PECVD工作工艺原理.ppt
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1、PECVD的原理的原理目录目录目录目录PECVD的作用的作用PECVD工艺参数的调整工艺参数的调整安全安全PECVD:Microwave Remote Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition微波间接等离子增强化学气相沉积微波间接等离子增强化学气相沉积定义定义定义定义等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。和中性粒子组成的混合物。P
2、ECVD的作用的作用在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能,同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力;它的化学稳定性也很好,除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外,其它酸与它基本不起作用。除SiN膜外,TiO2,SiO2也可作为减反膜PECVD的作用的作用氮化硅颜色与厚度的对照表颜色颜色厚度(厚度(nm)颜色颜色厚度厚度(nm)颜色颜色厚度(厚度(nm)硅本色硅本色0-20很淡蓝色很淡蓝色100-110蓝蓝 色色210-230褐褐 色色20-40硅硅 本本 色色110-120蓝绿色蓝绿色230-250黄褐色黄褐色40-50淡淡 黄黄 色色120-130浅绿色
3、浅绿色250-280红红 色色55-73黄黄 色色130-150橙黄色橙黄色280-300深蓝色深蓝色73-77橙橙 黄黄 色色150-180红红 色色300-330蓝蓝 色色77-93红红 色色180-190淡蓝色淡蓝色93-100深深 红红 色色190-210PECVD的作用的作用空气或玻璃 n0=1 or 1.5SiN减反膜的最佳折射率n1为 1.9或2.3硅 n2=3.87 在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度,所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=/4PECVD的作用的作用PECVD的作用的作用PE
4、CVD的作用的作用PECVD的作用的作用钝化太阳电池的受光面 钝化膜(介质)的主要作用是保护半导体器件表面不受污染物质的影响,半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。PECVD的作用的作用钝化太阳电池的体内在SiN减反射膜中存在大量的H,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。PECVD的原理的原理PECVD的原理的原理PECVD工艺参数的调整工艺参数的调整在每一个过程中左右使用略微不同的脉冲周期(相差1-2ms)调整P-peak可改变等离子源的扩散长度,沉积率随着P-mean轻微增加(通过Ton,Toff控制),如果不均匀通过左/右微波功率调节左/右沉积率。P-peak=250032003600WT
5、on=3812msToff=121825msMean power=75010001500W微波功率(对一个微波源)随着温度增加轻微减少沉积率250325400反应温度最佳值为80cm/min速度的调整用作对膜厚的最终调整152030cm/min/PS承载框传输速度高的硅含量(低于1.2)开始在SiN膜中产生光吸收较多的SiH4会导致较多的Si含量、更高的折射率1.52.04工作气体比(QNH3/QSiH4)沉积率随着总气体流量增加(在1000sccm/PS时饱和),但在高流量时等离子体分裂态少150300500 sccm/PS总气体流量超过0.25mbar降低沉积率;低压增加H钝化效果0.05
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