位移电流.ppt
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1、16.7 位移电流位移电流Ic(t)Cq(t)(A)Ic(t)(B)E(t)图(图(A)、()、(B)两种情况导线周围的磁场相两种情况导线周围的磁场相同,同,说明电容器说明电容器C中的变化电场也像电流那样能激发中的变化电场也像电流那样能激发磁场。磁场。下面进行定量的分析:下面进行定量的分析:有问题联系有问题联系qq1366715589Maxwell认为:认为:(这是一种假设性的推广)。(这是一种假设性的推广)。高斯定理也适用于变化电场高斯定理也适用于变化电场一、一、Maxwell位移电流假说位移电流假说定义定义:位移电流位移电流 位移电流密度位移电流密度 引入引入 Id 后,在上述情况下有后,
2、在上述情况下有 Ic=Id .这样,非稳恒情况这样,非稳恒情况“电流电流”仍连续。仍连续。Maxwell位移电流假说位移电流假说对任意截面对任意截面S,变化的电场变化的电场相当于电流相当于电流极板间总极板间总位移电流位移电流 q(t)S板板CS Ic(t)D(t)=D二、安培环路定理的推广二、安培环路定理的推广全电流定律全电流定律1、全电流、全电流全电流全电流密度密度传导电传导电流密度流密度位移电位移电流密度流密度通常通常导体中:导体中:介质中:介质中:当频率很高时,当频率很高时,Ic 与与Id 都须考虑。都须考虑。在整个电路中,全电流总是连续的。在整个电路中,全电流总是连续的。Maxwell
3、提出:提出:2、全电流定律、全电流定律Maxwell认为认为Id与与Ic按相同的规律激发磁场,也按相同的规律激发磁场,也具有稳恒磁场安培环路定理的形式。具有稳恒磁场安培环路定理的形式。全电流定律全电流定律线与线与Id流向成右螺关系,流向成右螺关系,而而Id流向即流向即的方向。的方向。线与线与 成右螺关系。成右螺关系。穿过回路电穿过回路电流的代数和流的代数和三、三、Id 与与Ic的区别:的区别:在磁效应方面二者相同;在磁效应方面二者相同;在真空中,在真空中,Id只对应于变化的电场,无自由电只对应于变化的电场,无自由电荷的定向运动,无焦耳热。荷的定向运动,无焦耳热。例例1.对于位移电流,有下述四种
4、说法,请指出哪一对于位移电流,有下述四种说法,请指出哪一种说法正确:种说法正确:选选(A)(A)(A)位移电流是指变化电场。位移电流是指变化电场。(B)(B)位移电流是由线性变化磁场产生的。位移电流是由线性变化磁场产生的。(C)(C)位移电流的热效应服从焦耳位移电流的热效应服从焦耳楞次定律。楞次定律。(D)(D)位移电流的磁效应不服从安培环路定理。位移电流的磁效应不服从安培环路定理。解:解:四、平板电容器中位移电流的方向和大小四、平板电容器中位移电流的方向和大小1、方向:可根据、方向:可根据“全电流连续全电流连续”或位移电流密或位移电流密度的方向来判断。度的方向来判断。+-RIc充充电电+-R
5、Ic放放电电IdId2、大小:、大小:极板间总极板间总位移电流位移电流 或或真空中真空中例例2.(指导指导p213.69)圆形平板电容器,圆形平板电容器,从从q=0开始充电,试画出充电过程开始充电,试画出充电过程中,极板间某点中,极板间某点P处电场强度的方处电场强度的方向和磁场强度的方向。向和磁场强度的方向。iP+-全电流连续,所以全电流连续,所以i=id .idEBid与与 i磁效应相同磁效应相同,所以所以P点磁场强度向里点磁场强度向里.例例3.一平板电容器的两极板都是半径为一平板电容器的两极板都是半径为5.0cm的的圆导体片,在充电时,其中电场强度的变化率为圆导体片,在充电时,其中电场强度
6、的变化率为dE/dt=1.01012V/ms。(1)求两极板间的位移电流;)求两极板间的位移电流;(2)求极板边缘的磁感应强度。)求极板边缘的磁感应强度。解:解:(1)(2)以极板边缘线作为安培回路以极板边缘线作为安培回路L,则则16.8 麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组(Maxwell equations)一、一、Maxwell涡旋电场假说涡旋电场假说对电场性质的修正对电场性质的修正变化的磁场变化的磁场涡旋电场涡旋电场一般情况下:一般情况下:1、Gauss定理:定理:2、环路定理:、环路定理:二、二、Maxwell位移电流假说位移电流假说对磁场性质的修正对磁场性质的修正位移电流变化的电场位移电流
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