第三章 双极结型三极管及放大电路基础PPT讲稿.ppt
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1、第三章 双极结型三极管及放大电路基础模拟电子线路模拟电子线路第1页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路3.1 双极型晶体管(BJT,bipolar junction transistor)双极型晶体管由两个靠得很近的PN结构成。其中,带正电的空穴和带负电的电子均参与导电。一、晶体管的结构及符号晶体管的结构特点:发射区掺杂浓度高,基区薄且浓度低,集电结面积大,以保证晶体管具有电流放大作用。第2页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路二、晶体管的电流分配与放大作用晶体管内载流子的传输过程n发射区向基区注入载流子n电子在基区扩散和复合n集电结收集电子
2、第3页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路 晶体管直流电流传输方程 晶体管做放大器时,三个端中一个作输入端,一个作输出端,另一个作输入和输出的公用端。根据作公用端的电极的不同,晶体管可分为三种不同的连接方式:共基集、共发射极和共集电极连接。在这三种不同连接关系下的晶体管内部直流电流关系,称为晶体管的直流电流传输方程。第4页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路1、共基极直流电流传输方程(发射极输入,集电极输出)共基极电流放大系数共基极直流电流传输方程若ICICBO,则所以 稍小于1,电流无放大作用第5页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟
3、电子线路模拟电子线路2、共发射极直流电流传输方程基极为输入端,集电极为输出端,发射极为公共端输入电流为IB、输出电流为Ic,Ic IB,有电流放大作用!利用上节晶体管内载流子关系式令则此式称为共发射极直流电流传输方程。第6页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路n其中 ,代表基极开路时的集电极到发射极的直通电流,通常称为穿透电流。n有 表明 等于集电极电流与 基极电流的比值。由于n共发射极电路的直流电流传输方程可表示为第7页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路3、共集电极直流电流传输方程基极为输入端,发射极为输出端,集电极为公共端由于IE=IC
4、+IB 所以 上式即为共集电极直流电流传输方程。通常 ,故共集电极电路的直流电流传输方程与共射电路近似。第8页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路三、晶体管的共射组态特性曲线 晶体管外部各极电流和电压的关系曲线称为晶体管的特性曲线。共发射极晶体管的输入端电流为iB,输入端电压为vBE,输出端电流为iC,输出端电压为vCE。第9页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路1、输入特性曲线以集电极电压vCE为参变量,输入回路中基极电压vBE与基极电流iB的关系曲线称为输入特性曲线,即 iB=f(vBE)|vCE(1)vCE=0时,iB-vBE曲线和普通
5、 二极管的特性相似。(2)vCE1V时的IB-VBE曲线与 vCE=0时的曲线相比,特性右移,且不同vCE的曲线基本重合。第10页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路2、输出特性曲线 输出特性是指以输入基极电流iB为参变量,输出集电极电流iC和集电极与发射极之间输出电压vCE的关系,即 iC=f(vCE)|iB 第11页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路1)放大区n发射结正向偏置,集电结反向偏置niB等变量变化时输出iC基本是平行等距的。n受基区调制效应影响,随vCE加大,曲线斜率略有加大。基区调制效应:基区宽度受集电极电压调制:vCE,集
6、电结厚度,基区宽度,电子空穴复合,维持相同iC所需iB,相同iB时iC。常数 第12页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路2)饱和区 vCE较小时,集电结吸引电子能力弱,iC不随iB的增加而增加,晶体管失去放大作用。饱和时集电极电压称为饱和压降VCE(sat)。nSi管VCE(sat)0.3V,而发射结的饱和压降VBE(sat)0.8V,故VCB(sat)=VCE(sat)-VBE(sat)-0.5Vn在饱和区,集电结和发射结均处于正向偏置。3)截止区 通常将iB=0以下的区域称为截止区,此时iE=iC=iCEO。严格的说,iE=0,iC50时,AV随IE线性增大 第
7、57页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路C、计算输入电阻和输出电阻n放大器的输入电阻n放大器的输出电阻 若使用完整的h参数等效,不忽略hoe,有第58页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路D、计算源电压放大倍数 根据源电压放大倍数的定义,有 而 第59页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路共射极放大电路 放大电路如图所示。已知BJT的=80,Rb=300k ,Rc=2k,VCC=+12V,求:(1)放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域?(2)当Rb=100k 时,放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域?(忽略
8、BJT的饱和压降)解:(1)(2)当Rb=100k 时,静态工作点为Q(40 A,3.2mA,5.6V),BJT工作在放大区。其最小值也只能为0,即IC的最大电流为:BJT工作在饱和区。VCE不可能为负值,此时,Q(120uA,6mA,0V),例第60页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路3.4 放大电路静态工作点的稳定一、温度变化对工作点的影响 温度上升时,BJT的反向电流ICBO、ICEO及电流放大系数或都会增大,而发射结正向压降VBE会减小。这些参数随温度的变化,都会使放大电路中的集电极静态电流ICQ随温度升高而增加(ICQ=IBQ+ICEO),从而使Q点随温度
9、变化。要想使ICQ基本稳定不变,就要求在温度升高时,电路能自动地适当减小基极电流IBQ。第61页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路二、二、射极偏置电路射极偏置电路(1)稳定工作点原理 目标:温度变化时,使IC维持恒定。如果温度变化时,b点电位能基本不变,则可实现静态工作点的稳定。T IC IE VE、VB不变 VBE IBIC(反馈控制)1、基极分压式射极偏置电路基极分压式射极偏置电路(a)原理电路 (b)直流通路第62页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路b点电位基本不变的条件:I1 IBQ,此时,VBQ与温度无关VBQ VBEQRe取值
10、越大,反馈控制作用越强一般取 I1=(510)IBQ,VBQ=35V 第63页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路(2)放大电路指标分析静态工作点第64页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路电压增益画小信号等效电路第65页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路输出回路:输入回路:电压增益:确定模型参数 已知,求rbe增益第66页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路输入电阻则输入电阻放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻第67页,共101页,编辑于2022年,星期二模拟电子线路模拟电子线路输出电阻
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