第1章 常用半导体器件(题解).ppt
《第1章 常用半导体器件(题解).ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第1章 常用半导体器件(题解).ppt(17页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第第1 1章章 常用半导体器件常用半导体器件自自 测测 题题一、判断下列说法是否正确,用一、判断下列说法是否正确,用“”和和“”表示表示判断结果填入空内。判断结果填入空内。(1)在)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为可将其改型为P型半导体。(型半导体。()(2)因为)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(负电。()(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成
2、的。(漂移运动形成的。()n解:解:(1)(2)(3)(4)二、选择正确答案填入空内。二、选择正确答案填入空内。(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将结加正向电压时,空间电荷区将 。n A.变窄变窄 B.基本不变基本不变 C.变宽变宽(2)设二极管的端电压为)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是,则二极管的电流方程是 。n A.ISeU B.C.(3)稳压管的稳压区是其工作在)稳压管的稳压区是其工作在 。n A.正向导通正向导通 B.反向截止反向截止 C.反向击穿反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。n A
3、.前者反偏、后者也反偏前者反偏、后者也反偏n B.前者正偏、后者反偏前者正偏、后者反偏n C.前者正偏、后者也正偏前者正偏、后者也正偏解:(解:(1)A (2)C (3)C (4)B三、写出图示各电路的输出电压值,设二极管导通电压三、写出图示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD0.7V。n解:解:UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V,UO51.3V,UO62V。四、已知稳压管的稳压值四、已知稳压管的稳压值UZ6V,稳定电流的最小值,稳定电流的最小值IZmin5mA。求图示电路中。求图示电路中UO1和和UO2各为多少伏。各为多少伏。n 解:解:UO16V,UO25V。五、电路
4、如图所示,五、电路如图所示,VCC15V,100,UBE0.7V。试问:。试问:(1)Rb50k时,时,uO?(2)若)若T临界饱和,则临界饱和,则Rb?n解:(解:(1)Rb50k时,基极电流、集电极电时,基极电流、集电极电 流流和管压降分别为和管压降分别为n n An n所以输出电压所以输出电压UOUCE2V。(2)设临界饱和时)设临界饱和时UCESUBE0.7V,所以,所以 第第1 1章章 习题习题1.1 选择合适答案填入空内。选择合适答案填入空内。(1)在本征半导体中加入)在本征半导体中加入 元素可形成元素可形成N型半导体,型半导体,加入加入 元素可形成元素可形成P型半导体。型半导体。
5、n A.五价五价 B.四价四价 C.三价三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。n A.增大增大 B.不变不变 C.减小减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当)工作在放大区的某三极管,如果当IB从从12A增大增大到到22A时,时,IC从从1mA变为变为2mA,那么它的,那么它的约为约为 。n A.83 B.91 C.100n 解:(解:(1)A,C (2)A (3)C 1.2 电路如图所示,已知电路如图所示,已知ui10sint(v),试画出,试画出ui与与uO的波形。设二的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。极管正向导通电压可忽略不计。n解
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 第1章 常用半导体器件题解 常用 半导体器件 题解
限制150内