(精品)武汉理工大学材料科学基础 第二章 部分习题.ppt
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1、第第二二章晶体结构与晶体中的缺陷章晶体结构与晶体中的缺陷习题课习题课2、书写缺陷反应式应遵循的原则、书写缺陷反应式应遵循的原则3、缺陷浓度计算、缺陷浓度计算4、固溶体的分类及形成条件、固溶体的分类及形成条件5、研究固溶体的方法、研究固溶体的方法第一章第一章习题课习题课1、缺陷的分类、缺陷的分类6、非化学计量化合物、非化学计量化合物点缺陷点缺陷热热缺缺陷陷杂杂质质缺缺陷陷非化学计量结构缺陷(电荷缺陷)非化学计量结构缺陷(电荷缺陷)FrankelFrankel缺陷缺陷缺陷缺陷SchttyqSchttyq缺陷缺陷缺陷缺陷非化学计量化合物非化学计量化合物类型类型:阳离子填隙型阳离子填隙型阴离子间隙型阴
2、离子间隙型阳离子空位型阳离子空位型阴离子缺位型阴离子缺位型2-1名词解释:名词解释:类质同晶:类质同晶:化学组成相似或相近的物质,在相同的热力学条件下,形化学组成相似或相近的物质,在相同的热力学条件下,形成的晶体具有相同的结构,这种现象称为成的晶体具有相同的结构,这种现象称为类质同晶类质同晶现象。现象。同质多晶:同质多晶:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下,结晶成结化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下,结晶成结构不同的晶体的现象。构不同的晶体的现象。正型尖晶石:正型尖晶石:MgAlMgAl2 2OO4 4(尖晶石)型结构(尖晶石)型结构(尖晶石)型结构(尖晶石)型结构O2-按立方紧密
3、堆积排列,按立方紧密堆积排列,二价离子二价离子A充填充填1/8四面体空隙,三价离子四面体空隙,三价离子B充填充填1/2八面体空隙八面体空隙正正型尖晶石结构型尖晶石结构反型尖晶石结构:反型尖晶石结构:二价阳离子充填八面体空隙,三价阳离子一半充填二价阳离子充填八面体空隙,三价阳离子一半充填四面体空隙,另一半充填八面体空隙中。四面体空隙,另一半充填八面体空隙中。弗仑克尔弗仑克尔Frankel缺陷缺陷:正常结点上的原子(离子)跳入正常结点上的原子(离子)跳入间隙间隙,形成间,形成间隙原子。隙原子。肖特基肖特基Schttky缺陷:缺陷:正常结点上的原子离开平衡位置迁移到晶体正常结点上的原子离开平衡位置迁
4、移到晶体表面,在原来位置形成空位。表面,在原来位置形成空位。刃位错刃位错:位错线与滑移矢量垂直的位错。:位错线与滑移矢量垂直的位错。螺旋位错:螺旋位错:位错线与滑移方向相互平行,位错线周围的一组原子面形位错线与滑移方向相互平行,位错线周围的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面,故称为螺位错。成了一个连续的螺旋形坡面,故称为螺位错。2-2ThO2具有萤石结构:Th4+离子半径为0.100nm,O2-离子半径为0.140nm,试问a)实际结构中的Th4+正离子配位数与预计配位数是否一致?b)结构是否满足鲍林规则。b)不满足多面体规则,可满足电价规则。(1)第一规则(多面体规则):第一规则(多面体规
5、则):围绕每一阳离子,形成一个阴离子配位多面体,围绕每一阳离子,形成一个阴离子配位多面体,阴、阳离子的间距决定于它们的半径之和,阳离子的配位数则取决于它们的半径阴、阳离子的间距决定于它们的半径之和,阳离子的配位数则取决于它们的半径之比。之比。(2)第二规则(静电价规则):第二规则(静电价规则):在一个稳定的晶体结构中,从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的静电键的总强在一个稳定的晶体结构中,从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的静电键的总强度,等于阴离子的电荷数。度,等于阴离子的电荷数。由萤石型结构知:Th4+离子的离子的CN=8,O2-离子的离子的CN=4S=Z+/n=4/8=1/2Z-=Si=1/
6、24=2即等于即等于O2-离子的电价离子的电价Z-=2答:a)预计计算值:因为r+/r-=0.100/0.140=0.7140.4140.7140.732,当配位数为8时不稳定,预计配位数为7或6。实际值:由于ThO2具有萤石结构,实际Th4+正离子配位数为八配位。所以实际与预计不一致。MgOMgO具有具有NaClNaCl结构,根据结构,根据O O2-2-半径半径0.140nm0.140nm和和MgMg2+2+半径为半径为0.072nm0.072nm,计算,计算球状离子所占据的空间分数(堆积系数);球状离子所占据的空间分数(堆积系数);MgOMgO的密度。的密度。解:解:MgOMgO属于属于N
7、aClNaCl型结构,即面心立方结构,每个晶胞中型结构,即面心立方结构,每个晶胞中含有含有4 4个个MgMg2+2+和和4 4个个O O2-2-,故,故MgOMgO所占体积为所占体积为V VMgOMgO=4=44/34/3(R(RMg2+Mg2+3 3+R+RO2-O2-3 3)=16/3=16/3(0.0723+0.1403)=0.0522(nm3)MgMg2+2+和和O O2-2-在面心立方的棱边上接触在面心立方的棱边上接触a=2(R RMg2+Mg2+R+RO2-O2-)=2=2(0.072+0.140)=0.424nm堆积系数堆积系数=V VMgOMgO/V/V晶胞晶胞=0.0522/
8、(0.424)=0.0522/(0.424)3 3=68.5%=68.5%DMgOMgO=m mMgOMgO/V/V晶胞晶胞=n.(M/N=n.(M/N0 0)/a)/a3 3=4=4(24.3+16.0)/(0.42410-7)36.021023=3.51g/cm32-3在萤石晶体结构中,在萤石晶体结构中,Ca2+半径半径0.112nm,F-半径半径0.131nm,萤石,萤石晶胞棱长为晶胞棱长为0.547nm,求:,求:萤石晶体中离子堆积系数萤石晶体中离子堆积系数(球状离子所占据的空间分数球状离子所占据的空间分数)萤石的密度萤石的密度解:解:萤石属于立方面心结构,每个晶胞中含有萤石属于立方面
9、心结构,每个晶胞中含有4个个Ca2+和和8个个F-,故故CaF2所占体积为所占体积为VCaF2=44/3(RCa2+3)+84/3(RF-3)=16/30.1123+32/30.1313=0.0988(nm3)a=0.547nmV晶胞晶胞=0.5473=0.1637nm3堆积系数堆积系数=VCaF2/V晶胞晶胞=0.0988/0.1637=60.4%DCaF2=mCaF2/V晶胞晶胞=n.(M/N0)/a3(阿伏加德罗常数N0=6.021023mol-1)=4(40+219)/(0.163710-21)6.021023=3.17g/cm32-4硅酸盐晶体结构分类原则:根据结构中硅氧四面体的连接
10、方式分硅酸盐晶体结构分类原则:根据结构中硅氧四面体的连接方式分成五种成五种硅酸盐晶体结构类型与硅酸盐晶体结构类型与Si/O比的关系比的关系2-5()O2-作立方面心堆积时作立方面心堆积时,画出适合阳离子位置的间隙类型及位置,画出适合阳离子位置的间隙类型及位置,(以一个晶胞为结构基元表示出来以一个晶胞为结构基元表示出来);(2)计算八而体空隙数与计算八而体空隙数与O2-数之比数之比,四面体空隙数与四面体空隙数与O2-数之比数之比;(3)用键强度及鲍林规则解释(电价规则)用键强度及鲍林规则解释(电价规则),对于获得稳定结构各需何种对于获得稳定结构各需何种价离子(空隙内各需填入何种价数的阳离子,举出
11、价离子(空隙内各需填入何种价数的阳离子,举出个例子)个例子)I.所有八而体空隙位置均填满所有八而体空隙位置均填满;II.所有四面体空隙位置均填满所有四面体空隙位置均填满;III.填满填满半八面休空隙位置半八面休空隙位置.IV.填满填满半四面体空隙位置半四面体空隙位置;解:解:(1)略(第一章中等大球体立方米堆)略(第一章中等大球体立方米堆);第一章第一章PPT113-119(2)八面体空隙数八面体空隙数/O2-数数=1:1,四面体空隙数四面体空隙数/O2-数数=2:1;(3)(静电价规则):(静电价规则):在一个稳定的晶体结构中,从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的在一个稳定的晶体结构中,从所有
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