发生器VLCD发生器VLCD2VLCD1VDD1to VDD2VSS1 to VSS2T2T1T3T4SCLKSDINSCED/CRESOSCC1 C83R0 R47PCD85441999 年 4 月 12 日 6 6 6 引引脚脚 符符号号描描述述R0R47LCD行行驱驱动动输输出出C0C83LCD列列驱驱动动输输出出VSS1，VSS2地地VDD1，VDD2 电电源源电电压压VLCD1，VLCD2 LCD电电源源电电压压T1测测试试点点1 输输入入T2测测

7、试试点点2 输输出出T3测测试试点点3 输输入入/输输出出T4测测试试点点4 输输入入SDIN串串行行数数据据输输入入端端SCLK 串串行行时时钟钟输输入入端端D/C数数据据/命命令令SCE 芯芯片片使使能能OSC振振荡荡器器RES外外部部复复位位输输入入端端Dummy1,2,3,4 没没连连接接注：1、更详细资料见图18及表7 6.1 引脚功能 6.1.1 R0R47 行驱动输出端 输出行信号 6.1.2 C0C83 列驱动输出端 输出列信号 6.1.3 VSS1，VSS2：负电源供应 VSS1和VSS2必须连接在一起。6.1.4 VDD1，VDD2：正电源供应 VDD1和VDD2必须连接在

8、一起。6.1.5 VLCD1,VLCD2:LCD 电源供应 液晶显示器正电源。VLCD1 和 VLCD2必须连接在一起。6.1.6 T1,T2,T3 和 T4:测试点 T1,T3 和 T4 必须连接到 VSS,T2 悬空，用户不能访问。6.1.7 SDIN:串行数据线 输入：数据线。Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 7 6.1.8 SCLK:串行时钟线 输入：时钟信号:0.0 4.0 Mbits/s.6.1.9 D/C:模式选择 输入：选择命令/地址或输入数据 6.1.10 SCE:芯片使能 使能引脚充许输入数据，

9、低电平有效。6.1.11 OSC:振荡器 当使用芯片内置振荡器时，引脚必须接到 VDD。使用外部振荡器时则连接到些引脚。如果 OSC 引脚连接到 VSS，则禁止内部振荡器及外部振荡器，显示不计时并停留在直流状态。为避免这种情况，在停止时钟之前使芯片进入关闭模式。6.1.12 RES:复位此信号会复位设备，应用于初始化芯片。低电平有效。7 7 功功能能描描述述 7 7.1 1 振振荡荡器器 芯片内置振荡器提供显示系统的时钟信号。不需要外接元件，但OSC输入端必须接到VDD。如果使用外部时钟则连接到这只引脚。7 7.2 2 地地址址计计数数器器 (A AC C)地址计数器为写入显示数据存储器指定地

10、址。X地址 X6X0和Y地址 Y2Y0 分别设置。写入操作之后，地址计数器依照V标志自动加1。7 7.3 3 显显示示数数据据存存储储器器 (D DD DR RA AM M)DDRAM是存储显示数据的48*84位静态RAM。RAM分为6排，每排84字节（6*8*84位）。访问RAM期间，数据通过串行接口传输。这里X地址与列输出号码直接通信。7 7.4 4 时时钟钟发发生生器器 时钟发生器产生驱动内部电路的多种信号。内部芯片操作不影响数据总线上的操作。7 7.5 5 显显示示地地址址计计数数器器 通过列输出，LCD点矩阵RAM数据行连续移位产生显示。显示状态Philips 半导体 产品说明书48

11、x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 8（所有点开/关和正常/反转映象）通过显示控制命令的E、D位来设置。7 7.6 6 L LC CD D 行行列列驱驱动动器器 PCD8544 包含48行和84列驱动器，连接适当的序列偏置电压来显示数据。图2 展示典型波形。不用的引脚可悬空。7 7.7 7 寻寻址址 数据以字节为单位下载到PCD8544的48*84位显示数据RAM矩阵，象图3、4、5、6所示。列通过地址指针寻址，地址范围为：X083（1010011），Y 05（101）。地址不充许超出这个范围。在垂直寻址模式（V=1），Y地址在每个字节之后递增（见图5）

12、。经最后的Y地址（Y=5）之后，Y绕回0，X递增到下一列的地址。在水平寻址模式（V=0），X地址在每个字节之后递增（见图6）,经最后的X地址（X=83）之后，X绕回0，Y递增到下一行的地址。经每一个最后地址之后（X=83，Y=5），地址指针绕回地址（X=0，Y=0）。7 7.8 8 温温度度补补偿偿 由于液晶体的温度依赖，在低温时必须增加LCD控制电压VLCD来维持对比度。图7展示高速率的VLCD。在 PCD8544,VLCD的温度系数可以通过设置TC1和TC0位来选择四个值（见表2）。Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12

13、 日 9 图2 典型LCD驱动波形Vstate1(t)=C1(t)-R0(t).Vstate2(t)=C1(t)-R1(t).MGL637ROW 0R0(t)ROW 1R1(t)COL 0C0(t)COL 1C1(t)VLCDV2V3V4V5VSSVLCDVSSVLCDVSSVLCDVLCDV3-VSSVLCD-V2V3-V20 VVLCDV3-VSSVLCD-V2V3-V20 VVLCDV4-VLCDVSS-V5V4-V50 VVLCDV4-VLCDVSS-V5V4-V50 VVSSV2V3V4V5V2V3V4V5V2V3V4V5frame nframe n+10 1 2 3 45 6 7

14、80 1 2 3 45 6 7 8.47.47Vstate1(t)Vstate2(t)Vstate1(t)Vstate2(t)Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 10 图3 DDRAM 到显示的映射top of LCDMGL636DDRAMbank 0R0R8R16R24R32R40R47bank 1bank 2bank 3bank 4bank 5LCDPhilips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 11 图4 格式和寻址handbook,full p

15、agewidthMGL638005LSBMSBY-addressX-address83图5 用垂直寻址方式（V=1）往RAM写数据的次序handbook,halfpageMGL63900550354321076Y-addressX-address83Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 12 图6 用水平寻址方式（V=0）往RAM写入数据的次序handbook,halfpageMGL640005503420336252168421337253169840851422338254170862Y-addressX-addr

16、ess83图7 LCD液晶运作温度（典型值）handbook,halfpageMGL6410C(1)(2)(3)(4)VLCD温度(1)上限(2)典型过程(3)IC温度系数(4)下限Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 13 8 指令 8 指令 指令格式分为两种模式：如果D/C（模式选择）置为低，当前字节解释为命令字节（见表1）。图8展示初始化芯片的串行数据流例子。如果D/C置为高，接下来的字节将存储到显示数据RAM。每一个数据字节存入之后，地址计数自动递增。在数据字节最后一位期间会读取D/C信号的电平。每一条指令可用

17、任意次序发送到PCD8544。首先传送的是字节的MSB（高位）。图9展示一可能的命令流，用来设置LCD驱动器。当SCE为高时，串行接口被初始化。在这个状态，SCLK时钟脉冲不起作用，串行接口不消耗电力。SCE上的负边缘使能串行接口并指示开始数据传输。?当SCE 为高时，忽略 SCLK 时钟信号；在SCE为高期间，串行接口被初始化（见图12）。?SDIN 在SCLK的正边缘取样。?D/C 指出字节是一个命令(D/C=0)或是一个RAM数据(D/C=1)；它在第八个SCLK脉冲被读出。?在命令/数据字节的最后一位之后，如果SCE为低，串行接口在下一个SCLK正边缘等待下一个字节的位7（见图12）?

18、RES端的复位脉冲中断传输。数据不会写进RAM。寄存器被清除。如果在RES正边缘之后SCE为低，串行接口准备接收命令/数据字节的位7（见图13）。P h i l i p s 半导体 产品说明书4 8 x 8 4 点矩阵L C D 控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 14 Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544图8 普通数据流格式handbook,halfpageMGL666datadataMSB(DB7)LSB(DB0)图9 串行数据流实例handbook,full pagewidthMGL642功能设置(H=1)偏置系统设置V

19、OP温度控制功能设置(H=0)显示控制X 地址Y 地址图10 串行总线协议传送1个字节handbook,full pagewidthDB7SDINSCLKSCED/CDB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0MGL6301999 年 4 月 12 日 15 Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544图11 串行总线协议 传送多个字节handbook,full pagewidthSDINSCLKSCED/CMGL631图12 串行总线复位功能（SCE）handbook,full pagewidthDB7SDINSCLKRESSCED/CDB3MGL632D

20、B6 DB5 DB4DB0DB2 DB1DB7DB3DB6 DB5 DB4DB0DB2 DB1DB7 DB6 DB5DB7DB3DB6 DB5 DB4DB0DB2 DB1DB7DB3DB6 DB5 DB4DB0DB2 DB1DB7 DB6 DB51999 年 4 月 12 日 16 Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544图13 串行总线复位功能（RES）handbook,full pagewidthSDINSCLKRESSCED/CMGL633DB7DB3DB6 DB5 DB4DB0 DB7DB3DB6 DB5 DB4DB0DB2 DB1DB7 DB

21、6 DB5表1 指令集表2 表1中的符号说明指令D/C命令字描述DB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0(H=0 or 1)NOP000000000 空操作000100PDVH掉电控制；进入模式；扩展指令设置（H）写数据7D6D5D4D3D2D1D0写数据到显示 RAM(H=0)保留000001XX 不可使用显示控制00001D0E设置显示配置0001XXXX 设置RAM的Y地址001000Y2Y1Y00 Y 501X6X5X4X3X2X1X00 X 83(H=1)00000001 00000001X 温度控制0000001TC1TC0设置温度系数(TCx)00001XXX偏置系统00

22、010BS2BS1BS0设置偏置系统(BSx)XXXXXX 设置VOP01VOP6VOP5VOP4VOP3VOP2VOP1VOP0写VOP到寄存器BIT0 1PD芯片是活动的芯片处于掉电模式V水平寻址垂直寻址H使用基本指令集使用扩展指令集D and E00显示空白10普通模式01开所有显示段11反转映象模式TC1and TC000VLCD 温度系数 001VLCD 温度系数 110VLCD 温度系数 211VLCD 温度系数 3Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999年4月12日 17D1功能设置00保留设置RAM的X地址0保留010保留0保留

23、00不可使用不可使用不可使用不可使用不可使用设置RAM的Y地址设置RAM的X地址1999 年 4 月 12 日 18 8 8.1 1 初初始始化化 接电源后，内部寄存器和RAM的内容不确定。必须应用一个RES脉冲。注意，不正确的复位是危险的，可能会损坏设备。所有内部寄存器在指定的时间内，通过31脚的外部RES脉冲（低电平）复位。无论如何，RAM的内容仍然不确定。复位后的状态在8.2节描述。当VDD变高，VDD达到VDDmin（或更高）之后，最多100ms，RES 输入必须为0.3VDD（见图16）。8 8.2 2 复复位位作作用用 复位后，LCD驱动器有下列状态：电源节省模式(位 PD=1)水

24、平寻址(位 V=0)常规指令设置(位 H=0)显示页(位 E=D=0)地址计数器 X6 至 X0=0;Y2 至 Y0=0 温度控制模式(TC1 TC0=0)偏置系统(BS2 至 BS0=0)VLCD 等于 0,HV 发生器为关闭状态(VOP6 至 VOP0=0)加电后，RAM内容不确定。8 8.3 3 功功能能设设置置 8 8.3 3.1 1 位位 P PD D LCD 输出为 VSS(显示关闭)Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 19 偏置发生器和VLCD发生器关闭，VLCD可以不连接。振荡器关闭(可用外部时钟)串

25、行总线，命令，等功能 进入省电模式之前，RAM需要填充 0 以保证指定的电流消耗。8.3.2 位 V 当 V=0，选择水平寻址。数据写入DDRAM见图6。当 V=1，选择垂直寻址。数据写进DDRAM见图5。8.3.3 位 H 当 H=0，可以执行显示控制，设置Y地址和设置X地址；当 H=1，可以执行其它命令。写数据和功能设置可以在两种状态下执行。8 8.4 4 显显示示控控制制 8.4.1 位 D 和 E 位 D 和 E 选择显示模式（见表2）。8 8.5 5 设设置置R RA AM M的的 Y Y 地地址址 定义显示RAM的Y寻址向量。8 8.6 6 设设置置R RA AM M的的 X X

26、地地址址 X 地址指向列。X的范围是0至83（53H）。8 8.7 7 温温度度控控制制 VLCD的温度系数由位TC1和TC0选择。8 8.8 8 偏偏置值值 Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 20 偏置电平用以下比率设置：R-R-nR-R-R,给出一个 1/(n+4)的偏置系统。不同的复合比率需要不同的因子n(见表 4)。这是BS2 至 BS0的程序。例如 1：48，适合的偏置值n，1/8偏置计算结果，由式（1）得出：n=48-3=3.928=4 （1）Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制

27、/驱动 PCD8544表 3 Y 向量寻址Y2 Y1Y0BANK0 0 000 0 110 1 020 1 131 0 041 0 15表4 编程偏置系统BS2BS1BS0n推荐混合率00071:10000161:8001051:65/1:6501141:4810031:40/1:3410121:2411011:18/1:1611101:10/1:9/1:8表5 LCD偏置电压符号偏置电压1/8偏置的偏置电压TV1VLCDVLCDV2(n+3)/(n+4)78 VLCDV3(n+2)/(n+4)68 VLCDV42/(n+4)28 VLCDV51/(n+4)18 VLCDV6VSSVSS199

28、9 年 4 月 12 日 21 8 8.9 9 设设置置 V V 值值 操作电压 VLCD 可以用软件设置，值根据液晶来选择。VLCD=a+(VOP6 to VOP0)x b V.对于PCD8544，a=3.06，b=0.06 在室温下的编程范围为3.0010.68。注意如果VOP6 to VOP0设为0时，会关闭负荷的吸取。例如混合比 1:48,适当的液晶操作电压计算如下：(2)Vth 是液晶的极限使用电压。警警告告，在在低低温温下下增增加加V VO OP P 时时，在在2 25 5情情况况下下，V VO OP P不不能能超超过过8 8.5 5V V极极限限值值。handbook,halfp

29、ageVLCDba00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A.MGL643a=3.06.b=0.06.VOP6 toVOP0(programmed)00 to7FH.图14 编程VOPPhilips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544VLCD148+21148-Vth6.06 Vth=OP1999 年 4 月 12 日 22 9 9 极极限限值值 系统的绝对极限值(IEC 134)；见附注1和附注2。附附注注 1.强调上面列出的极限值可能导致设备永久性损坏。2.除非另外说明，在操作温度范围内，参数都是有效的。除非有其它的注释，所有的电压都是

30、相对于VSS。3.外部LCD供电(电压发生器禁止)。如果LCD供给电压使用内部发生器 VDDmax=5 V(电压发生器使能)。4.当用软件设置VLCD 时，注意在25情况下，VOP不能超过8.5V极限值。见8.9节的警告。1 10 0 操操作作 正常的操作中，输入和输出有静电保护，无论如何，为了安全，必须有适当的防范措施来操作MOS设备。（见操作MOS设备）。Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544参数 条件 最小值 最大值 单位VDD0.5 +7 VVLCD0.5 +10 VVi0.5 VDD+0.5 VISS-50 +50 mAII,IO -10

31、+10 mAPtot总功率消耗 300 mW PO输出功率消耗 30 mW Tamb操作环境温度25+70 CTj操作连接温度65+150 CTstg存放温度 65+150 C符号电源电压附注3附注4LCD供电电压输入电压对地电流直流输入，输出电流1999 年 4 月 12 日 23 1 11 1 D DC C 特特性性 VDD=2.7 to 3.3 V;VSS=0 V;VLCD=6.0 to 9.0 V;Tamb=25 to+70;除非另有说明。Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544符号参数条件最小值 典型值 最大值单位VDD1电源电压1LCD 电

32、压外部供给（电压产生器禁止）2.7 3.3VVDD2电源电压2LCD 电压内部产生2.7 3.3VVLCD1LCD 电源电压6.0 9.0VVLCD2LCD 电源电压6.0 8.5VIDD1电流 1(普通模式)内部VLCDVDD=2.85 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;Tamb=25 C;显示负载=10 A;附注 2 240300AIDD2VDD=2.70 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;Tamb=25 C;320AIDD3电源 3（掉电模式）内部或外部LCD电源；附注3 1.5 AIDD4外部VLCD供应电流VDD=2.85 V;VLCD=9.0 V;fSCLK=0;n

33、otes 2 and 4 25 AILCDVDD=2.7 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;T=25 C;A;附注2，4 42 A逻辑VIL低电平输入电压VSS 0.3VDDVVIH高电平输入电压0.7VDD VDDVIL漏电流VI=VDD or VSS1+1A列和行输出Ro(C)列输出阻抗C0C83 1220k Ro(R)1220k 电流 2(普通模式)内部VLCD外部VLCD供应电流（电压产生器充许）LCD 电压外部供给（电压产生器禁止）LCD 电压内部产生（电压产生器充许）附注1显示负载=10 A;附注 2显示负载=10 行输出阻抗R0R471999 年 4 月 12 日 24

34、附附注注 1.可能的最高VLCD 电压的产生依赖于供电电压，温度和（显示）负载。2.内部时钟。3.RAM 内容等于0.在掉电期间，所有静态电流关闭。4.如果使用外部 VLCD,显示负载电流不会传送到IDD。5.误差与温度相关（典型零点在27，最大误差在温度范围的极限值处）。Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544LCD电压产生器VLCDVLCD 内部产生的公差VDD=2.85 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;显示负载 =10 A;附注 5 0300mVTC0VLCD 温度系数 0VDD=2.85 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;A

35、1 mV/KTC1VLCDVDD=2.85 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;A 9 mV/KTC2VLCDVDD=2.85 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;A 17 mV/KTC3VLCDVDD=2.85 V;VLCD=7.0 V;fSCLK=0;A 24 mV/K符号参数条件最小值 典型值 最大值单位显示负载 =10 显示负载 =10 显示负载 =10 显示负载 =10 温度系数 1 温度系数 2 温度系数 31999 年4 月12 日 25 1 12 2 A AC C 特特性性 附附注注 1.2.在VDD变高之前，RES 可能为低。3.th5 是从前一个SCLK 正缘(

36、与 SCE状态无关)到SCE的负缘的时间（见图15）。Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544符号参数条件最小值典型值最大值单位fOSC晶振频率203465kHzfclk(ext)外部时钟频率1032100kHzfframe帧频率fOSCor fclk(ext)=32 kHz;note 1 67 HztVHRLVDD to RES LOW 图 160(2)30mstWL(RES)RES LOW 脉冲宽度图 16100 nsSerial bus timing characteristics fSCLK时钟频率VDD=3.0 V 10%0 4.00MHzT

37、cy时钟周期 SCLK 所有信号时序基于 20%80%的V和最大10 ns的升降 DD250 nstWH1SCLK 脉冲宽度 HIGH 100 nstWL1SCLK 脉冲宽度 LOW 100 nstsu2SCE 建立时间 60 nsth2SCE 保持时间100 nstWH2SCE 最小 HIGH 时间 100 nsth5SCE 开始保持时间；附注3 100 nstsu3D/C 建立时间100 nsth3D/C 保持时间100 nstsu4SDIN 建立时间100 nsth4SDIN 保持时间 100 nsfclk(ext)=-Tframe480-1999 年 4 月 12 日 26 Phili

38、ps 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544handbook,full pagewidthhandbook,full pagewidth12.1 串行接口 tsu2th2tWH2SCEtsu3th5th3th5D/CtWL1tsu2TtWH1cySCLKtsu4th4SDINMGL644图15 串行接口时序12.2 复位图 16 复位时序MGL645tWL(RES)VDDREStRW1999 年 4 月 12 日 27 1 13 3 应应用用信信息息 表6 编程示例 Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544步骤串行总线字节D

39、/CDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB01开始SCE 变低（LOW）2000100001功能设置 选择扩展指令集3010010000设置 VOP;VOP 设为 a+16 40001000005000001100显示控制，设置标准模式 6100011111710000010181000001119100000000100011111MGL673MGL674MGL675MGL675MGL676显示Y操作技巧PD=0 和V=0，(H=1)b V(H=0)(D=1E=0)写入数据Y 和X 默认初始化为 它们不在这里设置0,10功能设置 选择标准指令集PD=0 和V=0，和写入数据写入数据写

40、入数据写入数据1999 年 4 月 12 日 28 Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544handbook,halfpage引脚为单面布线优化，例如玻璃面的显示模块。显示尺寸：48*84点。100000100100011111000001101显示控制;设置反转映象模式010000000设置地址为：0000000 100000000步骤串行总线字节 D/CDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0MGL677MGL678MGL679MGL679MGL680图17 应用图MGL635显示 48 X 84 点 PCD8544I/OVDDVSSVLC

41、DCext8842424CextF.为减少纹波，推荐使用高的电容值。1414.1结合盘信息(见图18)尺寸Pad 间距mPad 尺寸,铝80 100 m突起块尺寸 59 89 5)mm需要的外部电容最小值为：111213(D=1 和 E=1)14设置RAM的 X 地址；15显示Y操作技巧=1.0结合盘定位P参数min.10017.5(晶片厚度max.380 写入数据写入数据写入数据n i ereh s i t xet s i hT.eb ot segap epacshandbook,full pagewidth1999 年 4 月 12 日2914.2 结合盘定位 n i ereh s i t

42、 xet s i hT.redaer taborcA eht n i fdp eht hguorht gn i sworb nehw y l t cer roc detator eb ot segap epacsdna l ecrof ot et i hw dna l ecrof ot et i hw.redaer taborcA eht n i fdp eht hguorht gn i sworb nehw y l t cer roc detator eb ot segap epacsdna l ecrof ot et i hw63646566676869707172737475767778

43、798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157158159160161162163164165166167168169170171172123456789101112131415161718192021222324

44、2526272829303132333435363738394041424344454647484950515253545556575859606162539RGM mm 79.215.2mmPCD8544-1PCD8544-1xy00 mm 79.21 mm 5.2间距yx图 18 结合盘定位redaer taborcA eht n i fdp eht hguorht gn i sworb nehw y l t cer roc detator eb ot segap epacsdna l ecrof ot et i hw n i ereh s i t xet s i hT n i ereh

45、s i t xet s i hT.Philips 半导体 产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD85441999 年 4 月 12 日 30 P h i l i p s 半导体 产品说明书4 8 x 8 4 点矩阵L C D 控制/驱动 PCD8544Table 7 Bonding pad locations(dimensions in m).All X/Y coordinates are referenced to the centreof chip(see Fig.18)PAD PAD NAME x y 1 dummy1+5932+1060 2 R36+5704+1060 3

46、R37+5604+1060 4 R38+5504+1060 5 R39+5404+1060 6 R40+5304+1060 7 R41+5204+1060 8 R42+5104+1060 9 R43+5004+1060 10 R44+4904+1060 11 R45+4804+1060 12 R46+4704+1060 13 R47+4604+1060 14 VDD1+4330+1085 15 VDD1+4230+1085 16 VDD1+4130+1085 17 VDD1+4030+1085 18 VDD1+3930+1085 19 VDD2+3750+1085 20 VDD2+3650+1

47、085 21 VDD2+3550+1085 22 VDD2+3450+1085 23 VDD2+3350+1085 24 VDD2+3250+1085 25 VDD2+3150+1085 26 VDD2+3050+1085 27 SCLK+2590+1085 28 SDIN+2090+1085 29 D/C+1090+1085 30 SCE+90+1085 31 RES 910+1085 32 OSC 1410+1085 33 T3 1826+1085 34 VSS2 2068+1085 35 VSS2 2168+1085 36 VSS2 2268+1085 37 VSS2 2368+1085

48、 38 VSS2 2468+1085 PAD PAD NAME x y 39 T4 2709+1085 40 VSS1 2876+1085 41 VSS1 2976+1085 42 VSS1 3076+1085 43 VSS1 3176+1085 44 T1 3337+1085 45 VLCD2 3629+1085 46 VLCD2 3789+1085 47 VLCD1 4231+1085 48 VLCD1 4391+1085 49 T2 4633+1085 50 R23 4894+1060 51 R22 4994+1060 52 R21 5094+1060 53 R20 5194+1060

49、54 R19 5294+1060 55 R18 5394+1060 56 R17 5494+1060 57 R16 5594+1060 58 R15 5694+1060 59 R14 5794+1060 60 R13 5894+1060 61 R12 5994+1060 62 dummy2 6222+1060 63 dummy3 6238 738 64 R0 5979 738 65 R1 5879 738 66 R2 5779 738 67 R3 5679 738 68 R4 5579 738 69 R5 5479 738 70 R6 5379 738 71 R7 5279 738 72 R8

50、 5179 738 73 R9 5079 738 74 R10 4979 738 75 R11 4879 738 76 C0 4646 746 1999 年 4 月 12 日 31 P h i l i p s 半导体 产品说明书4 8 x 8 4 点矩阵L C D 控制/驱动 PCD8544PAD PAD NAME x y 77 C1 4546 746 78 C2 4446 746 79 C3 4346 746 80 C4 4246 746 81 C5 4146 746 82 C6 4046 746 83 C7 3946 746 84 C8 3846 746 85 C9 3746 746 86