模电答案.ppt

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1、电子技术电子技术 (模拟部分）模拟部分）物理与电子信息学院电工电子教研室物理与电子信息学院电工电子教研室曾祥华曾祥华习题选解习题选解电子技术（模拟部分）电子技术（模拟部分）第二章第二章习题解答习题解答2.1.1 在在室室温温（300K）情情况况下下，若若二二极极管管的的反反向向饱饱和和电电流流为为1nA，问它正向电流为问它正向电流为0.5mA时应加多大的电压。设二时应加多大的电压。设二极管的指数模型为。极管的指数模型为。解解所以所以 D D2 2导通，导通，D D1 1截止截止 2.4.5 二极管电路如图题二极管电路如图题2.4.3所示所示,试判断图中的二极管是导试判断图中的二极管是导通还是截

2、止通还是截止,并求出并求出AO两端电压两端电压VAO.。设二极管是理想的。设二极管是理想的。解：解：a 导导 通通 截截 止止 D D1 1导通，导通，D D2 2截止截止2.4.6电路如图题电路如图题2.4.6所示，设所示，设vi=6Sint，试绘出输出电压试绘出输出电压vo的的波波形形。设设D为为硅硅二二极极管管，使使用用恒恒压压降降（0.7V）模模型型和和折折线模型线模型(Vth=0.6V，rD=40)进行分析进行分析。vi0tDRvivo解解(1)恒压降模型：恒压降模型：vi=6Sint0.7VDRuiuo0vOt-6V0.7V0vOt0.86V-6Vvi 0.6v D导通导通 参考：

3、参考：p49例例2.4.2（2）折线模型：）折线模型：分析：分析：vi 0.6v D截止截止 vo=vivi0t0.6VDRvivo40图（图（2）DZ3Kvivo2.5.1 电路如图题电路如图题2.5.1所示，稳压管所示，稳压管DZ的稳定电压的稳定电压VZ=8V，限限流电阻流电阻R=3k，设，设vi=15sint V，试画出试画出Vo的波形。的波形。解：解：VZ=8V R=3K vi=15Sin(t)vi0t理想模型分析理想模型分析 vi 0时时Dz反偏反偏vi 8v截止截止vi 0时时Dz反偏反偏vi8v稳压稳压vi0时时Dz正偏导通正偏导通vo=08Vvot电子技术（模拟部分）电子技术（

4、模拟部分）第三章第三章习题解答习题解答3.5.1 对固定偏流电路，如Vcc=12V，Rb=750k，Rc=6.8 k，采用3DG6型BJT；（1）当T=25时，=60，VBE=0.7V，求Q点；（2）如随温度的变化为0.5/,而VBE随温度的 变化为-2mv/,当温度升高至75时,估算Q点的变化情况;(3)如温度维持在25不变,只是换用一个=115的管子,Q点如何变化,此时放大电路的工作状态是否正常?解解3.5.3射极偏置电路和BJT的输出特性曲线如图题3.5.3所示,已知=60。（1）分别用估算公式和图解法求Q点；（2）求输入电阻rbc；（3）用小信号模型分析法求电压增益；（4）求输出电压最

5、大不失真幅度；（5）若电路其他参数不变，如果要使VCE=4V，问上偏流电阻为多大？解：解：1)估算法求估算法求Q点点 P1483.6.2 解：解：电子技术（模拟部分）电子技术（模拟部分）第四章第四章习题解答习题解答P1904.1.3解解1 1N N沟通沟通JFETJFET2 2V VP P=-4V I=-4V IDSSDSS=3mA=3mAP1914.3.4解：解：a a：P P沟道沟道JFETJFETb b：N N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFETc c：P P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFEMOSFEd d：N N沟道增强型沟道增强型MOSFETMOSFETP1914.4.3解解电

6、子技术（模拟部分）电子技术（模拟部分）第六章第六章习题解答习题解答6.1.2 电路如图题6.1.2所示，所有BJT的均值大，VBE=0.7V，且T2、T3特性相同，电路参数如图，问：（1）T2、T3和R组成什么电路？（2）电器中T1、Re1起电平移动作用，保证vi=0时，vo=0。求 IREF、IC3 和Re的值。解：（解：（1 1）T T2 2,T,T3 3和和R R组成镜电流源组成镜电流源为为T T1 1提供稳定的偏置电流。提供稳定的偏置电流。（2 2）当）当v vi i=0=0时时 v vo o=0=06.2.2 双端输入、双端输出理想的差分式放大电路如图6.2.2所示。求解下列问题：（

7、1）若vi1=1500V,vi2=500V,求差模输入电压vid的值；（2）若AVD=100，求输出电压vod的值；（3）当输入为vid时，若从T2的C2端输出，求vc2与vid的相位关系；（4）若输出vo=1000vi1-999vi2时，求电路的AVD、AVC和KCMR的值。解解（3 3）由瞬时极性法可判断：）由瞬时极性法可判断：v vc2c2和和v vidid同相同相 6.2.3电 路 如 图 所 示，Rc1=R c2=5.6k Re1=R e2=100,BJT 的=100，VBE=0.6V,求：（1）Q点（IB1、IC1、VCE1）；（2）vi1=0.01V、vi2=-0.01V时，求输

8、出电压vo=vo1-vo2的值（3）当C1、C2间接入负载电阻RL=5.6K时，求vo的值；（4）求电路的差模输入电阻Rid、共模输入电阻Ric和Ro。解解R Rc1c1R Rc2c2R Re2e2R Re1e1r ro ov vi1i1v vi2i2+V Vcccc-V-VEEEEv vo1o1v vo2o2I I0 02 2mAmA-10V-10V+10V+10VT T1 1T T2 2R Rc1c1R Rc2c2R Re2e2R Re1e1r ro ov vi1i1v vi2i2+V Vcccc-V-VEEEEv vo1o1v vo2o2I I0 02 2mAmA-10V-10V+10V

9、+10VT T1 1T T2 26.2.5 电路如图题6.2.5所示，JFET的gm=2mS,rDS=20K。（1）求双端输出时的差模电压增益的值（2）求电路改为单端输出时，AVD1、AVC1和KCMR和值。解解v v0202R Rd dR Rd dR Rs sT T1 1T T2 2V VDDDD-V Vssssv vi1i1v vi2i2v vo1o11010k k1010k k1010k k2020V V-20-20V V电子技术（模拟部分）电子技术（模拟部分）第七章第七章习题解答习题解答7.1.2(a)电压并联负反馈电压并联负反馈(b)电流串联负反馈电流串联负反馈(c)电流并联负反馈电

10、流并联负反馈+-v vi iv vo oR R3 3R R2 2R R1 1V Vcccc(d)(d)-+-+v vi iv vo oR R2 2R R3 3R R4 4R R1 1R R5 5R R6 6R RL L(f)(f)(d)电压串联负反馈电压串联负反馈(e)电压并联负反馈电压并联负反馈(f)电流串联负反馈电流串联负反馈 v vi iv vo oR R1 1R R2 2R R3 3R RL L(e)(e)-+-7.1.4解：（解：（1）Rf1Re1：电流串联负反馈（交直流）电流串联负反馈（交直流）Rf2：电压并联负反馈电压并联负反馈Rf1作用作用：直流反馈：稳定前3级的Q点交流负反馈

11、：稳定第3级的输 出,提高输入电阻。Rf2作用作用：直流反馈：为T1提供偏置；交流反馈：稳定输出电压，降低输入、输出电阻。（2）Rf1使使Rif增大，增大，Rf2使使Rif减小，二者矛盾。减小，二者矛盾。（3）不行，）不行，Rf2是是T1的偏置电阻，提的偏置电阻，提 供静态工作点。供静态工作点。解决方法：在解决方法：在 并联大容量的并联大容量的 电解电容器，去掉交流负反馈。电解电容器，去掉交流负反馈。+7.1.6解：（解：（1）R2、R1引入引入电流并联负反馈。电流并联负反馈。（2）深入负反馈，在输入）深入负反馈，在输入端存在端存在“虚短虚短”和和“虚断虚断”。（3）压控电流源。）压控电流源。

12、7.2.1解解7.3.1解解7.3.10 解：（解：（1）Rf：电压并联负反馈电压并联负反馈（2）由要求可知应引入电压串联负）由要求可知应引入电压串联负反馈，将反馈，将Rf的输出端接至的输出端接至T2的基极的基极(3）电压并联负反馈）电压并联负反馈 电压串联负反馈电压串联负反馈 7.4.4(a)电压并联负反馈电压并联负反馈(b)电流串联负反馈电流串联负反馈7.4.4(c)电流并联负反馈电流并联负反馈v vi iv vo oR R1 1R R2 2R R3 3R RL L(e)(e)-+-(d)电电压压并并联联负负反反馈馈7.4.5 解：解：RF2引入电压并联负反馈引入电压并联负反馈 由于是深度负反馈，在输入端存在“虚短”、“虚断”