Chap.1 硅的制备及其晶体结构.ppt

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1、晶体的概念及硅材料的特点晶体的概念及硅材料的特点1单晶硅片的制备单晶硅片的制备23硅晶体中的杂质硅晶体中的杂质45硅晶体中的缺陷硅晶体中的缺陷单晶硅的晶体结构特点单晶硅的晶体结构特点Chap.1 硅的制备及其晶体结构天津工业大学天津工业大学气态（气态（gas state）液态（液态（liquid state）固态（固态（solid state）等离子体（等离子体（plasma）物质物质substance晶体（晶体（crystal）非晶体、无定形体非晶体、无定形体（amorphous solid）单晶：水晶、金刚石、单晶硅单晶：水晶、金刚石、单晶硅多晶：金属、陶瓷多晶：金属、陶瓷晶体（晶体（cr

2、ystal）物质存在形式天津工业大学天津工业大学无定形体和晶体天津工业大学天津工业大学多晶体天津工业大学天津工业大学天津工业大学天津工业大学l 晶体结构的基本特征：原子（或分子、离子）在三维空间晶体结构的基本特征：原子（或分子、离子）在三维空间 呈周期性重复排列呈周期性重复排列（periodic repeated arrayperiodic repeated array），即存在长程有序即存在长程有序（long-range orderlong-range order）l 性能上两大特点：固定的熔点性能上两大特点：固定的熔点（melting pointmelting point）,各向异性各向异

3、性（anisotropyanisotropy）晶体的特点天津工业大学天津工业大学1.1 硅材料的特点v硅硅器件室温下有较佳的特性器件室温下有较佳的特性v热稳定性好，更高的熔化温热稳定性好，更高的熔化温度允许更宽的工艺容限度允许更宽的工艺容限v高品质的氧化硅可由热生长高品质的氧化硅可由热生长的方式较容易地制得的方式较容易地制得v硅元素含量丰富（硅元素含量丰富（2525），），成本低成本低v高频、高速场合特性较差高频、高速场合特性较差天津工业大学天津工业大学硅片与封装好的模块天津工业大学天津工业大学 1.2 单晶硅片的制备石英岩，硅砂石英岩，硅砂（SiOSiO2 2）单晶硅片单晶硅片（wafer)

4、wafer)切片切片 抛光抛光单晶硅锭单晶硅锭（ingotingot）拉制单晶拉制单晶多晶硅多晶硅(poly-silicon)(poly-silicon)还原还原天津工业大学天津工业大学1.2.1 多晶硅的制备石英岩石英岩 （高纯度硅砂）（高纯度硅砂）冶金级硅冶金级硅 （9898）碳、煤等碳、煤等还原还原三三氯化硅氯化硅（SiHClSiHCl3 3）粉粉碎碎HClHCl电子级多晶硅电子级多晶硅（99.9999.99以上）以上）分馏分馏氢氢还原还原天津工业大学天津工业大学v直拉法直拉法 （CzochralskiCzochralski法法)v区域熔融法区域熔融法（Floating ZoneFloa

5、ting Zone法）法）1.2.2 单晶硅锭的制备直拉法系统示意图直拉法系统示意图天津工业大学天津工业大学直拉法（CZ）天津工业大学天津工业大学区域熔融法（FZ）区域提炼系统的原理图区域提炼系统的原理图天津工业大学天津工业大学区域熔融系统的原理图直拉法系统的原理图天津工业大学天津工业大学直拉法和区熔法的比较直拉法直拉法区熔法区熔法优点：优点：可以生长更大直径的晶锭；可以生长更大直径的晶锭；生长过程同时可以加入掺杂剂方便地掺杂生长过程同时可以加入掺杂剂方便地掺杂缺点：缺点：生长过程中容器、气氛污染较多生长过程中容器、气氛污染较多优点：优点：生长过程中污染少，可生长极高生长过程中污染少，可生长极

6、高纯单晶（高功率、高压器件）纯单晶（高功率、高压器件）缺点：缺点：涡流感应加热的涡流感应加热的“趋肤趋肤”效应限效应限制了生长的单晶硅锭的直径制了生长的单晶硅锭的直径天津工业大学天津工业大学1.2.3 IC制造的基本工艺流程天津工业大学天津工业大学1.2.4 硅片(晶园、wafer)的制备天津工业大学天津工业大学定位边研磨天津工业大学天津工业大学 硅片的定位边D200mm:天津工业大学天津工业大学硅片抛光和倒角天津工业大学天津工业大学硅片的CMP抛光天津工业大学天津工业大学1.3 硅晶体结构特点晶胞晶胞：最大限度反映晶体对称性的最小单元：最大限度反映晶体对称性的最小单元原胞原胞：晶体中最小的周

7、期性重复单元：晶体中最小的周期性重复单元天津工业大学天津工业大学 金刚石结构（Si、Ge、GaAs）天津工业大学天津工业大学 原子密度及晶体内部空隙v原子密度原子密度 晶格常数晶格常数a a(SiSi=5.43=5.43)原子密度晶胞中包含原子个数原子密度晶胞中包含原子个数/晶胞体积晶胞体积v晶体内部空隙晶体内部空隙 空间利用率晶胞包含原子个数空间利用率晶胞包含原子个数*原子体积原子体积/晶胞晶胞总体积总体积天津工业大学天津工业大学金刚石结构8 8个个顶点原子；顶点原子；6 6个面心原子个面心原子4 4个体心原子个体心原子总原子个数总原子个数1 13 34 48 8晶格常数为晶格常数为a(a(

8、SiSi=5.43=5.43)硅晶体中的硅晶体中的原子密度原子密度为：为：8/a8/a3 3=5*10=5*102222/cm/cm2 2硅原子的半径硅原子的半径硅晶体中的硅晶体中的空间利用率空间利用率天津工业大学天津工业大学 1.4 晶体中的晶面晶向、晶面、米勒指数晶向 晶向 晶向天津工业大学天津工业大学面心立方结构（FCC）中的（123）晶面天津工业大学天津工业大学金刚石结构中的晶面天津工业大学天津工业大学常见晶面的面密度天津工业大学天津工业大学 之前我们讨论的都是之前我们讨论的都是完美完美的晶体，的晶体，i.e.i.e.具有完美的周期性具有完美的周期性排列。排列。但是由于晶格粒子本身的热

9、振动、晶体生长过程中外界的但是由于晶格粒子本身的热振动、晶体生长过程中外界的影响、外界杂质的掺入、外部电、机械、磁场等应力的影影响、外界杂质的掺入、外部电、机械、磁场等应力的影响等等因素，使得晶格粒子的排列在一定范围内偏离完美响等等因素，使得晶格粒子的排列在一定范围内偏离完美的周期性。这种偏离晶格周期性的情况就称为的周期性。这种偏离晶格周期性的情况就称为缺陷缺陷（defect）。缺陷是不能完全避免的，实际中理想的完美晶体也是不存缺陷是不能完全避免的，实际中理想的完美晶体也是不存在的，虽然在某些情况下，缺陷的存在会造成一些危害，在的，虽然在某些情况下，缺陷的存在会造成一些危害，然而缺陷在半导体应

10、用中有着非常重要的作用。然而缺陷在半导体应用中有着非常重要的作用。1.5 硅晶体中的缺陷天津工业大学天津工业大学 缺陷的分类 p点缺陷点缺陷 p线缺陷线缺陷 位错位错p面缺陷面缺陷 层错层错p体缺陷体缺陷 杂质的沉积杂质的沉积自间隙原子、空位、肖特基缺陷、自间隙原子、空位、肖特基缺陷、弗伦克尔缺陷弗伦克尔缺陷外来原子缺陷（替位或间隙式）外来原子缺陷（替位或间隙式）天津工业大学天津工业大学点缺陷空位 Point defects-Vacancies 空位即晶格中组成粒子的缺失，如果一个晶格正常空位即晶格中组成粒子的缺失，如果一个晶格正常位置上的原子跑到表面，在体内留下一个晶格空位，位置上的原子跑到

11、表面，在体内留下一个晶格空位，则称为肖特基（则称为肖特基（Schottky）缺陷。缺陷。空位空位:点缺陷（点缺陷（point defect)晶格中点的范围内产生晶格中点的范围内产生空位是可以在晶格中移动的空位是可以在晶格中移动的天津工业大学天津工业大学空位（Vacancies）空位的产生需要打破化学键，因而需要一定的能量，空位的产生需要打破化学键，因而需要一定的能量，空位的数量随温度的增加而增加。空位的数量随温度的增加而增加。在不考虑杂质的情况下（即本征在不考虑杂质的情况下（即本征intrinsic 情况下），情况下），含有含有N个粒子的晶体，在温度为个粒子的晶体，在温度为T时空位的平衡浓度为

12、：时空位的平衡浓度为：EV 是是空位产生能量，空位产生能量，kB 是是Boltzmann常数，常常数，常温下肖特基缺陷浓度约为温下肖特基缺陷浓度约为1*1010cm-3天津工业大学天津工业大学间隙原子（Interstitials）晶格中存在着大量的空隙，如果有原子偏离了自身的晶晶格中存在着大量的空隙，如果有原子偏离了自身的晶格位置进入间隙位置，则成为了间隙原子。格位置进入间隙位置，则成为了间隙原子。显然，间隙原子也是一种点缺陷，当间隙原子和晶格原子大显然，间隙原子也是一种点缺陷，当间隙原子和晶格原子大小相当时，会引起很大的晶格破坏，因而需要很大的能量。小相当时，会引起很大的晶格破坏，因而需要很

13、大的能量。如果间隙原子的体积比晶格原子小的多，则可以稳定存在。如果间隙原子的体积比晶格原子小的多，则可以稳定存在。天津工业大学天津工业大学弗兰克尔缺陷（Frenkel Defects）通常空位和间隙原子是成对出现的，通常空位和间隙原子是成对出现的，离子离开它离子离开它原来的位置进入间隙形成间隙离子，同时留下一个空位。原来的位置进入间隙形成间隙离子，同时留下一个空位。这种缺陷成为这种缺陷成为Frenkel Defect，它仍然是电中性的。它仍然是电中性的。FrenkelFrenkel defects defects 可以由光可以由光照或者热激发，而且也可以照或者热激发，而且也可以自身复合消失，放

14、出一定的自身复合消失，放出一定的能量（发光）。能量（发光）。天津工业大学天津工业大学线缺陷位错 Line Defects-dislocations 晶体中的位错可以设想是在外力的作用下由滑移引起的，晶体中的位错可以设想是在外力的作用下由滑移引起的，滑移后两部分晶体重新吻合，滑移的晶面中，在滑移部分滑移后两部分晶体重新吻合，滑移的晶面中，在滑移部分和未滑移部分的交界处形成位错。和未滑移部分的交界处形成位错。Slipping天津工业大学天津工业大学刃位错 Edge dislocations 滑移量的大小和反向可用滑移矢量滑移量的大小和反向可用滑移矢量B B（Burgers vector）来描述，当

15、位错线与滑移矢量垂直时，称为刃位错。来描述，当位错线与滑移矢量垂直时，称为刃位错。悬挂键可以给出一个电子或从晶体中接受一个电子，从而悬挂键可以给出一个电子或从晶体中接受一个电子，从而对晶体的电学性质产生影响。对晶体的电学性质产生影响。天津工业大学天津工业大学螺位错 Screw dislocations当位错线与滑移矢量平行时，称为螺位错。当位错线与滑移矢量平行时，称为螺位错。天津工业大学天津工业大学对一般晶体而言，沿某些晶面往往容易发生滑移，这样的对一般晶体而言，沿某些晶面往往容易发生滑移，这样的晶面称为滑移面。构成滑移面的条件时该面上的原子面密晶面称为滑移面。构成滑移面的条件时该面上的原子面

16、密度大，而晶面之间的原子价键密度小，且间距大。对于硅度大，而晶面之间的原子价键密度小，且间距大。对于硅晶体来说，晶体来说，111111晶面中，双层密排面之间原子价键密度晶面中，双层密排面之间原子价键密度最小，结合最弱，因此滑移常沿最小，结合最弱，因此滑移常沿111111面发生。面发生。除了应力形变可以产生位错外，晶格失配也可以引起位错。除了应力形变可以产生位错外，晶格失配也可以引起位错。若某一部分掺入较多的外来原子，就会使晶格发生压缩或若某一部分掺入较多的外来原子，就会使晶格发生压缩或膨胀，在掺杂和未掺杂的两部分晶体界面上就会产生位错，膨胀，在掺杂和未掺杂的两部分晶体界面上就会产生位错，以减少

17、因晶格失配产生的应力。以减少因晶格失配产生的应力。天津工业大学天津工业大学面缺陷层错 Side defects多晶的晶粒间界是最明显的面缺陷，晶粒间界是一个原子错多晶的晶粒间界是最明显的面缺陷，晶粒间界是一个原子错排的过渡区。在密堆积的晶体结构中，层错又称为堆积层错，排的过渡区。在密堆积的晶体结构中，层错又称为堆积层错，是由原子排列顺序发生错乱引起的。层错并不改变晶体的电是由原子排列顺序发生错乱引起的。层错并不改变晶体的电学性质，但是会引起扩散杂质分布不均匀等影响。学性质，但是会引起扩散杂质分布不均匀等影响。天津工业大学天津工业大学体缺陷 Body defects当向晶体中掺入杂质时，因为杂质

18、在晶体中的溶解度当向晶体中掺入杂质时，因为杂质在晶体中的溶解度是有限的，如果掺入数量超过晶体可接受的浓度时，是有限的，如果掺入数量超过晶体可接受的浓度时，杂质将在晶体中沉积，形成体缺陷。这是一种三维尺杂质将在晶体中沉积，形成体缺陷。这是一种三维尺度上的缺陷。度上的缺陷。天津工业大学天津工业大学1.6 硅中杂质 Impurities 制备纯的晶体是非常困难的，因为在制备的过程中周制备纯的晶体是非常困难的，因为在制备的过程中周围的气氛以及容器中的原子会进入晶体替代晶体本身的围的气氛以及容器中的原子会进入晶体替代晶体本身的原子，这种外来的其他原子就称为杂质（原子，这种外来的其他原子就称为杂质（imp

19、urities）。）。杂质会对晶体的性质产生很大的影响，既有有利的也杂质会对晶体的性质产生很大的影响，既有有利的也有不利的，我们经常会向晶体中加入杂质（有不利的，我们经常会向晶体中加入杂质（impurities or dopants）来）来达到某种目的，这个过程就是掺杂达到某种目的，这个过程就是掺杂（doping）。）。天津工业大学天津工业大学替位杂质间隙杂质天津工业大学天津工业大学T本征硅（Silicon）本征硅（intrinsic）本征载流子浓度天津工业大学天津工业大学n型型半导体半导体（n-type semiconductor）掺杂硅（Doped Silicon）As是是五价元素，多余一

20、个电子，相五价元素，多余一个电子，相当与它给出一个电子，是施主当与它给出一个电子，是施主(donor)。掺入掺入As的的Si是非本征是非本征(extrinsic)半导体，它是电子导电，电子带负半导体，它是电子导电，电子带负电电(negative)，所以称为所以称为n型半导型半导体。体。天津工业大学天津工业大学 施主：施主：杂质在带隙中提供杂质在带隙中提供带有电子的能级，能级略带有电子的能级，能级略低于导带底的能量，和价低于导带底的能量，和价带中的电子相比较，很容带中的电子相比较，很容易激发到导带中易激发到导带中 电电子载流子。含有施主杂质子载流子。含有施主杂质的半导体，主要依靠施主的半导体，主

21、要依靠施主热激发到导带的电子导电热激发到导带的电子导电 n n型半导体。型半导体。掺杂硅（Doped Silicon）天津工业大学天津工业大学掺杂硅（Doped Silicon）p型半导体型半导体（p-type semiconductor）B是是三价元素，少一个电子，相当三价元素，少一个电子，相当与它接受了一个电子，是受主与它接受了一个电子，是受主(acceptor)。掺入掺入B的的Si是非本征是非本征(extrinsic)半半导体，它是空穴导电，空穴带正电导体，它是空穴导电，空穴带正电(positive)，所以称为所以称为p型半导体。型半导体。天津工业大学天津工业大学掺杂硅（Doped Si

22、licon）受主：受主：杂质提供带隙中空杂质提供带隙中空的能级，电子由价带激发的能级，电子由价带激发到受主能级要比激发到导到受主能级要比激发到导带容易的多。主要含有受带容易的多。主要含有受主杂质的半导体，因价带主杂质的半导体，因价带中的一些电子被激发到施中的一些电子被激发到施主能级，而在价带中产生主能级，而在价带中产生许多空穴，主要依靠这些许多空穴，主要依靠这些空穴导电空穴导电 p p型半导体。型半导体。天津工业大学天津工业大学浅能级（类氢杂质能级）杂质vN型半导体：在型半导体：在IV族（族（Si，Ge）族化合物中掺入族化合物中掺入V族元素族元素（P，As，Sb）；在）；在IIIV族族化合物中

23、掺入化合物中掺入VI族元素取代族元素取代V族元素。特点为半导体材料中有多余的电子。族元素。特点为半导体材料中有多余的电子。vP型半导体：在型半导体：在IV族（族（Si，Ge）族化合物中掺入族化合物中掺入III族元族元素（素（Al，Ga，In）；在）；在IIIV族族化合物中掺入化合物中掺入II族元素取族元素取代代III族元素。特点为半导体材料中形成空穴。族元素。特点为半导体材料中形成空穴。v掺入多一个电子的原子，电子的运动类似于氢原子中电掺入多一个电子的原子，电子的运动类似于氢原子中电子的情况。子的情况。v以上形成的施主或受主，称为类氢杂质能级，其特点为以上形成的施主或受主，称为类氢杂质能级，其

24、特点为束缚能很小束缚能很小，对于产生电子和空穴特别有效，施主或受，对于产生电子和空穴特别有效，施主或受主的主的能级非常接近导带或价带能级非常接近导带或价带，被称为，被称为浅能级杂质浅能级杂质。天津工业大学天津工业大学深能级杂质一些掺杂半导体中的杂质或缺陷在一些掺杂半导体中的杂质或缺陷在带隙中引入的能级较深带隙中引入的能级较深，被称为被称为深能级杂质深能级杂质。一般情况下深能级杂质大多为多重能级。一般情况下深能级杂质大多为多重能级。深能级杂质和缺陷的作用深能级杂质和缺陷的作用 1)1)可以成为可以成为有效复合中心有效复合中心，大，大大降低载流子的寿命；大降低载流子的寿命；2)2)可以成为可以成为

25、非辐射复合中心非辐射复合中心，影响半导体的发光效率；影响半导体的发光效率；3)3)可以作为可以作为补偿杂质补偿杂质，大大提，大大提高半导体材料的电阻率。高半导体材料的电阻率。天津工业大学天津工业大学1.7 杂质在硅晶体中的溶解度v杂质存在形式杂质存在形式v固溶体固溶体 替位式固溶体替位式固溶体 间隙式固溶体间隙式固溶体v固溶度固溶度 元素元素B B能够溶解到能够溶解到晶体晶体A A中的最大浓度。中的最大浓度。掺杂浓度与电阻率的关系天津工业大学天津工业大学小结v晶体的概念及硅材料的优势晶体的概念及硅材料的优势v单晶硅的两种制备方法（原理及单晶硅的两种制备方法（原理及优缺点优缺点）v单晶硅的晶格结构（单晶硅的晶格结构（类型类型、原子密度、原子密度、晶面原子晶面原子排布排布）v硅晶体中的缺陷（硅晶体中的缺陷（点缺陷点缺陷及线缺陷）及线缺陷）v硅晶体中的杂质（硅晶体中的杂质（N N、P P型半导体，受主和施主）型半导体，受主和施主）天津工业大学天津工业大学