电子衍射及衍射花样标定课件.ppt
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1、电子衍射及衍射电子衍射及衍射花样标定花样标定1主要内容 2.2.电子电子显微镜中的电子衍射显微镜中的电子衍射3.3.多晶体多晶体电子衍射花样电子衍射花样1.1.电子衍射的原理电子衍射的原理 4 4.单晶单晶电子衍射花样标定电子衍射花样标定5 5.复杂复杂电子衍射花样电子衍射花样2n n各晶面的散射线干涉加强的条件是光程差为波长各晶面的散射线干涉加强的条件是光程差为波长的整数倍,即的整数倍,即2dsin=2dsin=nn 即即BraggBragg定律,是产生衍定律,是产生衍射的必要条件。射的必要条件。n n但是满足上述条件的要求,也未必一但是满足上述条件的要求,也未必一定产生衍射,定产生衍射,这
2、样,把满足布拉格条件而不产生衍射的现象称这样,把满足布拉格条件而不产生衍射的现象称为结构消光。为结构消光。这是因为衍射束强度这是因为衍射束强度 1.电子衍射的原理-Bragg定律OPR2dsinq=dd/2dsinq32 2 试样试样入射束入射束厄瓦尔德球厄瓦尔德球倒易点阵倒易点阵底板底板 电子衍射花样形成示意图电子衍射花样形成示意图1.1.电子衍射的原理电子衍射的原理 4 Bragg Bragg定律:定律:2d 2d sinsin=d=晶面间距10-1nm 电子波长 10-3nm故sin 10-2的弧度,相当小、可认为所有和入射光束相平行的晶面产生衍射,这些晶面的交线互相平行,都平行于某一轴
3、向(晶向),故属于一个晶带,用uvw表示。因此当电子束以平行与某一轴向uvw照射到样品,uvw晶带中包括的晶面满足布拉格方程的即要产生衍射。rOG GLd1.1.电子衍射的原理电子衍射的原理 5立方晶体001晶带001晶晶体体中中,与与某某一一晶晶向向uvw平平行行的的所所有有晶晶面面(hkl)属属于于同同一一晶晶带带,称称为为uvw晶晶带带,该该晶晶向向uvw称称为此晶带的晶带轴为此晶带的晶带轴.如如 001晶晶 带带 中中 包包 括括(100),(010)、(110)、(210)等等晶晶面。面。晶晶带带定定律律:若若晶晶面面(hkl)属属于于晶晶带轴带轴uvw,则有则有 hu+kv+lw=
4、0 这就是晶带定理。这就是晶带定理。6已知两晶面,求其晶带轴 如果(h1k1l1)和(h2k2l2)是uvw晶带 中 的 两 个 晶 面,则 由 方 程 组 h1u+k1v+l1w=0和 h2u+k2v+l2w=0得 出uvw的解是(这应该是在立方晶体中,因为只有在立方晶体中与某晶面指数相同的晶向才与该晶面垂直。)即u=k1l2-l1k2,v=l1h2-h1l2,w=h1k2-k1h27电子衍射基本公式22 由图可知:由图可知:衍射花样投影距离:衍射花样投影距离:R=Ltan2 当当很小很小 tan22 sin tan2=2 sin R=L2 sin由布拉格方程;由布拉格方程;2d sin=得
5、到:得到:Rd=L=K 这就是电子衍射基本公式。这就是电子衍射基本公式。式式中中:K=L 称称为为电电子子衍衍射射的的相相机机常常数数,L称称为为相相机机长长度度。相相机机常常数数不不是是一一个个常常数数,要要在在透透镜镜电流固定的情况下进行标定电流固定的情况下进行标定8n n利用金膜测定相机常数由里至外测量R,找到对应的d,根据Rd=L 测得200KV得到金环,由内到外直径2R依次为:17.46mm,20.06mm,28.64mm,33.48mm;对应指数(111),(200),(220),(311);对应面间距d分别为0.2355nm,0.2039nm,0.1442nm,0.1230nm
6、K=Rd=()mm.nm电子电子显微镜中的电子衍射显微镜中的电子衍射u相机常数测定相机常数测定9选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,并限制其大小,得到该微区电子衍射图的方法。并限制其大小,得到该微区电子衍射图的方法。并限制其大小,得到该微区电子衍射图的方法。并限制其大小,得到该微区电子衍射图的方法。也称微区衍射。也称微区衍射。也称微区衍射。也称微区衍射。两种方法:两种方法:vv光阑选区衍射(光阑选区衍射(Le PoolLe Pool方式)方式)-用位于物镜象平面上
7、的选区光阑限制微区大小。先在明场象上找到感兴趣的微区,将其移到荧光屏中心,再用选区光阑套住微区而将其余部分挡掉。理论上,这种选区的极限0.5m。vv微束选区衍射微束选区衍射-用微细的入射束直接在样品上选择感兴趣部位获得该微区衍射像。电子束可聚焦很细,所选微区可小于0.5m。可用于研究微小析出相和单个晶体缺陷等。目前已发展成为微束衍射技术。u选区电子衍射选区电子衍射2 2.电子电子显微镜中的电子衍射显微镜中的电子衍射10透射电镜光路图11电子衍射花样特征电子衍射花样特征单晶单晶准晶(准晶(quasicrystals)非晶非晶多晶多晶123.多晶体电子衍射花样n n电子束照射多晶、纳电子束照射多晶
8、、纳米晶体时,衍射成像米晶体时,衍射成像原理与多晶原理与多晶X X射线衍射射线衍射相似。相似。n n不产生消光的晶面均不产生消光的晶面均有机会产生衍射。有机会产生衍射。13u花样花样 与与X X射射线线衍衍射射法法所所得得花花样样的的几几何何特特征征相相似似,由由一一系系列列不不同同半半径径的的同同心心圆圆环环组组成成,是是由由辐辐照照区区内内大大量量取取向向杂杂乱乱无无章章的的细细小小晶晶体体颗颗粒粒产产生生,d d值值相相同同的的同同一一(hklhkl)晶晶面面族族所所产产生生的的衍衍射射束束,构构成成以以入入射射束束为为轴轴,2 2为为半半顶顶角角的的圆圆锥锥面面,它它与与照照相相底底板
9、板的交线即为半径为的交线即为半径为R=LR=L/d/dK/dK/d的的圆圆环环。R R和和1/d1/d存在简单的正比关系存在简单的正比关系对立方晶系:对立方晶系:1/d1/d2 2=(h h2 2+k+k2 2+l+l2 2)/a/a2 2N/aN/a2 2通过通过R R2 2比值确定环指数和点阵类型。比值确定环指数和点阵类型。3.3.多晶体多晶体电子衍射花样电子衍射花样14A)晶体结构已知:测R、算R2、分析R2比值的递增规 律,定N,求(hkl)和a 。如已知K,也可由d=K/R求d对照ASTM求(hkl)。B)晶体结构未知:测R、算R2、R22R12,找出最接近的整数比规律、根据消光规律
10、确定晶体结构类型、写出衍射环指数(hkl),算a。如已知K,也可由d=K/R求d对照ASTM求(hkl)和a,确定样品物相。已知晶体结构,标定相机常数,一般用Au,FCC,a=0.407nm,也可用内标。物相鉴定:大量弥散的萃取复型粒子或其它粉末粒子。3.3.多晶体多晶体电子衍射花样电子衍射花样u分析方法分析方法u主要用途主要用途15基本任务vv确定花样中斑点的指数及其晶带轴方向uvw;vv确定样品的点阵类型、物相和位向。一般分析任务可分为两大类:vv鉴定旧结构,这种结构的参数前人已作过测定,要求在这些已知结构中找出符合的结构来。vv测定新结构,这种结构的参数是完全未知的,在ASTM卡片中和其
11、它文献中都找不到;4 4.单晶单晶电子衍射花样标定电子衍射花样标定u单晶花样分析的任务单晶花样分析的任务16n n表达花样对称性的基本单元为平行四边形。平行四边形可用两边夹一角来表征。平行四边形的选择:最短边原则:R1R2R3R4 锐角原则:6090 如图所示,选择平行四边形。已知h1k1l1和h2k2l2可求h3=h1+h2k3=k1+k2L3=L1+L217衍射花样的标定 标定衍射花样时,根据对待标定相信息的了解程度,相应有不同的方法。一般,主要有以下几种方法:指数直接标定法:已知相机常数和样品晶体结构时衍射花样的标定尝试校核法:相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标定相机常数已知、晶体
12、结构未知时衍射花样的标定标准花样对照法:相机常数未知、晶体结构未知时衍射花样的标定18已知相机常数和样品晶体结构1 1、测量、测量R R1 1、R R2 2、R R3 3、R R4 42 2、根据、根据R=R=L/dL/d,求出相应,求出相应的晶面间距的晶面间距d d1 1、d d2 2、d d3 3、d d4 43 3、因晶体结构已知,故可、因晶体结构已知,故可根据根据d d查出相应的晶面族查出相应的晶面族指数指数 hklhkl 4 4、测定各衍射斑点之间的、测定各衍射斑点之间的夹角夹角5 5、决定离中心斑点最近的、决定离中心斑点最近的衍射斑点的指数衍射斑点的指数6 6、由晶面夹角公式决定第
13、、由晶面夹角公式决定第二个衍射斑点的指数二个衍射斑点的指数7 7、其它斑点根据矢量运算、其它斑点根据矢量运算求得,求得,R R1 1+R+R2 2=R=R3 3,8 8、h h1 1+h+h2 2=h=h3 3、k k1 1+k+k2 2=k=k3 3、l l1 1+l+l2 2=l=l3 39 9、根据晶带定律求出晶带、根据晶带定律求出晶带轴指数轴指数19v例:下图为例:下图为-Fe-Fe的电子衍射花样的电子衍射花样 ,试指标化并求其晶胞,试指标化并求其晶胞参数和晶带方向。参数和晶带方向。R RA A7.1mm,R7.1mm,RB B10.0mm,R10.0mm,RC C=12.3mm,=1
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