半导体材料第1讲--绪论.ppt

《半导体材料第1讲--绪论.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体材料第1讲--绪论.ppt（19页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、半导体材料陈易明陈易明C什么是半导体材料什么是半导体材料?物物 质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导热性差或不好的材子体等等。我们通常把导电性和导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称 为绝为绝缘体。缘体。电阻率电阻率109cm而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。锡、铝等称为导体。电阻率电阻率10-6cm可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导可以简单的把介于导体和绝缘体之

2、间的材料称为半导体。体。10-3 109与金属和绝缘体相比，与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，半导体材料的发现是最晚的，直到直到20世纪世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可导体的存在才真正被学术界认可。半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，18331833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫

3、化银材料的加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随电阻是随着温度的上升而降低着温度的上升而降低。这是半导体现象的。这是半导体现象的首次发现。首次发现。18391839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的来人们熟知的光生伏特效应光生伏特效应，这是被发现的半导，这是被发现的半导体的第二个特征。体的第二个特征。在在18741874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，导与所加电场的方向有关，即

4、它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。18731873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的电导增加的光电导效应光电导效应，这是半导体又一个特有，这是半导体又一个特有的性质。的性质。半导体的这四个效应，虽在半导体的这四个效应，虽在18801

5、880年以前就先后年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到被发现了，但半导体这个名词大概到19111911年才被年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到四个特性一直到19471947年年1212月才由贝尔实验室完成。月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。半导体的主要特性：半导体的主要特性：电阻率：电阻率

6、：10-3 109负的电阻率温度系数，电阻是随着温度的负的电阻率温度系数，电阻是随着温度的上升而降低上升而降低通常具有很高的热电势通常具有很高的热电势整流效应整流效应光敏特性，能产生光伏效应或光电导效应光敏特性，能产生光伏效应或光电导效应霍尔效应霍尔效应半导体材料的早期应用半导体的第一个应用就是半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（即将一个金属探针接触在一块半导体就是点接触二极管（即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外

7、探测器等，半导体的四个用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。效应都用到了。从从1907年到年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。器、硒整流器和氧化亚铜整流器。1931年，兰治和伯格年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于侦探飞机和船舰。二战半导体红外探测器，在二战中用于侦探飞机和船舰。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利时盟军在半导体方面

8、的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次侦探到了德国的飞机。用红外探测器多次侦探到了德国的飞机。晶体管的发明晶体管的发明1947年晶体管的诞生引起了电子工业的革命，从此人类从使用电年晶体管的诞生引起了电子工业的革命，从此人类从使用电子管的时代进入半导体时代。子管的时代进入半导体时代。晶体管的发明实际上是在晶体管的发明实际上是在1947年的年的12月月23日的半年之前，当时贝日的半年之前，当时贝尔实验室的研究人员已经看出了晶体管的商业价值，为写专利，保密尔实验室的研究人员已经看出了晶体管的商业价值，为写专利，保密了半年，到了半年，到1947年年12月月23日，巴丁和布尔吞才正式公布了他们

9、的发明，日，巴丁和布尔吞才正式公布了他们的发明，这也成为晶体管的正式发明日。这也成为晶体管的正式发明日。他们用了一个非常简单的装置，就是在一块锗晶体上，用两个非他们用了一个非常简单的装置，就是在一块锗晶体上，用两个非常细的金属针尖扎在锗的表面，在一个针上加正电压，在另外一个探常细的金属针尖扎在锗的表面，在一个针上加正电压，在另外一个探针上加一个负电压，我们现在分别称为发射极和集电极，针上加一个负电压，我们现在分别称为发射极和集电极，N型锗就变成型锗就变成了一个基极，这样就形成了一个有放大作用的了一个基极，这样就形成了一个有放大作用的PNP晶体管。晶体管。巴丁和布尔吞当时在肖克莱领导的研究小组工

10、作，虽然肖克莱巴丁和布尔吞当时在肖克莱领导的研究小组工作，虽然肖克莱时任组长，但是在发明专利上没有他的名字，他心里很不愉快。为此，时任组长，但是在发明专利上没有他的名字，他心里很不愉快。为此，在很短的时间内，即在晶体管发明不久之后的在很短的时间内，即在晶体管发明不久之后的1948年年1月月23日，他提日，他提出了一个不是点接触而是面接触式晶体管结构。后来证明这种结构才出了一个不是点接触而是面接触式晶体管结构。后来证明这种结构才真正有价值。真正有价值。巴丁和布尔吞在保密了将近半年后才公布了他们的发明，发明巴丁和布尔吞在保密了将近半年后才公布了他们的发明，发明公布以后，当时的反应并不如期望的热烈。

11、公布以后，当时的反应并不如期望的热烈。纽约时报纽约时报将这个消将这个消息放在了第息放在了第46版收音机谈话的最后，只有短短的几句话；当时的学版收音机谈话的最后，只有短短的几句话；当时的学术杂志对此也不是非常热衷。术杂志对此也不是非常热衷。由于当时的反应并不是他们想象的那样强烈，所以在由于当时的反应并不是他们想象的那样强烈，所以在1952年的年的4月月份，为了推广他们的这个发明，又再次举办了公众听证会，就是想份，为了推广他们的这个发明，又再次举办了公众听证会，就是想把他们的研究成果公布于企业界。当时他们邀请了美国众多做真空把他们的研究成果公布于企业界。当时他们邀请了美国众多做真空管的公司，每一个

12、公司只需交纳管的公司，每一个公司只需交纳25000美元就可以参加这个听证会，美元就可以参加这个听证会，而且给予的许诺是如果将来要是采用了他的技术，听这个报告会的而且给予的许诺是如果将来要是采用了他的技术，听这个报告会的25000美美 元入场费可以从中扣除。当时大概有几十家公司参加了听元入场费可以从中扣除。当时大概有几十家公司参加了听证会，然而大多数的人都是做真空管的，他们对半导体晶体管的意证会，然而大多数的人都是做真空管的，他们对半导体晶体管的意义不以为然，不是非常感兴趣。试想如果义不以为然，不是非常感兴趣。试想如果 晶体管的发明得到了成晶体管的发明得到了成功应用，那么真空管就会慢慢的消失了。

13、所以从这个角度看，他们功应用，那么真空管就会慢慢的消失了。所以从这个角度看，他们的热情不高也是可以理解的。的热情不高也是可以理解的。但是科学界对这个发明还是给予了很高的评但是科学界对这个发明还是给予了很高的评 价，价，1956年，巴丁、年，巴丁、布尔吞和肖克莱三人被授予诺贝尔物理学奖。布尔吞和肖克莱三人被授予诺贝尔物理学奖。但今日来看，晶体管的发明不仅引起了电子工业的革命，而是但今日来看，晶体管的发明不仅引起了电子工业的革命，而是彻底的改变了我们人类的生产、生活方式。我们今天日常所用的电彻底的改变了我们人类的生产、生活方式。我们今天日常所用的电器几乎没有一样不用晶体管，如通信、电脑、电视、航天

14、、航空等器几乎没有一样不用晶体管，如通信、电脑、电视、航天、航空等等。等。硅单晶及其外延 现在电子元器件现在电子元器件90以上都是由硅材料制备的，全世以上都是由硅材料制备的，全世界与硅相关的电子工业产值接近一万亿美元。直拉法界与硅相关的电子工业产值接近一万亿美元。直拉法是目前主要用于生产硅单晶的方法。上世纪是目前主要用于生产硅单晶的方法。上世纪50到到60年年代，拉出的硅单晶直径只有两英寸，现在代，拉出的硅单晶直径只有两英寸，现在8英寸，英寸，12英寸、长达英寸、长达1米多的硅单晶都已实现了规模生产。米多的硅单晶都已实现了规模生产。18英寸，就是直径为英寸，就是直径为45厘米硅单晶业已研制成功

15、。厘米硅单晶业已研制成功。目前，单晶硅的世界年产量已超过一万吨。硅集成电目前，单晶硅的世界年产量已超过一万吨。硅集成电路主要用的是路主要用的是8英寸硅，但英寸硅，但12英寸硅的用量逐年增加，英寸硅的用量逐年增加，预计到预计到2012年年18英寸的硅可能用于集成电路制造，英寸的硅可能用于集成电路制造，27英寸的硅晶体研制也正在筹划中。英寸的硅晶体研制也正在筹划中。从集成电路的线宽来看，我国目前集成电路工艺技术从集成电路的线宽来看，我国目前集成电路工艺技术水平最高水平在水平最高水平在45nm(中芯国际中芯国际)硅的直径为什么不是按硅的直径为什么不是按8英寸、英寸、10英寸、英寸、12英寸、英寸、1

16、4英寸英寸发展，而是从发展，而是从8到到12英寸，由英寸，由12到到18英寸，英寸，18到到27英寸发英寸发展呢？硅集成电路的发展遵循展呢？硅集成电路的发展遵循摩尔定律摩尔定律，所谓，所谓摩尔摩尔定律定律就是每就是每18个月集成电路的集成度增加一倍，而它的个月集成电路的集成度增加一倍，而它的价格也要降低一半。价格也要降低一半。随着硅的直径增大，杂质氧等杂质在硅锭和硅片中的分布随着硅的直径增大，杂质氧等杂质在硅锭和硅片中的分布也变得不均匀，这将严重的影响集成电路的成品率，特别也变得不均匀，这将严重的影响集成电路的成品率，特别是高集成度电路。为避免氧的沉淀带来的问题，可是高集成度电路。为避免氧的沉

17、淀带来的问题，可 采用外采用外延的办法解决。延的办法解决。外延外延即用硅单晶片为衬底，然后在其上通过气相反应方法即用硅单晶片为衬底，然后在其上通过气相反应方法再生长一层硅，如再生长一层硅，如2个微米，个微米，1个微米，或个微米，或0.5个微米厚等。个微米厚等。这一层外延硅这一层外延硅 中的氧含量就可以控制到中的氧含量就可以控制到1016/cm3以下，器以下，器件和电路就做在外延硅上，而不是原来的硅单晶上，这样件和电路就做在外延硅上，而不是原来的硅单晶上，这样就可解决由氧导致的问题。尽管成本将有所提高，但集就可解决由氧导致的问题。尽管成本将有所提高，但集 成成电路的集成度和运算速度都得到了显著提

18、高，这是目前硅电路的集成度和运算速度都得到了显著提高，这是目前硅技术发展的一个重要方向。技术发展的一个重要方向。硅微电子技术硅微电子技术硅微电子技术是不是可以按照硅微电子技术是不是可以按照摩尔定摩尔定律律永远发展下去呢？目前硅的集成电路大永远发展下去呢？目前硅的集成电路大规模生产技术已经达到规模生产技术已经达到45纳米。根据预测，纳米。根据预测，到到2022年，硅集成电路技术的线宽可能达到年，硅集成电路技术的线宽可能达到10个纳米，这个尺度被认为是硅集成电路的个纳米，这个尺度被认为是硅集成电路的“物理极限物理极限”。就是。就是 说，尺寸再减小，就会说，尺寸再减小，就会遇到有很多难以克服的问题。

19、当然这里说的遇到有很多难以克服的问题。当然这里说的10纳米，并不是一个最终的结论。随着技术纳米，并不是一个最终的结论。随着技术的发展，特别是纳米加工技术的发展，也可的发展，特别是纳米加工技术的发展，也可能把这个能把这个“极限极限”尺寸进一步减小；但总有尺寸进一步减小；但总有一天，当代的硅微电子技术会走到尽头。一天，当代的硅微电子技术会走到尽头。随着集成电路线宽的进一步减小，硅微电子技术必然要遇到许多难以克随着集成电路线宽的进一步减小，硅微电子技术必然要遇到许多难以克服的问题服的问题比如说长度为比如说长度为 100个纳米的源和漏电极之间，掺杂原子也只有个纳米的源和漏电极之间，掺杂原子也只有100

20、个左右，个左右，如何保证这如何保证这100个原子在成千上万个器件里的分布保持一致，显然是不可能个原子在成千上万个器件里的分布保持一致，显然是不可能的，至少也是非常困的，至少也是非常困 难的。也就说杂质原子分布的涨落，将导致器件性能难的。也就说杂质原子分布的涨落，将导致器件性能不一，性质的不一致，就难保证电路的正常工作。不一，性质的不一致，就难保证电路的正常工作。又如又如MOS器件的栅极下面的绝缘层就是二氧化硅，它的厚度器件的栅极下面的绝缘层就是二氧化硅，它的厚度 随着器件尺寸随着器件尺寸的变小而变小，当沟道长度达到的变小而变小，当沟道长度达到0.1个微米时，个微米时，SiO2的厚度大概也在一个

21、纳的厚度大概也在一个纳米左右。尽管上面加的栅电压很低，如一个纳米上加米左右。尽管上面加的栅电压很低，如一个纳米上加0.5伏或者是伏或者是 一伏电压，一伏电压，但是加在其上的电场强度就要达到每厘米但是加在其上的电场强度就要达到每厘米5-10兆伏以上，超过了材料的击兆伏以上，超过了材料的击穿电压。当这个厚度非常薄的时候，即使不发生击穿，电子隧穿的几率也穿电压。当这个厚度非常薄的时候，即使不发生击穿，电子隧穿的几率也很很 高，将导致器件无法正常工作。高，将导致器件无法正常工作。随着集成电路集成度的提高，芯片的功耗也急剧增加，随着集成电路集成度的提高，芯片的功耗也急剧增加，使其难以承受；现在电脑使其难

22、以承受；现在电脑CPU的功耗已经很高，如果的功耗已经很高，如果说将来把它变成说将来把它变成“纳米结构纳米结构”，即不采用新原理，只是，即不采用新原理，只是按按摩尔定律摩尔定律走下去，进一步提高集成度，那么加在走下去，进一步提高集成度，那么加在它上面的功耗就有可能把硅熔化掉它上面的功耗就有可能把硅熔化掉。再者，就是电路器件之间的互连问题，对每一个芯片来再者，就是电路器件之间的互连问题，对每一个芯片来说，每一个平方厘米上有上千万、上亿只管子，管子与说，每一个平方厘米上有上千万、上亿只管子，管子与管子之间的联线的长度要占到器件面积的管子之间的联线的长度要占到器件面积的60 70，现在的连线就多达现在

23、的连线就多达8层到层到10多层，尽管两个管子之间的多层，尽管两个管子之间的距离可以做得很小，但是从这个管子到另外一个管子，距离可以做得很小，但是从这个管子到另外一个管子，电子走的路径不是直线，而要通过很长的连电子走的路径不是直线，而要通过很长的连 线。我们线。我们知道线宽越窄，截面越小，电阻越大，加上分布电容，知道线宽越窄，截面越小，电阻越大，加上分布电容，电子通过引线所需的时间就很长，这就使电子通过引线所需的时间就很长，这就使CPU的速度的速度变慢。另外纳米加工的制作成本也很高，由于变慢。另外纳米加工的制作成本也很高，由于 这些原这些原因，硅基微电子技术最终将没有办法满足人类对信息量因，硅基

24、微电子技术最终将没有办法满足人类对信息量不断增长的需求。不断增长的需求。GaAs和和InP单晶材料单晶材料人们要想突破上述的人们要想突破上述的“物理极限物理极限”，就要探索新原理、开，就要探索新原理、开发新技术，如量子计算、光计算机等，它们的工作原理是发新技术，如量子计算、光计算机等，它们的工作原理是与现在的完全不同，尚处于初始的探索阶段。在目与现在的完全不同，尚处于初始的探索阶段。在目 前这前这个过渡期间，人们把希望放在发展新型半导体材料和开发个过渡期间，人们把希望放在发展新型半导体材料和开发新技术上，比如说新技术上，比如说GaAs、InP和和GaN基材料体系，采用基材料体系，采用这些材料，

25、可以提高器件和电路的速度这些材料，可以提高器件和电路的速度 以及解决由于集以及解决由于集成度的提高带来的功耗增加出现的问题。成度的提高带来的功耗增加出现的问题。化合物半导体材料，以砷化镓（化合物半导体材料，以砷化镓（GaAs）为例，有以）为例，有以下几个特点，一是发光效率比较高，二是电子迁移率高，下几个特点，一是发光效率比较高，二是电子迁移率高，同时可在较高温度和在其它恶劣的环境下同时可在较高温度和在其它恶劣的环境下 工作，特别适工作，特别适合于制作超高速、超高频、低噪音的电路，它的另一个优合于制作超高速、超高频、低噪音的电路，它的另一个优势是可以实现光电集成，即把微电子和光电子结合起来，势是

26、可以实现光电集成，即把微电子和光电子结合起来，光电集成可大大的提高电路的功能和光电集成可大大的提高电路的功能和 运算的速度。运算的速度。宽带隙半导体材料宽带隙半导体材料氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可将价带电子激发到导带。器件的工作温度可 以很高，比如以很高，比如说碳化硅可以工作到说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收

27、集相关需要的温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶信息。它们还在航空、航天等恶 劣环境中有重要应用。劣环境中有重要应用。现在的问题是这种材料非常难生长，硅上长硅，砷化现在的问题是这种材料非常难生长，硅上长硅，砷化镓上长镓上长GaAs，它可以长得很好。但是这种材料大多都没，它可以长得很好。但是这种材料大多都没有块体材料，只得用其它材料做衬底去长。比如说氮化镓有块体材料，只得用其它材料做衬底去长。比如说氮化镓在蓝宝石衬底上生长，蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶在蓝宝石衬底上生长，蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶格常数相差很大，长出来的外延层的缺陷很多，这是最大格

28、常数相差很大，长出来的外延层的缺陷很多，这是最大的问题和难关。另外这种材料的的问题和难关。另外这种材料的 加工、刻蚀也都比较困难。加工、刻蚀也都比较困难。目前科学家正在着手解决这个问题。如果这个问题一旦解目前科学家正在着手解决这个问题。如果这个问题一旦解决，就可以为我们提供一个非常广阔的发现新材料的空间。决，就可以为我们提供一个非常广阔的发现新材料的空间。低维半导体材料低维半导体材料 电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上比自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个电

29、子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到方向上的运动会受到 限制，电子的能量不再是连限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动，另外两个方向上受到线方向自由运动，另外两个方向上受到 限制；量限制；量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小，电子在三个方向上都不能自子的平均自由程小，电子在三个方向上都不能自由运动，能量在三个方向上都是量子化的。由运动，能

30、量在三个方向上都是量子化的。基于基于GaAs和和InP基的超晶格、量子阱材料已经发基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟，广泛地应用于光通信、移动通讯、展得很成熟，广泛地应用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。微波通讯的领域。从整个半导体材料和信息技术发展来看，目前的信息载从整个半导体材料和信息技术发展来看，目前的信息载体主要是电子，即电子的电荷（电流）。电子还有一个体主要是电子，即电子的电荷（电流）。电子还有一个属性，电子的自旋，我们尚未用上。如果我们再把电子属性，电子的自旋，我们尚未用上。如果我们再把电子 的自旋用上，就增加了一个自由度，这也是人们目前研的自旋用上，就增加了一个自由度，这也

31、是人们目前研究的方向之一。究的方向之一。我们从电子材料硅、锗发展到光电子材料我们从电子材料硅、锗发展到光电子材料GaAs和和InP，GaN等，就是电子跟光子可以等，就是电子跟光子可以 结合一起使用的材料，结合一起使用的材料，光电子材料比电子材料的功能更强大；再下一代的材料光电子材料比电子材料的功能更强大；再下一代的材料很可能是光子材料。我们现在只用了光子的振幅，而光很可能是光子材料。我们现在只用了光子的振幅，而光的偏振和光的位相应用还未开发的偏振和光的位相应用还未开发 出来，所以这给研究出来，所以这给研究者留下了非常广阔的天地。者留下了非常广阔的天地。从材料的发展来看，从块体材料向薄层、超薄层

32、，低维从材料的发展来看，从块体材料向薄层、超薄层，低维（纳米）结构材料和功能芯片材料方向发展；功能芯片（纳米）结构材料和功能芯片材料方向发展；功能芯片可可 能是有机跟无机的结合，也可以是生命与有机和无能是有机跟无机的结合，也可以是生命与有机和无机的结合，这也为我们提供了一个非常广阔的创新的天机的结合，这也为我们提供了一个非常广阔的创新的天地地 本课主要内容一、硅、锗的物理、化学性质，及制备与化学提纯方式二、硅的物理 提纯方式区熔提纯三、晶体生长理论，砖单晶的制备四、硅锗晶体的杂质和缺陷五、硅外廷生长六、III-V族化合物半导体七、III-V族化合物半导体的外廷生长八、III-V族多元化合物半导体九、II-VI族化合物半导体十、氧化物半导体十一、其它半导体材料