电子技术基础知识课件.ppt
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1、 电子技术基础知识维修电工培训维修电工培训1 1 2本本征征半半导导体体:不不加加杂杂质质的的纯纯净净半半导导体体晶晶体体。如如本本征征硅硅或或本征锗。本征锗。根据掺杂的物质不同,可分两种:根据掺杂的物质不同,可分两种:3杂质半导体:杂质半导体:为了提高半导体的导电性能,在本征半导为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。(1)P型半导体:型半导体:本征硅本征硅(或锗或锗)中掺入少量硼元素(中掺入少量硼元素(3价)所价)所形成的半导体,如形成的半导体,如P型硅。多数载流子为空穴,少数载流子为电子。型硅。多数载流子为
2、空穴,少数载流子为电子。一、一、PNPN结结 1半导体半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质质。如硅(如硅(Si)或锗(或锗(Ge)半导体。半导体。自由电子多数载流子(简称多子)空穴少数载流子(简称少子)2 2 (2)N型半导体:型半导体:在本征硅在本征硅(或锗或锗)中掺入少量磷元素(中掺入少量磷元素(5价)价)所形成的半导体,如所形成的半导体,如N型硅。其中,多数载流子为电子,少数载型硅。其中,多数载流子为电子,少数载流子为空穴。流子为空穴。自由电子多数载流子(简称多子)空穴少数载流子(简称少子)3 3图图1 结结4PN结结:N型型和和P型型半半导
3、导体体之之间间的的特特殊殊薄薄层层叫叫做做PN结结。PN结是各种半导体器件的核心。结是各种半导体器件的核心。如图如图1所示。所示。P区接电源正极,区接电源正极,N区接电源负极,区接电源负极,PN结导通;结导通;反之,反之,PN结截止。结截止。PN结具有单向导电特性。即:结具有单向导电特性。即:将将P型半导体和型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起,型半导体使用特殊工艺连在一起,形成形成PN结。结。u外加正向电压(也叫正向偏置)外加正向电压(也叫正向偏置)u外加电场与内电场方向相反,内电场削弱,扩散运动大大外加电场与内电场方向相反,内电场削弱,扩散运动大大超过漂移运动,超过漂移运动,N N区电
4、子不断扩散到区电子不断扩散到P P区,区,P P区空穴不断扩散区空穴不断扩散到到N N区,形成较大的正向电流,这时称区,形成较大的正向电流,这时称PNPN结处于结处于导通导通导通导通状态状态。4 4u外加反向电压(也叫反向偏置)外加反向电压(也叫反向偏置)u外加电场与内电场方向相同,增强了内电场,多子扩散难外加电场与内电场方向相同,增强了内电场,多子扩散难以进行,少子在电场作用下形成反向电流以进行,少子在电场作用下形成反向电流,因为是少子漂因为是少子漂移运动产生的,反向电流很小,这时称移运动产生的,反向电流很小,这时称PNPN结处于结处于截止截止截止截止状态。状态。5 5二二 晶体二极管晶体二
5、极管 一个一个PNPN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来,结加上相应的电极引线并用管壳封装起来,就构成了半导体二极管,简称二极管。就构成了半导体二极管,简称二极管。6 6 1 外形:外形:由密封的管体和两条正、由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图通常表示正极。如图2(a)所示;所示;图图2 晶体二极管的外形和符号晶体二极管的外形和符号 2 2 符号:符号:如图。其中:如图。其中:三角形三角形正极,正极,竖杠竖杠负极,负极,VV二极管的二极管的文字符号。文字符号。7 73 3晶体二极管的单向导电性:晶体二极管的单向导电性:(1
6、 1)正极电位负极电位,二极管导通;)正极电位负极电位,二极管导通;(2 2)正极电位负极电位,二极管截止。)正极电位负极电位,二极管截止。即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二二极管的单向导电性。极管的单向导电性。晶体二极管的单向导电性晶体二极管的单向导电性8 8 例例1 图图3所所示示电电路路中中,当当开开关关S闭闭合合后后,H1、H2两两个个指指示灯,哪一个可能发光?示灯,哪一个可能发光?图图3 例例1电路图电路图 解解 由电路图可知,开关由电路图可知,开关S闭合后,只有二极管闭合后,只有二极管V1正极电位高正极电位高于负极电位,即处于
7、正向导通状态,所以于负极电位,即处于正向导通状态,所以H1指示灯发光。指示灯发光。9 94 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 1定义:定义:二极管两端的二极管两端的电压和流过的电流之间的关电压和流过的电流之间的关系曲线叫作系曲线叫作二极管的伏安特二极管的伏安特性性。二极管的伏安特性二极管的伏安特性10105 5特点:特点:结论:正偏时电阻小,具有非线性。结论:正偏时电阻小,具有非线性。导通后导通后V两端电压基本恒定:两端电压基本恒定:VFVT时,时,V导通,导通,IF急剧增大。急剧增大。正向电压正向电压VF小于门坎电压小于门坎电压VT时,二极管时,二极管V截止,截止,正向电流正向电流IF=0;
8、其中,门槛电压其中,门槛电压(1 1)正向特性)正向特性1111 正向特性正向特性正向特性正向特性 外加正向电压较小时,外外加正向电压较小时,外电场不足以克服内电场对多子电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力,扩散的阻力,PNPN结仍处于截止结仍处于截止状态状态 。正向电压大于死区电压后,正向电压大于死区电压后,正向电流正向电流 随着正向电压增大迅随着正向电压增大迅速上升。通常速上升。通常死区电压硅管死区电压硅管约约为为0.5V0.5V,锗管锗管约为约为0.2V0.2V。导通导通电压电压:U UD(on)=D(on)=(0.6(0.6 0.8)V 0.8)V硅管硅管 0.7 V0.7 V (0.
9、1 (0.1 0.3)V 0.3)V锗管锗管 0.3 V0.3 V1212(2 2)反向特性)反向特性结论:结论:反偏电阻大,存在电击穿现象。反偏电阻大,存在电击穿现象。VRVRM时,时,IR剧增,此现象称为反向电击穿。剧增,此现象称为反向电击穿。对应的电对应的电压压VRM称为反向击穿电压。称为反向击穿电压。反向电压反向电压VRVRM(反向击穿电压)时,反向电流反向击穿电压)时,反向电流IR很小,很小,且近似为常数,称为反向饱和电流。且近似为常数,称为反向饱和电流。1313 反向特性反向特性反向特性反向特性 外加反向电压时,外加反向电压时,PNPN结处于截止状态,反向电结处于截止状态,反向电流
10、流 很小。反向电压大于击很小。反向电压大于击穿电压时,反向电流急剧穿电压时,反向电流急剧增加。增加。反向击穿类型反向击穿类型反向击穿类型反向击穿类型 电电击击穿穿 PN PN 结结未未损损坏坏,断电即恢复。断电即恢复。热击穿热击穿 PN PN 结烧毁。结烧毁。1414(1)最大整流电流IFM:指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。(2)最高反向工作电压URM:二极管运行时允许承受的最大反向电压。(3)最大反向电流IRM:指管子未击穿时的反向电流,其值越小,则管子的单向导电性越好。(4)最高工作频率fm:主要取决于PN结结电容的大小。6 6、二极管的主要参数、二极管的主要参数7 7、二极
11、管的型号与规格、二极管的型号与规格如:2AP3A15158 二极管的简单测试二极管的简单测试图图4 万用表检测二极管万用表检测二极管 将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时,黑表将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时,黑表笔接触处为正极,红表笔接触处为负极。笔接触处为正极,红表笔接触处为负极。(1).判别正负极性判别正负极性用万用表检测二极管如图用万用表检测二极管如图4所示。所示。万用表测试条件:万用表测试条件:R100或或R1k;1616图图5 万用表检测二极管万用表检测二极管万用表测试条件:万用表测试条件:R1k1k。(2 2).判别好坏判别好坏(3)(3)若正向电阻约几千欧姆,反
12、向电阻非常大,二极管正常。若正向电阻约几千欧姆,反向电阻非常大,二极管正常。(2)(2)若正反向电阻非常大,二极管开路。若正反向电阻非常大,二极管开路。(1)(1)若正反向电阻均为零,二极管短路;若正反向电阻均为零,二极管短路;17179 二极管的分类二极管的分类(3)按用途:)按用途:如图如图6所示。所示。(2)按)按PN结面积:结面积:点接触型(电流小,高频应用)、面点接触型(电流小,高频应用)、面接触型(电流大,用于整流)接触型(电流大,用于整流)(1 1)按材料分:)按材料分:硅管、锗管硅管、锗管图图6 二极管图形符号二极管图形符号1818三、三、晶体三极晶体三极管管晶晶体体三三极极管
13、管:是是一一种种利利用用输输入入电电流流控控制制输输出出电电流流的的电流控制型器件。电流控制型器件。特点:特点:管内有两种载流子参与导电。管内有两种载流子参与导电。特点:特点:有三个电极,有三个电极,故称故称三极管。三极管。图图7三极管外形三极管外形1 三极管的结构三极管的结构(1 1).三极管的外形三极管的外形1919(2 2).三极管的结构三极管的结构图图8 三极管的结构图三极管的结构图 工工艺艺要要求求:发发射射区区掺掺杂杂浓浓度度较较大大;基基区区很很薄薄且且掺掺杂杂最最少少;集电区比发射区体积大且掺杂少。集电区比发射区体积大且掺杂少。特点:特点:有三个区有三个区发射区、基区、集电区;
14、发射区、基区、集电区;两个两个PN结结发射结(发射结(BE结)、集电结(结)、集电结(BC结);结);三个电极三个电极发射极发射极e(E)、基极基极b(B)和集电极和集电极c;两种类型两种类型 P N P型管和型管和NPN型管。型管。2020箭头:箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。表示发射结加正向电压时的电流方向。文字符号:文字符号:V 图图9 三极管符号三极管符号2、晶体三极管的符号、晶体三极管的符号21213 3、三极管的电流放大作用、三极管的电流放大作用 (1)三极管的工作电压 三极管实现电流放大的外部偏置条件:发射结正偏,发射结正偏,集电结反偏集电结反偏,此时,各电极电位之间的关
15、系是:NPN型型UCUBUEPNP型型UCUBUE 22222323 (2)电流分配关系 图3.3是NPN管放大实验电路。三极管各电极电流分配关系是:I IE=I IB+I IC由于基极电流很小,因而I IEI IC。图图3.33.3 三极管的电流放大实三极管的电流放大实验电路验电路2424(3)三极管的电流放大作用 当IB有一微小变化时,能引起IC较大的变化,这种现象称为三极管的电流放大作用。电流放大作用的实质是通过改变基极电流电流放大作用的实质是通过改变基极电流I IB的大小,的大小,达到控制达到控制I IC的目的的目的,而并不是真正把微小电流放大了,因此称三极管为电流控制型器件。电流放大
16、作用:电流放大作用:电流放大系数:电流放大系数:=I IC C/I IB B2525三极管的输入特性三极管的输入特性4 4、三极管的特性曲线、三极管的特性曲线(1 1 1 1)输入特性曲线输入特性曲线 集射极之间的电压集射极之间的电压UCE一定时,发射结电压一定时,发射结电压UBE与基极电流与基极电流IB之间的关系曲线。之间的关系曲线。ICIBRBUBBUCCRCVVAmA+UCE+UBE测量三极管特性的实验电路26265VBE与与IB成非线性关系。成非线性关系。由图可见:由图可见:1当当V CE 2 V时,特性曲线基本重合。时,特性曲线基本重合。2当当VBE很小时,很小时,IB等于零,等于零
17、,三极管处于截止状态;三极管处于截止状态;3当当VBE大于门槛电压(硅管大于门槛电压(硅管 约约0.5V,锗管约锗管约0.2V)时,时,IB逐渐增大,三极管开始导逐渐增大,三极管开始导 通。通。4三极管导通后,三极管导通后,VBE基本不基本不 变。硅管约为变。硅管约为0.7V,锗管锗管 约为约为0.3V,称为三极管的导称为三极管的导 通电压。通电压。共发射极输入特性曲线共发射极输入特性曲线2727(2)晶体三极管的输出特性曲线)晶体三极管的输出特性曲线 基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电极电流基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。的关系曲线。三极管的输出特性三极管的输
18、出特性2828输出特性曲线可分为三个工作区输出特性曲线可分为三个工作区:(1)截止区截止区条件:条件:发射结、集电结反偏或两端电压为零。发射结、集电结反偏或两端电压为零。三极管输出特性曲线中,IB=0的输出特性曲线以下,横轴以上的区域称为截止区。其特点是:各电极电流很各电极电流很小,相当于一个断开的开关。小,相当于一个断开的开关。在在放放大大状状态态,当当IB一一定定时时,IC不不随随VCE变变化化,即即放放大大状态的三极管具有恒流特性。状态的三极管具有恒流特性。(2)放大区)放大区条件:条件:发射结正偏,集电结反偏发射结正偏,集电结反偏特点:特点:IC受受IB控制控制 2929 输出特性曲线
19、中,截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。此时IC受控于IB;同时IC与UCE基本无关,可近似看成恒流。此区内三极管具有电流放大作用此区内三极管具有电流放大作用。输出特性曲线中,UCEUBE的区域,即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。饱和时的UCE称为饱和压降,用UCES表示,UCES很小,一般约为0.3V。工作在此区的三极工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关,没有电流放大作用。管相当于一个闭合的开关,没有电流放大作用。(3)饱和区)饱和区条件:条件:发射结和集电结均为正偏。发射结和集电结均为正偏。30305、三极管的主要参数、三极管的主要参数1.电流放大系数 电流放大系数是反映三极管电流放
20、大能力的基本参数,主要有共发射极电路交流电流放大系数 和共发射极电路直流电流放大系数hFE。2.极间反向电流 (1)ICBO是指发射极开路时从集电极流到基极的反向电流。如图所示。3131图 极间反向电流 3232 (2)穿透电流ICEO 是指基极开路(IB=0)、集电极与发射极之间加上规定的电压时,从集电极流到发射极的电流。如 图所示。它与ICBO之间的关系为:ICEO=(1+)ICBO 3.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 三极管工作时,当集电极电流超过三极管工作时,当集电极电流超过ICM时,管子性能将显时,管子性能将显著下降,并有可能烧坏管子。著下降,并有可能烧坏管子。3333 管
21、管子子基基极极开开路路时时,集集电电极极和和发发射射极极之之间间的的最最大大允允许许电电压压。当当电电压压越越过过此此值值时时,管管子子将将发发生生电电压压击击穿穿,若若电电击击穿穿导致热击穿会损坏管子。导致热击穿会损坏管子。当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时,管子性能变坏或烧毁。时,管子性能变坏或烧毁。(2)集电极发射极间击穿电压U(BR)CEO(3)集电极最大允许功耗PCM6、三极管的识别和简单测试3434表 常用三极管管脚排列3535 判别硅管和锗管的测试电路判别硅管和锗管的测试电路 7 三极管的简单测试三极管的简单测试(1)、硅管
22、或锗管的判别)、硅管或锗管的判别当当V=0.10.3V时时为锗管。为锗管。当当V=0.60.7V时,时,为硅管为硅管3636 将将万万用用表表设设置置在在 或或 挡挡,用用黑黑表表笔笔和和任任一一管管脚脚相相接接(假假设设它它是是基基极极b b),红红表表笔笔分分别别和和另另外外两两个个管管脚脚相相接接,如如果果测测得得两两个个阻阻值值都都很很小小,则则黑黑表表笔笔所所连连接接的的就就是是基基极极,而而且且是是NPN型型的的管管子子。如如图图11(a a)所所示示。如如果果按按上上述述方方法法测测得得的的结结果果均均为为高高阻阻值值,则黑表笔所连接的是则黑表笔所连接的是PNP管的基极。如图管的
23、基极。如图11(b b)所示。所示。(2)、)、NPN管型和管型和PNP管型的判断管型的判断图图11 基极基极b b的判断的判断3737 首首先先确确定定三三极极管管的的基基极极和和管管型型,然然后后采采用用估估测测值值的的方方法法判判断断c、e极极。方方法法是是先先假假定定一一个个待待定定电电极极为为集集电电极极(另另一一个个假假定定为为发发射射极极)接接入入电电路路,记记下下欧欧姆姆表表的的摆摆动动幅幅度度,然然后后再再把把两两个个待待定定电电极极对对调调一一下下接接入入电电路路,并并记记下下欧欧姆姆表表的的摆摆动动幅幅度度。摆摆动动幅幅度度大大的的一一次次,黑黑表表笔笔所所连连接接的的管
24、管脚脚是是集集电电极极c,红红表表笔笔所所连连接接的的管管脚脚为为发发射射极极e,如如图图12所所示示。测测PNP管管时时,只只要要把把图图12电电路路中中红红、黑黑表表笔笔对对调调位位置置,仍照上述方法测试。仍照上述方法测试。(3)、)、e、b、c三个管脚的判断三个管脚的判断图图12 估测估测的电路的电路3838四、单管基本放大电路四、单管基本放大电路 由三极管组成的放大电路。其功能是利用三极管的由三极管组成的放大电路。其功能是利用三极管的电流控制作用,把微弱的电信号(简称信号,指变化电流控制作用,把微弱的电信号(简称信号,指变化的电压、电流、功率)不失真地放大到所需的数值,的电压、电流、功
25、率)不失真地放大到所需的数值,实现将直流电源的能量部分地转化为按输入信号规律实现将直流电源的能量部分地转化为按输入信号规律变化且有较大能量的输出信号。放大电路的实质,是变化且有较大能量的输出信号。放大电路的实质,是一种用较小的能量去控制较大能量转换的能量转换装一种用较小的能量去控制较大能量转换的能量转换装置。置。1、放大电路的组成及作用 共发射极基本放大电路(1)晶体管V。放大元件,用基极电流iB控制集电极电流iC。3939 共发射极基本放大电路(2)直流电源UCC 放大电路的能源;使晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管处在放大状态,提供电流IB和IC,UCC一般在几伏到十几伏之间。(3)基
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