第九章-金属半导体和半导体异质结ppt课件.ppt
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1、中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识第九章第九章 金属半导体和金属半导体和 半导体异质结半导体异质结中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识第九章第九章 金属半导体和半导体异质结金属半导体和半导体异质结9.1 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管9.2 金属半导体的欧姆接触金属半导体的欧姆接触9.3 异质结异质结中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识9.1
2、 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管示意图肖特基势垒二极管示意图中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识9.1.1 性质上的特征性质上的特征金属N型半导体金属和n型半导体接触前的平衡态能带图中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识基本概念基本概念真空能级真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量功函数:从费米能级到真空能级的能量差功函数:从费米能级到真空能级的能量差电子亲
3、和势:真空能级到价带底的能量差电子亲和势:真空能级到价带底的能量差金属的功函数金属的功函数半导体的亲和势半导体的亲和势半导体的功函数半导体的功函数中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识画能带图的步骤:画能带图的步骤:1.画出包括表面在内的各部分的能带图画出包括表面在内的各部分的能带图2.使图沿垂直方向与公共的使图沿垂直方向与公共的E0参考线对齐,并通过参考线对齐,并通过 公共界面把图连起来公共界面把图连起来3.不改变半导体界面能带的位置,向上或向下移动不改变半导体界面能带的位置,向上或向下移动 半导体体内部分的能
4、带,直到半导体体内部分的能带,直到EF在各处的值相等在各处的值相等4.恰当地把界面处的恰当地把界面处的Ec,Ei,Ev和体内和体内Ec,Ev,Ei连接连接起来起来5.去除不重要的去除不重要的中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识Figure 9.1Figure 9.1 m s 两个方向都存在两个方向都存在电子流动的势垒电子流动的势垒中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识 B0=m-金属中的电子向半导体中运动存在势垒金属中的电子向半导
5、体中运动存在势垒 B0叫做叫做肖特基势垒肖特基势垒。半导体导带中的电子向金属中移动存在势半导体导带中的电子向金属中移动存在势垒垒Vbi,Vbi就是半导体内的内建电势就是半导体内的内建电势中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识外加电压后,金属和半导体的费米能级不再相同,外加电压后,金属和半导体的费米能级不再相同,二者之差等于外加电压引起的电势能之差。二者之差等于外加电压引起的电势能之差。金属一边的势垒不随外加电压而变,即:金属一边的势垒不随外加电压而变,即:B0不变。不变。半导体一边,加正偏,势垒降低为半导体一边,
6、加正偏,势垒降低为Vbi-Va反偏势垒变高为:反偏势垒变高为:Vbi+VR中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识正偏正偏反偏反偏中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识肖特基二极管:正偏金属的电势高于半导体肖特基二极管:正偏金属的电势高于半导体中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识 M s,整流接触,整流接触正偏,半导体势垒高度变低,电子从正偏,半导体势
7、垒高度变低,电子从S注入注入M,形成净电流,形成净电流I,I随随VA的增加而增加。的增加而增加。反偏:势垒升高,阻止电子从反偏:势垒升高,阻止电子从S向金属流动,向金属流动,金属中的一些电子能越过势垒向半导体中运动,金属中的一些电子能越过势垒向半导体中运动,但这一反向电流很小。但这一反向电流很小。结论:结论:M s时,理想的时,理想的MS接触类似于接触类似于pn结二极管、结二极管、具有整流特性具有整流特性中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识整流接触整流接触欧姆接触欧姆接触金金金金属属属属和和和和p p型型型型半
8、半半半导导导导体体体体接接接接触触触触的的的的平平平平衡衡衡衡态态态态能能能能带带带带图图图图7.1 金属和半导体接触及其能带图金属和半导体接触及其能带图中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识7.1 金属和半导体接触及其能带图金属和半导体接触及其能带图金属一边的势垒高度:金属一边的势垒高度:中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识7.1 金属和半导体接触及其能带图金属和半导体接触及其能带图结论结论n形半导体形半导体p形半导体形半导体W
9、mWs整流接触整流接触欧姆接触欧姆接触WmJS,中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识Figure 9.10Figure 9.10中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识中国历史上吸烟的历史和现状、所采取的措施以及由此带来的痛苦和灾难,可以进一步了解吸烟对人民健康的危害,提高师生的控烟意识 2.两种二极管正偏时的特性也不同,肖特基二极管的开两种二极管正偏时的特性也不同,肖特基二极管的开启电压低于启电压低于pn结二极管的有效开启有效开启
10、电压。结二极管的有效开启有效开启电压。3.二者的频率响应特性,即开关特性不同。二者的频率响应特性,即开关特性不同。pn结从正偏转向反偏时,由于正偏时积累的少数载流结从正偏转向反偏时,由于正偏时积累的少数载流子不能立即消除,开关速度受到电荷存储效应的限制;子不能立即消除,开关速度受到电荷存储效应的限制;肖特基势垒二极管,由于没有少数载流子存储,可以用肖特基势垒二极管,由于没有少数载流子存储,可以用于快速开关器件,开关时间在皮秒数量级,其开关速度于快速开关器件,开关时间在皮秒数量级,其开关速度受限于结电容和串联电阻相联系的受限于结电容和串联电阻相联系的RC延迟时间常数。延迟时间常数。工作频率可高达
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