ch3.存储器及存储体系.ppt
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1、1第三章第三章 存储体系存储体系23.1 3.1 存储器概述存储器概述本节主要内容包括:本节主要内容包括:v存储器的基本概念存储器的基本概念v主存储器的组成主存储器的组成v存储器的分类存储器的分类v存储器的性能指标存储器的性能指标33.1.13.1.1存储器的基本概念存储器的基本概念 v 存储媒体存储媒体v 基本存储单元基本存储单元v 存储单元存储单元v 存储单元地址存储单元地址v 存储体存储体43.1.23.1.2主存储器的组成主存储器的组成2n1MAR译码器存储阵列读放电路写驱动电路MDRn0RDWRDBAB53.1.3存储器的分类存储器的分类按按存储介质存储介质按按用途及与用途及与CPU
2、CPU的关系的关系按按寻址方式:寻址方式:RAMRAM、SAMSAM、DAMDAM按按读写功能:读写功能:RWSRWS、ROMROM磁存储器磁存储器半导体存储器半导体存储器激光存储器激光存储器主存储器主存储器控制存储器控制存储器高速缓冲存储器高速缓冲存储器外存储器外存储器63.1.4存储器的性能指标存储器的性能指标v存储器容量存储器容量 存储器所能容纳的二进制信息总量,通常以字节表示。存储器所能容纳的二进制信息总量,通常以字节表示。v存储器速度存储器速度存取时间:从存储器读取一次信息(或写入一次信息)所需要的时间存取时间:从存储器读取一次信息(或写入一次信息)所需要的时间存储周期:存储器进行一
3、次完整的读写操作所需的全部时间存储周期:存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间存储器带宽:单位时间内存储器可读写的字节数存储器带宽:单位时间内存储器可读写的字节数v存储器可靠性存储器可靠性 破坏读出、信息易失、断电丢失破坏读出、信息易失、断电丢失v价格(成本)价格(成本)对存储器的基本要求是:大容量、高速度、高可靠性和低成本对存储器的基本要求是:大容量、高速度、高可靠性和低成本73.2 3.2 半导体存储元件半导体存储元件本节主要内容包括:本节主要内容包括:v 半导体存储器的常见分类及特点半导体存储器的常见分类及特点v 半导体基本存储单元及其工作原理半导体基本存储单元及其工作原理v 半导体
4、存储芯片的组织半导体存储芯片的组织83.2.1 半导体存储器的常见分类及特点半导体存储器的常见分类及特点v双极型半导体存储器双极型半导体存储器TTL TTL、发射极耦合电路存储器发射极耦合电路存储器ECLECL其特点:速度高、驱动能力强,但集成度低、功耗大、价格高,其特点:速度高、驱动能力强,但集成度低、功耗大、价格高,一般用于小容量的高速存储器。一般用于小容量的高速存储器。v MOSMOS场效应晶体管存储器(分动态、静态两种)场效应晶体管存储器(分动态、静态两种)其特点:集成度高、功耗小、工艺简单、成本低,但速度较低,其特点:集成度高、功耗小、工艺简单、成本低,但速度较低,一般用于大容量存储
5、器一般用于大容量存储器93.2.2 3.2.2 半导体基本存储单元及其工作原理半导体基本存储单元及其工作原理(1)(1)双极型半导体存储单元工作原理双极型半导体存储单元工作原理v存储原理:用晶体管导通与截存储原理:用晶体管导通与截 止来表示止来表示0和和1。若。若T0导通、导通、T1截止表示存储截止表示存储0,则则T0 截止、截止、T1导通表示存储导通表示存储1。v工作原理:工作原理:写入操作写入操作存储状态存储状态读出操作读出操作DDRRABVccT0T1字线W3.6v4.2v1.4v导通截止103.2.2 3.2.2 半导体基本存储单元及其工作原理(续半导体基本存储单元及其工作原理(续)(
6、2 2)动态)动态MOSMOS存储单元工作原存储单元工作原理理v存储原理:动态存储原理:动态MOSMOS存储单元存储单元 靠电容存储信息,若电靠电容存储信息,若电 容充有电荷表示存储容充有电荷表示存储1 1,电容放电则表示存储电容放电则表示存储0 0。v工作原理:工作原理:写入操作写入操作存储状态存储状态读出操作读出操作字线W位线DTCsE113.2.2 3.2.2 半导体基本存储单元及其工作原理(续半导体基本存储单元及其工作原理(续)(3 3)静态)静态MOSMOS存储单元工作原理存储单元工作原理v存储原理存储原理:用晶体管导通与用晶体管导通与 截止来表示截止来表示0和和1。v工作原理工作原
7、理:写入操作写入操作存储状态存储状态读出操作读出操作字线WVccDDABT2T3T4T5T0T1高电位导通导通数据123.2.3 3.2.3 半导体存储芯片的组织半导体存储芯片的组织(1)(1)一维地址译码方式一维地址译码方式v 存储阵列由存储阵列由M MN N个基本存储单元(位)组成。个基本存储单元(位)组成。v 存储阵列的每一行对应一个字,共用一根字线。存储阵列的每一行对应一个字,共用一根字线。v 每一列对应不同字的同一位,用位线相连。每一列对应不同字的同一位,用位线相连。v 用一组地址译码器对地址进行译码,使其中一根字线有效,用一组地址译码器对地址进行译码,使其中一根字线有效,选中相应的
8、字。选中相应的字。下图是一个下图是一个16*816*8位,采用一维地址译码方式的存储器示意图:位,采用一维地址译码方式的存储器示意图:13地址16选1地址译码器读写电路读写电路读写电路A0A1A2A3W0W1W15D0D1D7D0D0D1D1D7D7字线字1位1一维地址译码方式的一维地址译码方式的RAMRAM:143.2.3 3.2.3 半导体存储芯片的组织(续)半导体存储芯片的组织(续)(2 2)二维地址译码的位选方式)二维地址译码的位选方式v 存储阵列由存储阵列由M MN N个基本存储单元(位)组成。个基本存储单元(位)组成。v n n位地址按行和列分成两组,分别由行、列两个译码器位地址按
9、行和列分成两组,分别由行、列两个译码器 译码,选中相应的行、列,即行线和列线交叉位置的基本存译码,选中相应的行、列,即行线和列线交叉位置的基本存 储单元(位)被选中,通过位线进行读写。储单元(位)被选中,通过位线进行读写。v 可将多片同样芯片并联组成存储体,一个地址经过译码分别可将多片同样芯片并联组成存储体,一个地址经过译码分别 选中每个芯片当中的一位组成一个存储单元。选中每个芯片当中的一位组成一个存储单元。其原理图如下:其原理图如下:15地址X地址译码器A0A1A2A3X0X31Y31Y0A4Y 地 址 译 码 器读写电路A5A6A7A8A9D读写DDDD3232位二二维维地地址址译译码码的
10、的位位选选方方式式163.2.3 3.2.3 半导体存储芯片的组织(续)半导体存储芯片的组织(续)(3 3)二维地址译码的字选方式)二维地址译码的字选方式行译码器列 译 码 器读 写 电 路A0A1An11An1An21b位字0b位字1b位字S10b1b对 Sb对位线b根数据线S根线读写W/S根线W/SSb位173.3 3.3 半导体只读存储器半导体只读存储器ROMROM本节主要内容包括:本节主要内容包括:v半导体只读存储器半导体只读存储器ROMROM的特点及应用的特点及应用 只能读出信息,而不能写入的随机存储器。只能读出信息,而不能写入的随机存储器。与与RAMRAM相比速度相当、结构简单、集
11、成度高、造价低、功耗小、相比速度相当、结构简单、集成度高、造价低、功耗小、可靠性高、无掉电信息丢失、无读出信息破坏、不需要刷新。可靠性高、无掉电信息丢失、无读出信息破坏、不需要刷新。与外存相比,都具有掉电信息不丢失的特点,但速度高。与外存相比,都具有掉电信息不丢失的特点,但速度高。应用有以下三类:应用有以下三类:存放软件存放软件存放微程序存放微程序存放特殊编码存放特殊编码v 掩模只读存储器掩模只读存储器MROMMROMv 一次性编程只读存储器一次性编程只读存储器PROMPROMv 可改写的只读存储器可改写的只读存储器EPROMEPROMv 电可改写只读存储器电可改写只读存储器EEPROMEEP
12、ROM和闪存和闪存183.3.1 3.3.1 掩模只读存储器掩模只读存储器MROMMROM由生产厂生产的存有固定信息的ROM,用户只能选用而无法修改原存的信息或者芯片制造厂商可根据用户提供的信息,设计相应的光刻掩模来成批生产。1.1.MOSMOS只存储器只存储器2.2.双极型双极型ROMROMA0A1A2A3A4 读放电路 Y地址译码DA5 A6 A7Vcc读Vcc字地址译码器读放电路D3 D2 D1 D0W1W2W3存储阵列读193.3.2 3.3.2 一次性编程只读存储器一次性编程只读存储器PROMPROM 这是一种封装后可编程序的半导体只读存储器。存储的初始内容是全“0”或全“1”,由用
13、户根据自己的需要,用过载电压来写入信息,但只能写一次。多射极的熔丝式PROM示意图如下:SSSSSSSSSSSSSSSS地址译码 读 放 电 路VccA0A1A2A3A4 D7 D6 D1 D0读203.3.3 3.3.3 可改写的只读存储器可改写的只读存储器EPROMEPROM EPROMEPROM是一种可多次改写的是一种可多次改写的ROMROM。其基本存储电路如图:其基本存储电路如图:字线位线EPROMVcc213.3.4 3.3.4 电可改写只读存储器电可改写只读存储器EEPROMEEPROM和闪存和闪存223.4 3.4 主存储器与主存储器与CPUCPU的连接的连接本节主要内容包括:本
14、节主要内容包括:v CPUCPU与与MMMM速度的协调速度的协调v 存储芯片的工作时序存储芯片的工作时序v 用存储芯片构成主存储器用存储芯片构成主存储器233.4.1 3.4.1 CPUCPU与与MMMM速度的协调速度的协调v 同步方式:同步方式:CPUCPU周期内存存取周期总线周期周期内存存取周期总线周期 由于由于CPUCPU的速度远高于主存速度,这种方式对的速度远高于主存速度,这种方式对 CPUCPU限制过死,使限制过死,使CPUCPU速度降低。速度降低。v 准同步方式:准同步方式:CPUCPU以节拍周期为单位与内存同步以节拍周期为单位与内存同步 CPUCPU完全根据自身的操作需要确定自己
15、的工作周期,完全根据自身的操作需要确定自己的工作周期,存储器有自己固有的读写周期,两者完全独立存储器有自己固有的读写周期,两者完全独立243.4.2 3.4.2 存储芯片的工作时序存储芯片的工作时序v 读周期时序读周期时序v 写周期时序写周期时序(1 1)静态随机存储器)静态随机存储器SRAMSRAM的工作时序:的工作时序:读出数据读周期AddrCSRDDataAddr写周期CSWR写入数据Data253.4.2 3.4.2 存储芯片的工作时序存储芯片的工作时序(续续)(2)(2)动态随机存储器动态随机存储器DRAMDRAM工作时序工作时序读周期读出数据AddrRASCASRDData行列RA
16、SCASRDDataAddr行列写入数据写周期AddrRASCAS刷新周期263.4.3 3.4.3 用存储芯片构成主存储器用存储芯片构成主存储器v要解决的问题:要解决的问题:SRAMSRAM、DRAMDRAM和和ROMROM的选取的选取如何利用现有的芯片构造所需要的存储器如何利用现有的芯片构造所需要的存储器v三种构造方式(设需要组成一个三种构造方式(设需要组成一个M MN N的存储器,而现有的的存储器,而现有的 存储芯片是存储芯片是m mn n的存储芯片)的存储芯片)位扩展位扩展字扩展字扩展字位同时扩展字位同时扩展273.4.3 3.4.3 用存储芯片构成主存储器(续)用存储芯片构成主存储器
17、(续)(1 1)位扩展()位扩展(M Mm m,NnNn),),即每个存储单元二进制位数的扩展。即每个存储单元二进制位数的扩展。例如:用例如:用1616KBKB1 1的芯片组成的芯片组成1616KB KB 8 8的存储器,则连接图如下:的存储器,则连接图如下:RDWRM/IOABA13A0A13A0cs A13A13A0A0D0D6D7DBcs cs 14141414DDD283.4.3 3.4.3 用存储芯片构成主存储器(续)用存储芯片构成主存储器(续)(2 2)字扩展()字扩展(MmMm,N Nn)n),即存储单元数的扩展。例如:用即存储单元数的扩展。例如:用8 8KBKB8 8的芯片组成
18、的芯片组成6464KB KB 8 8的存储器,则连接图如下的存储器,则连接图如下RDWRM/IOA13A0A12A0cs A12A12A0A0D0D7cs cs 13131313DDDA12A14A15888U1U0U738译码器111001000293.4.3 3.4.3 用存储芯片构成主存储器(续)用存储芯片构成主存储器(续)(3 3)字位同时扩展)字位同时扩展 (MmMm,Nn)Nn)。例如:用例如:用8 8KBKB4 4的芯片组成的芯片组成1616KB KB 8 8的存储器,则连接图如下的存储器,则连接图如下RDWRA13A12A0A12A0cs A12A12A0A0D0D4D7cs
19、cs 13131313DDDA12A0cs DD3U3U2U1U0444444303.4.3 3.4.3 用存储芯片构成主存储器(续)用存储芯片构成主存储器(续)v综合例题:综合例题:313.5 3.5 并行存储器并行存储器 除了选择高速器件之外,并行读写是提高存储器性能的一除了选择高速器件之外,并行读写是提高存储器性能的一个有效手段之一,并行存储器基本思想是通过重复设置硬件为个有效手段之一,并行存储器基本思想是通过重复设置硬件为代价,实现并行存取来换取速度的提高,可以分为以下几类:代价,实现并行存取来换取速度的提高,可以分为以下几类:v 双端口存储器双端口存储器v 多模块存储器多模块存储器
20、单体多字存储器单体多字存储器 多体单字存储器多体单字存储器v 相联存储器相联存储器323.5.1 3.5.1 双端口存储器双端口存储器v基本思想基本思想:存储器采用两个端口,再设置两套读写装置同时访问内存,从而提高了整个计算机系统的效率。v双端口存储器的结构框图:双端口存储器的结构框图:MARMDR读写电路译码器存储体ABDBCBMARMDR读写电路译码器ABCBv说明:说明:两个访问端口独立工作互不干扰,只有当两个端口 试图在同一时间内访问同一地址单元时,才会发生冲突。333.5.2 3.5.2 多模块存储器多模块存储器v 基本思想:基本思想:并行设置多个存储模块,在一个存取周期内,多个存储
21、模块同时存取多个字以提高整体速度。v 单体单体多字多字存储器存储器AB地址寄存器译码器M0M1MN1W位W位W位NW位DB只有一套地址寄存器和地址译码器有多个容量相同的存储模块343.5.2 3.5.2 多模块存储器多模块存储器(续续)v多体单字交叉存取方式多体单字交叉存取方式MAR0MAR1MAR2MAR3MDR0MDR1MDR2MDR304M0K05M1K126M2K237M3K3ABDB1说明说明:多存储模块多读写装置交叉编址353.5.3 3.5.3 相联存储器相联存储器v 相联存储器的概念相联存储器的概念v 相联存储器的组成相联存储器的组成 存储体,存放信息的部件。存储体,存放信息的
22、部件。输入检索寄存器,用来存放待检索的内容。输入检索寄存器,用来存放待检索的内容。屏蔽寄存器,用来决定输入检索寄存器的哪些项参与检索比较,屏蔽寄存器,用来决定输入检索寄存器的哪些项参与检索比较,哪些项不参与。哪些项不参与。比较器,是相联存储器的核心,由字比较器和位比较器两部分组成。比较器,是相联存储器的核心,由字比较器和位比较器两部分组成。字匹配寄存器,用来记录比较结果。字匹配寄存器,用来记录比较结果。数据寄存器,用来存放某个单元的内容。数据寄存器,用来存放某个单元的内容。地址寄存器和地址译码器,使相联存储器同时具有按地地址寄存器和地址译码器,使相联存储器同时具有按地 址查找的一般功能。址查找
23、的一般功能。363.5.3 3.5.3 相联存储器(续)相联存储器(续)v 相联存储器结构框图:相联存储器结构框图:输入检索寄存器屏蔽寄存器M比较器2mN存储体数据寄存器地址寄存器地址译码器字匹配寄存器2m12m1N1N1N100m0000N10373.6 3.6 存储体系存储体系本节主要内容有:本节主要内容有:v高速缓冲存储器高速缓冲存储器CacheCache 地址的映像与变换地址的映像与变换 全相联方式全相联方式 直接方式直接方式 组相联方式组相联方式 替换算法替换算法v 虚拟存储器虚拟存储器 虚拟存储器的管理方式虚拟存储器的管理方式 虚拟存储器的工作过程虚拟存储器的工作过程v 三级存储体
24、系三级存储体系383.6.1 3.6.1 高速缓冲存储器高速缓冲存储器CacheCache1 1、高速缓冲存储器、高速缓冲存储器CacheCache的的一般概念一般概念v 程序执行的局部性原理:程序执行的局部性原理:CPU对内存的访问在一段相对较短的时间内间隔往往集中于某个局部,特别是碰到循环程序、反复调用的子程序、递归程序等就更是如此,这就是所谓的“程序执行的局部性原理”。v CacheCache的引入:的引入:由于程序执行的局部性原理,在CPU和主存之间引入速度更快的存储器使得CPU访问内存的大多数操作是在这个快速存储器进行,这样使访内的速度大大提高,该存储器称高速缓冲存储器(Cache
25、Memory)v Cache CacheMMMM层次结构图及访内过程:层次结构图及访内过程:CPU高速缓存Cache主存MM辅助硬设备393.6.1 3.6.1 高速缓冲存储器高速缓冲存储器CacheCache(续)续)2 2、地址的、地址的映像映像与与变换变换 地址映像与变换的三种基本方式:地址映像与变换的三种基本方式:v 全相联方式全相联方式v 直接方式直接方式v 组相联方式组相联方式根据某种规则或算法把信息从主存复制到Cache的过程。当执行程序时将主存地址变换为Cache地址的过。403.6.1 3.6.1 高速缓冲存储器高速缓冲存储器-地址的映像与变换(地址的映像与变换(1)(1 1
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