《反常霍尔效应》PPT课件.ppt

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1、 反常霍尔效应 Anomalous Hall effect 一、反常霍反常霍尔效效应（AHEAHE）1.1常规霍尔效应 1.2反常霍尔效应(AHE)1.3AHE的特征 1.4 AHE的应用二、反常霍反常霍尔效效应的理的理论研究研究 2.1 Karplus和Luttinger本征机制 2.2 Smit的skew scattering理论 2.3Berger的side jump机制 2.4贝里相位在AHE中的体现三、三、AHEAHE实验的研究和的研究和进展展 3.1pxyp xx2 3.2pxyp xx 3.3一次方项和二次方项的混合 3.4指数在变化四、近期在四、近期在-Fe3N纳米晶体薄膜中发

2、现较强的常规霍尔效应（2009年物理评论的一篇文章）1.1常规霍尔效应(ordinary Hall effect)1879年，Edwin Hall本人发现了霍尔效应，即处在磁场 中的非磁性非磁性金属或半导体薄片中的载流子受到洛伦兹力的 影响偏向一边，导致一个可测量的霍尔电压。横向霍尔电阻率xyxy（依赖于外加磁场的大小）：xyxy=R0 0B（R0 0称为常规霍尔系数）(1)*这一一领域的域的发展和研究相展和研究相对完善，我完善，我们重点关注反常霍重点关注反常霍尔效效应1.2反常霍尔效应 在铁磁性磁性(FM)的金属材料样品里,横向电阻率xy的大小除了包括(1)式中的常规项外,还另外增加了与样品

3、的磁化强度M大小有关的反常项,当样品达到饱和磁化强度Ms时,它就变成了常数.根据经验,xy=R0B+4RsM,(2)其中Rs称为反常霍尔系数。图1 霍尔电阻率xy与磁场大小的关系曲线示意图 图1给出了横向霍尔电阻率xy与磁场大小B的关系曲线。xy先随B迅速线性增加,经过一个拐点后线性缓慢增加,直至饱和.显然,这不能简单用磁场的洛伦兹力来解释.因而,通常人们称这种现象为反常霍尔效应(anomalous Hall effect).正常霍尔效应正常霍尔效应xy=R0B1.3反常霍尔效应的特征（1）通常Rs大于R0至少一个量级以上（2）强烈地依赖于温度（3）在铁磁性金属中,即使没有外加磁场B,仅有x方

4、向的电场E时,也会出现横向霍尔电压VH 现在看来，AHE是一种对称破缺的现象，这一点上铁磁材料和非磁材料有很大区别:铁磁材料在没有外加磁场时就有自发时间反演不对称。所以其机理上不一样是正常的，完全一样倒是有些奇怪。1.4反常霍尔效应的应用 常规霍尔效应有着广泛的应用,如确定半导体的导电类型,测定载流子浓度和迁移率,以及制造霍尔传感器等等。而反常霍尔效应则是探究和表征探究和表征铁磁材料中巡游磁材料中巡游电子子输运运特性特性的重要手段和工具之一.它的测量技术被广泛应用于许多领域,最重要的应用是在新兴的自旋电子学方面.例如,在III-V族半导体中掺入磁性锰原子,从而实现材料铁磁性与半导体性的人工联姻

5、,促进了稀磁半导体(DMS)材料的诞生。二、反常霍反常霍尔效效应的理的理论研究研究2.1 Karplus和Luttinger本征机制 1954年,Karplus和Luttinger从理论上详细研究了自旋-轨道耦合作用对自旋极化巡游电子的输运影响,第一次提出了反常霍尔效应的内禀机制内禀机制.他们完全忽略杂质、声子等散射,把外加电场作为微扰动展开,推导出在包含自旋-轨道耦合相互作用的理想晶体能带中运动的载流子,存在一个正比于贝里曲率的反常速度.正是由于这个反常速度的存在,在外加电场下,同时考虑到上自旋与下自旋的电子占据数不相等,导致电子将会有个净的横向电流,产生反常霍尔效应。2.2 Smit的sk

6、ew scattering理论 Smit批驳了Karplus和Luttinger的观点,认为在真实的材料中总是存在缺陷或者杂质,提出了螺旋散射(skew scattering)机制,认为对于固定自旋方向的电子,由于自旋-轨道耦合相互作用,电子受到杂质的散射是不对称的,结果定向运动的电子偏离原来的方向,形成横向的电荷积累,它的直观物理图像如图2所示.螺旋散射主要由被散射的载流子偏离原来路径方向的角度H(也称为自发霍尔角)来表征:H=xy/.图2 根据螺旋散射可以得到霍尔电阻率xy与成正比,即xy,而且霍尔电阻率xy还依赖于散射势的类型和作用距离.2.3 Berger的side jump机制 19

7、72年，Berger提出了另一个非本征的机制，同样是由于散射中自旋轨道耦合的影响，特定自旋的载流子在经历与杂质散射后其质心位置向某个特定的方向偏移了一点(side jump)。其示意图如下:后来，人们认为Side jump机制可以被间接的看做KLanomalous velocity的特殊表现，其中的外加电场换成了杂质势引起的电场。根据边跳机制可以得到霍尔电阻率xy与成二次方关系,即 xy2 这似乎可以成功地解释在铁、镍和铁镍合金中实验观察到的xy与总电阻平方2成线性关系的现象.边跳机制模型与具体散射势的形式无关2.4贝里相位在AHE中的体现 2004年，Yugui yao（中国科学院物理研究所

8、/北京凝聚态物理国家实验室）等人将 Berry Phase的AHE理论跟第一性原理结合起来，对布里渊区里的 Berry curvature积分，历史上首次从理论得出了本征机制本征机制造成的AHE的大小，对Fe和Co，这一数值都与室温下的实验值相差不多，对Ni的偏差稍大。2006年，shigeki Onoda等人从Berry phase出发同时考虑本征机制本征机制和 skew scattering，得出了大范围内，随电导率变化反常霍尔电导率的变化趋势。后经实验观察大量材料中的AHE符合这一趋势。2008年N.A.sinitsyn18从考虑 Berry phase的波包动力学出发，把得到的新现象跟

9、半经典理论结合起来，同时得到了来自本征本征和非本征机制的微观表达式。反常霍尔效应机制的研究还有待于取得进一步突破,完善的理论(特别是结合第一性原理计算的理论)的建立在目前还是一个具有挑战性的任务.三、三、AHEAHE实验的研究和的研究和进展展 AHE实验的研究者主要关注与pxy和pxx之间的函数关系。但是不同元素的结论并不一致。人们讨论实验数据的思路大体上可以分为四类:(1)pxyp xx2(2)pxyp xx(3)一次方项和二次方项的混合(4)指数在变化3.1 pxyp xx2(1)pxyp xx2，以Fe为代表。右图铁的实验结果不论是变温还是变化掺杂Fe的pxy和p xx之间基本是一个二次

10、幂函数的关系。3.2 pxyp xx（skew scattering的表现）1972年，A.Fert在超纯的Ni中掺入百万分之几浓度的其他杂质才观察到了一次方关系21。如下图:3.3 一次方项和二次方项的混合 如下图的两个实验中，作者认为反常霍尔电阻率须由一个二次项加上一个一次项来解释 即AH=a xx+b xx 2。作图方法是将反常霍尔电阻率pAH除以 xx作为纵坐标，xx作为横坐标，这时截距是a，斜率就是b3.4 指数在变化 pAH和pxx的关系偏离一次方和二次方的关系一般出现在温度接近居里温度时，居里温度时由于磁性消失，可以预料磁性导致的AHE也会有较大变化。这不是人们关注的重点。但是对

11、于某些材料来说，即使在合理的低温下，pAH和pxx的关系也不固定，典型的代表是Ni从低温到高温，幂指数从接近2变到1.46左右。各种材料不同行为给人们带来了很大困扰，也导致几种理论都不能被很好的肯定或者否定。文献介绍了不同颗粒尺寸和结构缺陷的-Fe3N纳米晶体薄膜样品的结构、磁学和电学特性。选择材料-Fe3N的原因：1.近年来对氮化铁材料性质的研究很丰富，但是其反常霍尔效应的研究却少之甚少。2.当颗粒大小在10-300纳米之间时，在10-300K的温度范围内,-Fe3N纳米晶体薄膜的饱和磁化强度基本保持稳定.这样由xy=R0B+4RsMs知,xys(饱和)将依赖于Rs的变化3.在不同的膜厚和温

12、度下，-Fe3N纳米晶体薄膜的电导率将有较小的变化（150-250 cm）样品制备方法：1.利用磁控溅射的方法,（99.99%）Fe靶，Ar气和N气5:1混合，玻璃做衬底。2.沉积之前，真空室内压强抽到1*10-5Pa 溅射总压强保持在1.0Pa。3.沉积过程中，基底以30 rpm速度旋转。4.两样品S1、S2的基底温度分别为300oC和25oC实验者制作了两种-Fe3N纳米晶体薄膜S1：基底温度300oC,颗粒尺寸10nmS2：基底温度25oC,颗粒尺寸6.5nm 用X射线光电子能谱仪（XPS）分析薄膜成 分；用表面分析仪测得样品薄膜厚度为200nm；用MPMS测得样品的磁学性质；用TEM（

13、电子投射显微镜）观测其微观结构 用传统的四探针法测薄膜样品的电阻，五探针法用于霍尔测量。FIG1是TEM的明视场图样和 S1、S2的衍射电子选区。图中显示了两样品的衍射环。可以看到S1、S2都是由纳米晶体颗粒组成。S1的颗粒直径为10nm，而S2颗粒直径约为6.5nm.。如（c）的箭头所示S2中有非晶形的成分存在 与标准衍射图样对比可知，两样品的主要成分都是-Fe3N。但是一些衍射光环与-Fe2O3一致。这是由于在用胶固定样品（120oC，30min）或者研磨样品时，样品被部分氧化造成的。如FIG3所示，实验测得：1.S1的饱和磁化强度为1013emu/cc（和已知Fe3N薄膜理论值一致）2.

14、但是，S2的饱和磁化强度比S1的值小很多（约为791emu/cc）3.S2(大约350Oe)的矫顽力(Hc)比S1(大约230Oe)的大 解释：由于S2中存在较多的颗粒边界和非磁性物质，颗粒边界的无序旋转对磁性有较大影响，使其饱和磁化强度较小，而矫顽力较大（Fe3O4 和NiFe2O4中也有类似规律）如FIG4所示：1.在5-300K之间，xx基本不随温度变化（有2%-5%的波动范围）2.需要注意需要注意：S1和S2随温度的变化不同。S1的xx随温度降低而降低.，在50K时达到最低（典型的金属特征）。如右上角的插图所示，低于50K时，和T成对数关系（这在NixNb1x 金属玻璃和 Mn5Si3

15、Cx 薄膜一致,来源于晶体的颗粒边界、错位、点缺陷等。）S1和S2样品的xx分别为248和419 cm 3.相反，S2的xx随温度降低而升高，这和许多非晶材料相似，（有相同颗粒尺寸和非晶形的Fe3N薄膜与其有类似的温度负系数）而非晶材料的与T之间的经验公式为：上图中系数A=0.999,B=0.013,=126.432,这与TEM的观测结果一直，由于 S2中存在大量的颗粒边界和非晶象，使得其与S1的电、磁性质大不一样。图5为S1和S2分别在5K和300K下的霍尔电导率与外磁场的关系右下角插图知Ro(S1)=5*1012cm/G Ro(S2)=1.5*1011cm/G 当外加磁场为零时，由 xy=4RsM得到Rs的图像。在300K是时，S1和S2的Rs值分别为1.2和2.4*109 cm/G，这比块状铁（7.2*1012cm/G）的值大167和333倍。进一步研究其电导率之间的关系FIG6中(a)显示n=1.59，系数为0.99256，和非本征机制的理论值相符。而S2的关系图则如(b)所示，值关系如(c),理论计算为，但实际由(C)知，n=17.6!,Fe/Cr多层颗粒薄膜也表现这种性质结论：作者在-Fe3N纳米晶体薄膜中发现了显著的反常霍尔效应，并且其对温度的依赖相对很小，这使得-Fe3N纳米晶体薄膜在霍尔器件应用等方面可能发挥优势！