ISFET生物传感器的研究与应用.ppt
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1、基于基于CMOSCMOS的的ISFETISFET生物传感器生物传感器的研究与应用的研究与应用报告结构安排报告结构安排ISFET电化学特性及工艺ISFET信号处理电路ISFET生物传感器应用选题背景结构特点结构特点敏感机制敏感机制电学特性电学特性与与CMOS兼容性兼容性电路设计依据电路设计依据差分对管模式电路差分对管模式电路差分电流模式电路差分电流模式电路生物医学应用生物医学应用无线电子胶囊无线电子胶囊研究意义ISFET电化学特性及工艺ISFET信号处理电路ISFET生物传感器应用选题背景生物传感器技术是生物医学电子学的一项重要的研究内容 CMOS是集成电路的主流工艺,应用其制造ISFET器件有
2、助于实现ISFET生物传感器的集成化 COMS工艺兼容性生物传感器研究一种基于研究一种基于CMOS工艺的工艺的ISFET生物传生物传感器具有重要感器具有重要研究价值研究价值对H敏感的氢离子敏场效应管(pH-ISFET)传感器是生物传感器中一种重要和基础的传感器 ISFET传感器 ISFET结构图敏感膜与溶液反应产生界面势(b)ISFET器件结构原理图(a)MOSFET器件结构原理图 ISFET电化学特性及工艺ISFET信号处理电路ISFET生物传感器应用选题背景目前应用广泛的是具有良好的选择性和抗渗透性,制备工艺集成工艺厂商较为熟悉 ISFET敏感机制界面表面基净电荷面密度固液表面形成扩散双电
3、层相当于扩散双层电容 波尔兹曼分布 根据pH值定义引入 则界面势与溶液的pH值呈线性变化关系Si3N4绝缘体表面存在两种表面基团,硅醇基(AH2=SiOH)和胺基(BH=SiNH)ISFET电化学特性及工艺ISFET信号处理电路ISFET生物传感器应用选题背景n沟增强MOSFET的输出特性 当 时,MOSFET工作在三极管区 当 时,MOSFET工作在饱和区 当栅源之间加正向偏压 ,且有 ,MOSFET开启MOSFET电学特性ISFET电化学特性及工艺ISFET信号处理电路ISFET生物传感器应用选题背景当 时,MOSFET工作在饱和区 当 时,MOSFET工作在三极管区 ISFET电学特性当
4、栅源之间加正向偏压 ,且有 ,MOSFET开启ISFET电化学特性及工艺ISFET信号处理电路ISFET生物传感器应用选题背景多晶硅多晶硅“自对准自对准”特性特性栅极只存在与溶液直接接触的敏感膜栅极只存在与溶液直接接触的敏感膜“栅腐蚀栅腐蚀”方法,腐蚀多晶硅时易破方法,腐蚀多晶硅时易破坏场氧层,导致器件性能的变坏坏场氧层,导致器件性能的变坏ISFET电化学特性及工艺ISFET信号处理电路ISFET生物传感器应用选题背景与CMOS兼容的ISFET工艺源极栅极多晶硅氧化层漏极源极栅极漏极氧化层敏感膜形成具有良好稳定性的参考电极保留多晶硅“自对准”效应定义源、漏区氢离子敏感膜刻蚀缓冲层和形成参比电极
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