第3章 直流斩波电路.ppt
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1、电力电子技术第3 章 直流斩波电路3 直流斩波电路3.1 全控电力电子器件3.2 直流斩波工作原理3.3 基本直流斩波电路3.4 其他直流斩波电路3.5 直流斩波电路应用3.1 全控电力电子器件3.1.1可关断晶闸管3.1.2电力晶体管3.1.3功率场效应晶体管3.1.4绝缘栅双极晶体管3.1.5智能型器件IPM3.1.1可关断晶闸管门极可关断晶闸管简称GTO,是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。GTO既具有普通晶闸管的优点(耐压高,电流大,耐浪涌能力强,价格便宜),同时又具有GTR的优点(自关断能力,无需辅助关断电路,使用方便)。是目前应用于高压、大容量场合中的一种大功率开关
2、器件。广泛应用于电力机车的逆变器、电网动态无功补偿和大功率直流斩波调速等领域。1GTO的结构与工作原理GTO的结构原理与普通晶闸管相似,为PNPN四层三端半导体器件,其结构、等效电路及符号如图3-1所示。图中A、G和K分别表示GTO的阳极、门极和阴极。其外形如图3-2所示。图3-1 GTO的结构、等效电路及符号(a)结构 (b)符号图3-2 GTO的外形图2GTO的主要特性的主要特性(1)阳极伏安特性逆阻型的阳极伏安特性如图所示。由图3-3可见,它与普通晶闸管的伏安特性极其相似。(2)通态压降特性GTO的通态压降特性如图3-4。(3)开通特性开通特性是元件从断态到通态过程中电流、电压及功耗随时
3、间变化的规律。如图3-5所示。(4)关断特性关断特性是指GTO在关断过程中的阳极电压、阳极电流和功耗与时间的关系,如图3-6所示。图3-3 GTO的阳极伏安特性图3-4 GTO的通态压降 图3-5 GTO的开通特性 图3-6 GTO的关断特性3GTO的主要参数的主要参数(1)最大可关断阳极电流IATO(2)关断增益 off(3)阳极尖峰电压UP 4GTO门极驱动要求门极驱动要求图3-7为理想门极信号波形,门极电压、电流包含正向开通脉冲和反向关断脉冲(1)导通触发(2)关断触发 图3-7 GTO理想门极信号波形5可关断晶闸管的测试可关断晶闸管的测试(1)可关断晶闸管电极的判定将万用表置于R10档
4、或R100档,轮换测量可关断晶闸管的3个引脚之间的电阻,如图3-8所示。(2)判定可关断晶闸管的好坏用万用表R10档或R100档测量晶闸管阳极(A)与阴极(K)之间的电阻,或测量阳极(A)与门极(G)之间的电阻。如果读数小于1k,说明可关断晶闸管严重漏电,器件已击穿损坏。用万用表R10档或R100档测量测量门极(G)与阴极(K)之间的电阻。如正反向电阻均为无穷大(),说明被测晶闸管门极、阴极之间断路,该管也已损坏。图3-8 可关断晶闸管电极判别(3)可关断晶闸管触发特性测试如图3-9所示。将万用表置于R1档,黑表笔接可关断晶闸管的阳极A,红表笔接阴极G悬空,这时晶闸管处于阻断状态,电阻应为无穷
5、大(),如图3-9(a)所示。(4)可关断晶闸管关断能力的初步检测测试方法如图3-10所示。采用1.5V干电池一节,普通万用表一只。图3-9 可关断晶闸管触发特性简易测试方法图3-10 可关断晶闸管的关断能力测试3.1.2电力晶体管电力晶体管电力晶体管(GTR)是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(BJT)。1GTR的结构和工作原理的结构和工作原理图3-11分别给出了NPN型GTR的内部结构断面示意图和电气图形符号。图3-11 NPN型GTR的内部结构断面示意图和电气图形符号 (a)内部结构断面示意图 (b)电气图形 2GTR的基本特性的基本特性(1)静态特性图3-12给出了GTR在共发射极
6、接法时的典型输出特性(即集电极伏安特性),明显地分为我们所熟悉的截止区、放大区和饱和区三个区域。(2)动态特性图3-13给出了GTR开通和关断过程中基极电流和集电极电流波形的关系。图3-12 共发射极接法时GTR的输出特性图3-13 GTR的开通和关断过程电流波形3GTR的基本参数的基本参数(1)最高工作电压(2)集电极最大允许电流ICM(3)集电极最大耗散功率PCM 4GTR的二次击穿和安全工作区的二次击穿和安全工作区(1)二次击穿现象(2)安全工作区正向偏置安全工作区如图3-14(a)所示。反向偏置安全工作区如图3-14(b)所示。图3-14 GTR安全工作区(a)正向偏置安全工作区 (b
7、)反向偏置安全工作区3.1.3功率场效应晶体管1功率功率MOSFET的结构与工作原理的结构与工作原理图3-15 功率MOSFET的符号(a)N沟道 (b)P沟道2功率功率MOSFET的主要特性的主要特性(1)输出特性输出特性也称漏极伏安特性,它是以栅源电压UGS为参变量,反映漏极电流ID与漏源极电压UDS间关系的曲线族,如图3-16所示。(2)转移特性转移特性是在一定的漏极与源极电压UDS下,功率MOSFET的漏极电流ID和栅极电压UGS的关系曲线。如图3-17(a)所示。图3-17(b)所示为壳温TC对转移特性的影响。(3)开关特性功率MOSFET的开关波形如图3-18所示。图3-17 功率
8、MOSFET的转移特性图3-16 功率MOSFET的输出特性图3-18 功率MOSFET开关过程的电压波形3功率功率MOSFET 的主要参数的主要参数(1)通态电阻Ron(2)开启电压UGS(th)(3)跨导gm(4)漏源击穿电压BUDS(5)栅源击穿电压BUGS4功率功率MOSFET的安全工作区的安全工作区(1)正向偏置安全工作区正向偏置安全工作区如图3-19所示。(2)开关安全工作区开关安全工作区SSOA表示功率MOSFET在关断过程中的参数极限范围,见图3-20。图3-19 正偏安全工作区(FBSOA)的开关安全工作区图3-20 开关安全工作区(SSOA)5功率功率MOSFET栅极驱动的
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