chp4存储器-2.ppt
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1、3.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器一、一、只读存储器只读存储器 ROM叫做只读存储器叫做只读存储器。它工作时。它工作时只能读出只能读出,不不能写入能写入。然而其中存储的原始数据,必须在它工作以。然而其中存储的原始数据,必须在它工作以前写入。只读存储器由于工作可靠,保密性强,在计前写入。只读存储器由于工作可靠,保密性强,在计算机系统中得到广泛的应用。主要有两类:算机系统中得到广泛的应用。主要有两类:掩模掩模ROM:掩模:掩模ROM实际上是一个存储内容固定的实际上是一个存储内容固定的ROM,由,由生产厂家提供产品。生产厂家提供产品。可编程可编程ROM:用户后写入内容,有些可以多次
2、写入。:用户后写入内容,有些可以多次写入。一次性编程的一次性编程的PROM多次编程的多次编程的EPROM和和EEPROM。第三章第三章 内部存储器内部存储器13.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器1、掩模、掩模ROM的阵列结构和存储元的阵列结构和存储元 23.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器2、掩模、掩模ROM的逻辑符号和内部逻辑框图的逻辑符号和内部逻辑框图 33.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器3、可编程、可编程ROM EPROM叫做光擦除可编程可读存储器叫做光擦除可编程可读存储器。它的。它的存储内容可以根据需要写入,当需要更新时存储内容可以根据
3、需要写入,当需要更新时将原存储内容抹去,再写入新的内容。将原存储内容抹去,再写入新的内容。43.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器这种这种EPROM出厂时为全出厂时为全“1”状态,使用状态,使用者可根据需要写者可根据需要写“0”。EPROM允许多允许多次重写次重写。抹去时抹去时,用用40W紫外灯紫外灯,相距,相距2cm,照射几分钟即可。,照射几分钟即可。53.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器EEPROM存储元存储元 EEPROM,叫做电擦除可编程只读存储器,叫做电擦除可编程只读存储器。这。这种存储器在出厂时,存储内容为全种存储器在出厂时,存储内容为全“1”状态。状
4、态。使用时,可根据要求把某些存储元写使用时,可根据要求把某些存储元写“0”。EEPROM允许改写上千次,改写(先抹后写)允许改写上千次,改写(先抹后写)大约需大约需20ms,数据可存储,数据可存储20年以上。年以上。63.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器4、闪速存储器、闪速存储器FLASH存储器也翻译成闪速存储器存储器也翻译成闪速存储器,它是高密度,它是高密度非失易性的读非失易性的读/写存储器。高密度意味着它具有巨大写存储器。高密度意味着它具有巨大比特数目的存储容量。非易失性意味着存放的数据在比特数目的存储容量。非易失性意味着存放的数据在没有电源的情况下可以长期保存。没有电源的
5、情况下可以长期保存。FLASH存储元在存储元在EPROM存储元基础上发展起来的。它由单个存储元基础上发展起来的。它由单个MOS晶晶体管组成,除漏极体管组成,除漏极D和源极和源极S外,还有一个控制栅和外,还有一个控制栅和浮空栅。浮空栅。73.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器编程操作:编程操作:实际上是实际上是写操作写操作。所有存储元的原始状态均处。所有存储元的原始状态均处“1”状态,这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的状态,这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子,从而使存储元改写成目的是为存储元的浮空栅补充电子,从而使存储元改写成“
6、0”状态。如果某存储元仍保持状态。如果某存储元仍保持“1”状态,则控制栅就不状态,则控制栅就不加正电压。加正电压。读取操作:读取操作:控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是否可以开启否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存晶体管。如果存储元原存1,可认为浮空栅,可认为浮空栅不带负电,控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元不带负电,控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原存原存0,可认为浮空栅带负电,控制栅上的正电压不足以克,可认为浮空栅带负电,控制栅上的正电压不足以克服浮动栅上的负电量,晶体管不能开启导通。服浮动栅上的负电量,晶体管不能开
7、启导通。擦除操作:擦除操作:所有的存储元中浮空栅上的负电荷要全部洩放所有的存储元中浮空栅上的负电荷要全部洩放出去。为此晶体管源极出去。为此晶体管源极S加上正电压,这与编程操作正加上正电压,这与编程操作正好相反。好相反。83.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器FLASH存储器的阵列结构存储器的阵列结构在某一时间只有一条行选择线被激活。在某一时间只有一条行选择线被激活。读操作读操作时,假定某个存储元原存时,假定某个存储元原存1,那么晶体管导通,与它所在位线,那么晶体管导通,与它所在位线接通,有电流通过位线,所经过的接通,有电流通过位线,所经过的负载上产生一个电压降。这个电压负载上产生
8、一个电压降。这个电压降送到比较器的一个输入端,与另降送到比较器的一个输入端,与另一端输入的参照电压做比较,比较一端输入的参照电压做比较,比较器输出一个标志为逻辑器输出一个标志为逻辑1的电平。如的电平。如果某个存储元原先存果某个存储元原先存0,那么晶体管,那么晶体管不导通,位线上没有电流,比较器不导通,位线上没有电流,比较器输出端则产生一个标志为逻辑输出端则产生一个标志为逻辑0的电的电平。平。93.5 并行存储器并行存储器由于由于CPU和主存储器之间在速度上是不匹配的,和主存储器之间在速度上是不匹配的,这种情况便成为限制高速计算机设计的主要问这种情况便成为限制高速计算机设计的主要问题。为了提高题
9、。为了提高CPU和主存之间的数据传输率,和主存之间的数据传输率,除了主存采用更高速的技术来缩短读出时间外,除了主存采用更高速的技术来缩短读出时间外,还可以采用并行技术的存储器。还可以采用并行技术的存储器。解决途径解决途径多个存储器并行工作多个存储器并行工作并行访问和交叉访问并行访问和交叉访问设置各种缓冲器设置各种缓冲器通用寄存器通用寄存器采用分层的存储系统采用分层的存储系统Cache(第(第6节)节)103.5 并行存储器并行存储器一、双端口存储器一、双端口存储器 1、双端口存储器的逻辑结构、双端口存储器的逻辑结构 双端口存储器:双端口存储器:同一个存储器具有两组相互独同一个存储器具有两组相互
10、独立的读写控制电路立的读写控制电路。由于进行。由于进行并行的独立操作并行的独立操作,因,因而是一种高速工作的存储器,在科研和工程中非常而是一种高速工作的存储器,在科研和工程中非常有用。有用。112、无冲突读写控制、无冲突读写控制 当两个端口的地址不相同时,在两个端口上进行读写操当两个端口的地址不相同时,在两个端口上进行读写操作,一定不会发生冲突。作,一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时,就可对当任一端口被选中驱动时,就可对整个存储器进行存取,每一个端口都有自己的片选控制整个存储器进行存取,每一个端口都有自己的片选控制(CE)和输出驱动控制和输出驱动控制(OE)。读操作时,端口的。读操作时,
11、端口的OE(低电平有效低电平有效)打打开输出驱动器,由存储矩阵读出的数据就出现在开输出驱动器,由存储矩阵读出的数据就出现在I/O线上。线上。3、有冲突读写控制、有冲突读写控制 当两个端口同时存取存储器同一存储单元时,便发生读当两个端口同时存取存储器同一存储单元时,便发生读写冲突。写冲突。为解决此问题,特设置了为解决此问题,特设置了BUSY标志。在这种情况标志。在这种情况下,片上的判断逻辑可以决定对哪个端口优先进行读写操作,下,片上的判断逻辑可以决定对哪个端口优先进行读写操作,而对另一个被延迟的端口置而对另一个被延迟的端口置BUSY标志标志(BUSY变为低电平变为低电平),即暂时关闭此端口。即暂
12、时关闭此端口。123.5 并行存储器并行存储器4、有冲突读写控制判断方法、有冲突读写控制判断方法(1)如果地址匹配且在如果地址匹配且在CE之前有效,片上的控制逻辑之前有效,片上的控制逻辑在在CEL和和CER之间进行判断来选择端口之间进行判断来选择端口(CE判断判断)。(2)如果如果CE在地址匹配之前变低,片上的控制逻辑在在地址匹配之前变低,片上的控制逻辑在左、右地址间进行判断来选择端口左、右地址间进行判断来选择端口(地址有效判断地址有效判断)。无论采用哪种判断方式,延迟端口的无论采用哪种判断方式,延迟端口的BUSY标标志都将置位而关闭此端口,而当允许存取的端口完志都将置位而关闭此端口,而当允许
13、存取的端口完成操作时,延迟端口成操作时,延迟端口BUSY标志才进行复位而打开标志才进行复位而打开此端口。此端口。133.5 并行存储器并行存储器二、多模块交叉存储器:二、多模块交叉存储器:一个由若干个模块组成的主一个由若干个模块组成的主存储器是线性编址的。这些地址在各模块中有两种安排方式:存储器是线性编址的。这些地址在各模块中有两种安排方式:一种是顺序方式,一种是交叉方式一种是顺序方式,一种是交叉方式 143.5 并行存储器并行存储器假设有假设有n个存储体,每个存储体的容量为个存储体,每个存储体的容量为m个存储单元个存储单元顺序方式:顺序方式:每个存储体内的地址片选,存储体选择153.5 并行
14、存储器并行存储器1 1、顺序方式、顺序方式 例例 M0M0M3M3共四个模块,则每个模块共四个模块,则每个模块8 8个字个字顺序方式:顺序方式:M0M0:0707 M1M1:8 81515 M2M2:16162323 M3M3:242431315 5位地址组织如下:位地址组织如下:X X X X XX X X X X高位选模块,低位选块内地址高位选模块,低位选块内地址特特点点:某某个个模模块块进进行行存存取取时时,其其他他模模块块不不工工作作,优优点点是是某某一一模模块块出出现现故故障障时时,其其他他模模块块可可以以照照常常工工作作,通通过过增增添添模模块块来来扩扩充充存存储储器器容容量量比比
15、较较方方便便。缺缺点点是是各各模模块块串串行行工工作,存储器的带宽受到了限制。作,存储器的带宽受到了限制。163.5 并行存储器并行存储器2、交叉方式、交叉方式(可以实现多模块流水式并行存取)(可以实现多模块流水式并行存取)每个存储体内的地址片选,存储体选择173.5 并行存储器并行存储器 例例 M0M0M3M3共四个模块,则每个模块共四个模块,则每个模块8 8个字个字交叉方式:交叉方式:M0M0:0 0,4,.4,.除除以以4 4余余数为数为0 0 M1M1:1 1,5,.5,.除除以以4 4余余数为数为1 1 M2M2:2 2,6,.6,.除除以以4 4余余数为数为2 2 M3M3:3 3
16、,7,.7,.除除以以4 4余余数为数为3 35 5位地址组织如下:位地址组织如下:X X X X XX X X X X高位选块内地址,低位选模块高位选块内地址,低位选模块特特点点:连连续续地地址址分分布布在在相相邻邻的的不不同同模模块块内内,同同一一个个模模块块内内的的地地址址都都是是不不连连续续的的。优优点点是是对对连连续续字字的的成成块块传传送送可可实实现现多多模模块块流流水水式式并并行行存存取取,大大大大提提高高存存储储器器的的带带宽。使用场合为成批数据读取。宽。使用场合为成批数据读取。183.5 并行存储器并行存储器3、多模块交叉存储器的基本结构多模块交叉存储器的基本结构 右右图图为
17、为四四模模块块交交叉叉存存储储器器结结构构框框图图。主主存存被被分分成成4个个相相互互独独立立、容容量量相相同同的的模模块块M0,M1,M2,M3,每每个个模模块块都都有有自自己己的的读读写写控控制制电电路路、地地址址寄寄存存器器和和数数据据寄寄存存器器,各各自自以以等等同同的的方方式式与与CPU传传送送信信息息。在在理理想想情情况况下下,如如果果程程序序段段或或数数据据块块都都是是连连续续地地在在主主存存中中存存取取,那那么么将将大大大大提提高高主存的访问速度。主存的访问速度。193.5 并行存储器并行存储器通常在一个存储器周期内,通常在一个存储器周期内,n个存储体必须分时启动,个存储体必须
18、分时启动,则各个存储体的启动间隔为则各个存储体的启动间隔为 (n为交叉存为交叉存取度)取度)整个存储器的存取速度有望提高整个存储器的存取速度有望提高n倍倍20例例5 设存储器容量为设存储器容量为32字,字长字,字长64位,模块数位,模块数m=4,分别用顺序方式,分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期和交叉方式进行组织。存储周期T=200ns,数据总线宽度为,数据总线宽度为64位,总位,总线传送周期线传送周期=50ns。若连续读出。若连续读出4个字,问顺序存储器和交叉存储器的个字,问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少带宽各是多少?解:顺序存储器和交叉存储器连续读出解:顺序存储器和交叉存储器
19、连续读出m=4个字的信息个字的信息总量都是:总量都是:q=64b4=256b顺序存储器和交叉存储器连续读出顺序存储器和交叉存储器连续读出4个字所需的时间分个字所需的时间分别是:别是:t2=mT=4200ns=800ns=810-7st1=T+(m-1)=200ns+350ns=350ns=3510-7s顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是:顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是:W2=q/t2=256b(810-7)s=320Mb/sW1=q/t1=256b(3510-7)s=730Mb/s21二模块交叉存储器举例二模块交叉存储器举例223.5 并行存储器并行存储器相联存储器相联存储器原理:按内容存
20、取的存储器,可以选择记录(关键字)原理:按内容存取的存储器,可以选择记录(关键字)的一个字段作为地址的一个字段作为地址组成:见下一页图组成:见下一页图主要用途:在虚拟存储器中存放段表、页表和快表,主要用途:在虚拟存储器中存放段表、页表和快表,也可以作也可以作Cache的行地址的行地址233.5 并行存储器并行存储器243.6 Cache存储器存储器1、基本原理、基本原理(1)功能:)功能:解决解决CPU和主存之间的速度不匹配和主存之间的速度不匹配问题问题一般采用一般采用高速的高速的SRAM构成。构成。CPU和主存之间的速度差别很大采用两级或多级和主存之间的速度差别很大采用两级或多级Cache系
21、统系统早期的一级早期的一级Cache在在CPU内,二级在主板上内,二级在主板上现在的现在的CPU内带内带L1 Cahe和和L2 Cahe全由硬件调度,对用户透明全由硬件调度,对用户透明253.6 Cache存储器存储器(2)cache基本原理基本原理地址映射;地址映射;替换策略;替换策略;写一致性;写一致性;性能评价性能评价。263.6 Cache存储器存储器cache基本原理基本原理小结:小结:cache是介于是介于CPU和主存和主存M2之间的小容量存储器,但存取速度比主之间的小容量存储器,但存取速度比主存快。主存容量配置几百存快。主存容量配置几百MB的情况下,的情况下,cache的典型值是
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