《数据的保存》PPT课件.ppt

《《数据的保存》PPT课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《数据的保存》PPT课件.ppt（65页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、实例解读51单片机完全学习与应用All you need to know about the 8051 microcontroller杨欣欣Yang X张延延强Zhang Y编著著莱莱诺克斯克斯Nokes L王玉王玉凤Wang Y刘湘黔刘湘黔Liu X主主审电子工子工业出版社出版社 2011.21 欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX第第16章章 数据的保存数据的保存2第16章 数据的保

2、存存存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX平板电脑内部的主板上除了处理器（A4/APL03898）和一些控制器、解码器外，还有用于保存各种数据的存储器。如32GB容量的Flash存储器K9PFG08U5M相当于平板电脑的“硬盘”，用于永久保存数据。此外还有16KB容量的EEPROM存储器M24128A可作为缓冲使用。可见，存储器在许多产品特别是数码产品里已成为必不可少的一个功能模块

3、，3第16章 数据的保存16.1 片内与片外存片内与片外存储器器16.1.1 为什么要有片内、片外之分？什么要有片内、片外之分？欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXAT89S51单片机中有4Kbytes的Flash存储器和128bytes的内部RAM，4Kbytes的Flash存储器用于保存单片机的程序，当单片机掉电后，程序不会消失。下一次上电复位后，单片机又会执行Flash存储器中的程

4、序。128bytes的内部RAM虽然能用于保存运行时产生的数据，但单片机掉电后数据随即丢失。在实际应用中有可能需要单片机系统能在掉电后保存住运行时的数据。比如一个电子密码锁，我们希望它在掉电后保存住用户预设的密码，等下次系统上电运行后能比对用户输入的密码。片外扩展存储器还能解决单片机片内存储器容量有限的问题。比如当一个单片机系统的程序很复杂时，指令的总长度有可能超出了AT89S51单片机自身4Kbytes的存储容量，此时就需要在片外扩展一个程序存储器来解决。4第16章 数据的保存16.1.2 电子密子密码锁的片外存的片外存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用

5、Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXU3是一种称为EEPROM的存储器芯片，型号为M28C16，它通过锁存器U2（型号为SN74AC373N）与单片机的P0口接口。当用户通过小键盘预设好密码锁的密码后，单片机可把这个密码保存到M28C16中。M28C16容量为2K8位的EEPROM。EEPROM是“电可擦写只读存储器”。EEPROM可被电信号擦除（删除）所保存的数据，之后亦可被适当的电信号把新的数据写入。单片机可以擦除M28C16中的数据，也可以向其写

6、入数据。并且在系统掉电后，M28C16中的数据不会丢失。这样，通过小键盘预设的密码保存在M28C16中，即便系统掉电密码依然存在。5第16章 数据的保存16.1.3 判断片外数据存判断片外数据存储器或片外程序存器或片外程序存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXEEPROM型的存储器M28C16明显不是单片机AT89S51内部的存储器，而是在片外扩展的，所以M28C16称为系统中的片

7、外存储器。片外存储器有两种，一是片外数据存储器，保存的是系统运行时产生的数据。二是片外程序存储器，保存的是单片机运行所需的程序。要定义一个存储器是程序存储器还是数据存储器，关键看它存储的内容是运行中的数据还是单片机的运行程序。M28C16存储的是用户通过小键盘输入的预设密码，该密码是单片机通过扫描小键盘获得的，因此是系统运行过程中产生的数据，为了掉电时不会丢失，才使用片外的EEPROM来保存。所以，图16-2中M28C16保存的是运行数据，是一个片外数据存储器。6第16章 数据的保存16.1.3 判断片外数据存判断片外数据存储器或片外程序存器或片外程序存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息

8、实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX如果系统运行过程中产生的数据只是临时数据，并不需要在掉电时保存，那还可以选择RAM作为片外数据存储器。RAM是“randomaccessmemory”的缩写，意思是“随机访问存储器”。RAM的最大特点是掉电后数据随即丢失，所以它不适合用来作为片外程序存储器。图中列出了一些常用的存储器类型供设计时选择。从图中看到，EEPROM、Flash存储器既可作为程序存储器使用，也可作为数据存储器。

9、7第16章 数据的保存16.1.4 存存储器容量的描述器容量的描述欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX在单片机系统中，存储器所能存储的二进制数的多少取决于该存储器的容量。例如，容量为2K8位的M28C16最多能存储210248=16384个二进制数（K=1024，2K=21024），或者说M28C16可以保存最多16384位二进制数（即16384个1或0）。为了与国际接轨，我们使用英文单

10、位来描述存储器的容量“2K8位”可表示为“2K8bits”。比Kbits大的单位还有Mbits和Gbits。8第16章 数据的保存16.1.5 存存储器器组织欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX存储器内部都有一定的组织结构来存储数据。例如，M28C16是一个容量为2K8bits的EEPROM，其中“8”表示M28C16中以8bits（=1byte）为一个单元，共有2K（=21024）个这

11、种单元。用一个小方块来代表一个位，即1bit。每一个单元（每一行）有8个小方块，即8bits（=1byte），整个M28C16有2K个这种单元，所以其容量为2K8bits，方块图表示了M28C16的组织结构。9第16章 数据的保存16.1.5 存存储器器组织欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX存储器组织在器件的设计和制造时就规划好了，与器件的管脚有对应的关系。电路符号DQ0DQ7为数据输

12、入/输出线，共8个位。存储器的输入/输出端线有几位，则存储器组织中每个单元就有几个位。M28C16的地址线A0A10，共有11位地址线。把地址线的位数作为2的指数，就得到存储器组织中单元的个数，即211。而把单元的个数（211，即2048=2K）乘以每个单元中的位数（8）就得到存储器的容量和组织结构表达式2K8bits。10第16章 数据的保存16.1.5 存存储器器组织欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤Wa

13、ngY刘湘黔LiuX于是，可以将存储器组织归纳如下：任一存储器都包含 个单元，其中n是器件地址线的位数。每一个单元中包含m个位，m是器件的数据线的位数。整个存储器的容量为bits。可见，在数据线位数一定的情况下（比如8位），地址线的位数越多，即n越大，存储器的容量也就越大。附录K中是一些常用RAM、ROM存储器的型号和对应的容量和组织结构。11第16章 数据的保存16.2 存存储器操作及家族成器操作及家族成员16.2.1 读存存储器与写存器与写存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontro

14、ller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX存储器的操作都围绕着读与写进行：写操作使数据到达并保存在存储器的某一个地址上，而读操作则是把存储器某一地址上的数据找到并读取出来。可见，读与写都涉及到存储器的寻址。在写操作中进入存储器和在读操作中从存储器传出的数据都通过数据线（databus），数据线是双向的，意味着同一组数据线扮演着进入数据和传出数据的通道。以字节为组织的存储器最少需要8位数据线保证数据地并行交换。在读或写操作中，地址被选定后以二进制码的形式出现在存储器的地址线（addressbus）上，经过存储器内部的地址解码器解码后，存

15、储器单元中对应地址被选中。存储器的地址线的位数由容量决定。12第16章 数据的保存16.2.1 读存存储器与写存器与写存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX写操作：假如要把数据00001110写到存储器的地址04H上，首先由单片机的I/O口向地址线输出地址04H的二进制码00000100，存储器内部的地址解码器根据这个二进制码定位存储器单元中的地址04H（）。接着把数据000011

16、10输出到数据线上（），最后还是由单片机输出一个写信号给存储器（）。这样，数据00001110将被写到存储器的地址04H中，原来的数据被覆盖（丢失）。13第16章 数据的保存16.2.1 读存存储器与写存器与写存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX读操作：假设要把地址06H上的数据读出来，首先由单片机的I/O口输出地址06H的二进制码00000110至地址线上，地址解码器由此定位存

17、储器单元中的地址06H（），接着单片机输出一个读信号（），之后在存储器的数据线上出现了06H上的数据01100011（），单片机只要读数据线的数据就获得了01100011。在读操作中，数据只是从存储器单元中复制到数据线上，并不会在被单片机读取走后丢失。14第16章 数据的保存16.2.2 存存储器两大家族：器两大家族：RAM和和ROM欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXRAM和ROM分别

18、为“随机访问存储器”和“只读存储器”。一般来说，RAM在掉电后数据丢失，所以大多数为易失性存储器（也有例外，如NVRAM等）。而ROM可以在掉电后保存住数据，所以ROM都是非易失性存储器。15第16章 数据的保存16.3 RAMs16.3.1 RAM家族家族欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXRAM有两大类：SRAM（静态RAM）和DRAM（动态RAM）。SRAM使用触发器作为存储单元，

19、只要不掉电其中的数据会一直保存着。而DRAM使用电容为存储单元，为了使DRAM能一直保存数据，需要在刷新过程中不断给电容进行充电。SRAM和DRAM在掉电后数据都会丢失，所以它们都属于易失性存储器。16第16章 数据的保存16.3.2 SRAM的存的存储单元元欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX所有SRAM的存储单元都由触发器担当。当向存储单元供电时，它能持续地保存状态1或0，直到掉电数

20、据丢失为止。图示为一个SRAM的存储单元，当位选线得到有效电平后该存储单元被选中，1位数据（1或0）通过数据线和/数据线写到存储单元中。在读数据时，只要把数据线和/数据线的状态读走即可。由于读、写操作不是同时进行的，所以输入和输出数据可以共用同一数据线。17第16章 数据的保存16.3.2 SRAM的存的存储单元元欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXSRAM由许多存储单元组成的，拿一个容

21、量为88bits的SRAM来说，如图，同一行的存储单元都共用一个位选线，每一对数据线和/数据线都与同一列的存储单元连接，并经过缓冲后作为数据进入/传出存储器的通道。18第16章 数据的保存16.3.3 ASRAM（异步（异步SRAM）欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXASRAM是“异步SRAM”，它是RAM的一种，它的操作与系统时钟不同步。为了演示它的内部结构和操作方法，我们用一个容量

22、为32K8bits的SRAM为例，型号为CY62256。19第16章 数据的保存16.3.3 ASRAM（异步（异步SRAM）欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX在读操作中，选定地址上的8位数据将出现在数据线上。在写操作中，数据线上的数据将被保存到选定的地址上。读、写操作共用同一组数据线I/O0I/O7（管脚1119），在读操作中数据线作输出线使用，在写操作中数据线作输入线使用。由CY6

23、2256的地址线数量（15位）知道它共有215=32768个地址，也就相当于有32768行存储单元，而8位数据线表明它每行存储单元有8位。所以CY62256的容量为32768bytes（32768=32K，K=1024），或者说成32Kbytes，也可以说32K8bits。20第16章 数据的保存16.3.3 ASRAM（异步（异步SRAM）欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX存储器的读

24、、写操作由读写控制端/WE（27管脚）来决定：/WE=1为读操作，/WE=0为写操作。在读CY62256的数据时（/WE=1=1），参考时序图。首先给地址线A0A14一个有效的地址，并持续一个很短的时间。在存储器的技术手册中，把这个有效地址的持续时间称为读周期时间，用tRC表示。tRC因器件不同而异，对于CY62256来说，tRC55ns。接着，分别令使能端/CE（20管脚）和输出使能端/OE（22管脚）为低电平，在tOE（输出使能访问时间，对于CY62256来说，tOE55ns。接着，分别令使能端/CE和读写控制端/WE为低电平。需要保持低电平的时间称为写脉冲宽度，用tWP表示（对于CY62

25、256来说，tWP40ns）。当要向写入CY62256的数据出现在数据线I/O0I/O7上之后，/WE需要保持低电平的时间长度为tDW（有效数据至写操作结束时间，对于CY62256来说，tDW60ns）。而在/WE变高之后有效数据需要在数据线I/O0I/O7上保持的时间称为数据保持时间，用tDH来表示。在一个写操作周期中，有一个字节长度的数据写入指定的存储器地址上。22第16章 数据的保存16.3.4 SB SRAM（同步爆（同步爆发式式SRAM）欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroll

26、er编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXSBSRAM是“同步爆发式静态RAM”。当单片机给地址线A0A14送出地址时，地址寄存器将其锁住，同时把最低两位地址A0、A1送到爆发逻辑中。在接下来的时钟脉冲信号中，爆发逻辑会把00、01、10、11分别与A0、A1相加，这样就形成了4对新的最低两位地址，图中记作A0和A1。由于1对最低两位地址A0、A1生成了4对A0、A1，于是使地址解码器在地址线A0A14不变的情况下实现4个存储单元地址的访问，从而提高了存储器的访问效率。23第16章 数据的保存16.3.5 Cache存存储器（高速器（高速

27、缓冲存冲存储器）器）欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXSRAM的一个最主要的用途就是在计算机中作cache存储器（高速缓冲存储器）。cache存储器也称为缓存，它通常是容量很小但是速度很高的存储器，用来保存内存送来的最近要执行的指令或数据。cache控制器可以把内存中最近要执行的指令或数据先读到cache存储器中。由于cache存储器与处理器等使用同一时钟信号，以及SRAM的特点使它有

28、很高的访问速度。所以等处理器使用到这些指令或数据时直接从cache存储器中获得而比直接去访问内存要快得多。24第16章 数据的保存16.3.6 DRAM的存的存储单元元欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXDRAM的存储单元把数据保存在一个小电容里，这样的结构是非常简单的，使得DRAM在有限的空间里集成更多的存储单元。同等的物理尺寸下，DRAM的容量比SRAM大得多。但是正是使用了小电容保

29、存数据，DRAM的最大问题在于当小电容放电后数据就丢失了，DRAM如果不定期刷新，其中的数据就会丢失。图示为一个典型的DRAM存储单元，它由一个MOSFET和一个电容组成。MOSFET相当于一个开关，控制着数据写入电容或者从电容中读取。25第16章 数据的保存16.3.6 DRAM的存的存储单元元欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXDRAM存储单元的操作。其中读写控制线R/W控制是写操作

30、或是读操作：当R/W=0时为写数据，R/W=1时为读数据。在图（a）中，R/W=0使得输入缓冲器使能而输出缓冲器屏蔽，为写数据过程。数据1（高电平）从输入线DIN进入，经过输入缓冲器后到达位线上。由于行线为高电平，所以MOSFET导通，位线上的数据1（高电平）通过MOSFET对电容充电。当电容充电完成后，数据1就保存在了其中。26第16章 数据的保存16.3.6 DRAM的存的存储单元元欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯Nok

31、esL王玉凤WangY刘湘黔LiuX在图（b）中，数据0（低电平）通过输入缓冲器到达位线，此时MOSFET也是导通的。如果原来电容没有充电，则数据0（低电平）不给它充电，依然保持着数据0；如果原来电容充有电，则电容将按图中箭头所示的方向放电，放电完成后就相当于数据0（低电平）保存在其中。27第16章 数据的保存16.3.6 DRAM的存的存储单元元欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX在图

32、（c）中，读写控制线R/W=1，输入缓冲器屏蔽而输出缓冲器使能，为读数据过程。行线的高电平使MOSFET导通，这样电容与位线导通，通过输出缓冲器也就把数据输出到了输出线DOUT上。28第16章 数据的保存16.3.6 DRAM的存的存储单元元欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX在图（d）是刷新数据的过程。R/W=1，行线的高电平仍旧使MOSFET导通。刷新线亦为高电平，于是刷新缓冲器使能

33、。电容中的数据通过输出缓冲器来到输出线DOUT上，同时也会加到刷新缓冲器上。而刷新缓冲器的输出与位线相连，又会经过MOSFET让电容充电，如图中的箭头所示。这个充电过程实现了DRAM存储单元中数据的刷新。29第16章 数据的保存16.4 ROMs16.4.1 ROM家族家族欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXROM家族中的主要成员：maskROM是一类数据在ROM生产过程中就被写入并永久

34、保存的存储器。PROM可以由用户向其中写入数据，但是一般只能写一次，写完后数据就被永久保存不能再被擦除或更改。EPROM可以多次用紫外线对其中数据进行擦除而写入新的数据。EEPROM直接用电信号就可以实现数据的擦除与写入。Flash存储器是一种高密度的非易失性存储器，被广泛应用在今天的数据存储设备中。30第16章 数据的保存16.4.2 Mask ROM欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔Liu

35、XMaskROM是“掩膜只读存储器”，MaskROM在生产时厂家会按照客户的要求把数据保存在其中，一旦maskROM生产出来后，其中的数据是无法被修改的，所以通常存储一些不用修改的数据信息。例如投影仪开机时显示的品牌名称和标志、计算机开机时显示的主板版本和厂商信息等。图示是maskROM的存储单元保存1和0两种数据的结构示意图。图（a），MOSFET的G极与行连接，当行为高电平时，MOSFET导通，列与+VDD连通为高电平，即呈现数据1。图（b），在maskROM的生产时破坏了MOSFET的G极（栅极）与行的连接，MOSFET终止截止，所以列始终为低电平，即呈现数据0。31第16章 数据的保存

36、16.4.3 PROM欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXPROM是“可编程只读存储器”，它在编程结束后（写入数据后），只能读取其中的数据而不能擦除或修改。也就是说，用户可以在新买回来的PROM器件写入数据，写入完毕后PROM就像一个maskROM使用。图示是PROM的存储单元，其中最重要的结构是在每个存储单元上连接MOSFET与列线的熔丝（fusiblelink，符号为）。新买回来的P

37、ROM中，每一个存储单元中的熔丝都是完好的，即每一个存储单元在被访问时MOSFET导通，列线均为高电平（数据1）。当用户需要向PROM中写入数据时，也就是对PROM进行编程。只要把数据0对应的存储单元上的熔丝烧断，而数据1对应的存储单元不作任何操作，这样，PROM就形成了用户所需数据，此时PROM活脱脱地变成了一个maskROM，不能再进行数据的修改而只能被读取。32第16章 数据的保存16.4.3 PROM欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强Zhang

38、Y主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX需要编程器来“烧写”PROM。要编程的PROM插到编程器的器件插座中，锁好后可从计算机上把要烧写的数据下载到编程器执行PROM的烧写过程。一般只需要几秒几十秒就可以完成一个器件的烧写。33第16章 数据的保存16.4.4 UV EPROM欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXEPROM是“可擦除可编程序只读存储器”。顾名思义，EPR

39、OM不但在新买回来时可以往里面烧写数据，还可以在任何时候把数据擦除掉，再往其中写入新的数据。所以，EPROM是一种可以重复编程的ROM器件。EPROM有两种主要类型的器件，一是使用紫外线进行擦除的UVEPROM，二是使用电信号进行擦除的EEPROM。UVEPROM的器件外壳上有一个石英材料制成的透明小窗口。34第16章 数据的保存16.4.4 UV EPROM欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔

40、LiuX当高强度的紫外线照射到这个小窗口上大概20分钟，UVEPROM内的数据就会被擦除，所有存储单元中的数据又回到器件新买回来时的状态全部为1。需要一个紫外线擦除器。其内部有一个紫外线灯管和定时电路。使用时，把UVEPROM器件放到小抽屉中，器件的透明小窗口朝上，然后把小抽屉推进擦除器里。打开开关，紫外线灯管就放射出紫外线，过一段时间后定时电路提示UVEPROM器件擦除完毕。35第16章 数据的保存16.4.5 EEPROM（E2PROM）欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编

41、著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX虽说UVEPROM可进行多次擦写，但是每次擦除都需要紫外线擦除器和花一定的时间毕竟不甚方便。于是使用电信号就能实现数据擦除和写入的EEPROM极大方便了数据存储的需要。EEPROM是“电可擦可写只读存储器”的意思。有时也把EEPROM写成 E2PROM。EEPROM的擦除不需要什么紫外线擦除器，直接用电信号就能实现存储器中数据的擦除和写入。单片机就可以对EEPROM进行数据的擦除和写入，并在掉电后仍然保存这些数据。36第16章 数据的保存16.4.6 F欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片

42、机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXFlash存储器满足了大容量、非易失性、在线擦写、快速访问、廉价的要求。Flash存储器的存储单元比较特别，其中的MOSFET有两层栅极，一个是控制栅极（简称栅极），另一个是浮动栅。这种结构又称为叠栅结构。当浮动栅上有大量电子存在时，存储单元保存的是数据0（图（a）；而当浮动栅上只有少数电子或没有电子时，存储单元保存的是数据1（图（b）。浮动栅上的电子数量决定了MOSFET是否导通。37第16章 数据

43、的保存16.4.6 F欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXFlash的操作有3种：擦除操作、编程操作（也就是写操作）、读操作。擦除操作。擦除就是把Flash中的数据给抹去，使所有的存储单元都变成1。通过栅极接地（0）和给S极加一个擦除电压+VERASE，浮动栅上的电子因为+VERASE的吸引而逃离，结果浮动栅电子缺失而使存储单元变成了1。在Flash编程操作之前都会先对所有存储单元进行擦

44、除操作。38第16章 数据的保存16.4.6 F欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX编程操作（写操作）。经过擦除操作后，所有Flash存储单元都为1。在编程操作中，如果想让某个存储单元为0，则在栅极施加一个编程电压+VPROG，同时S极接地。这样由于+VPROG的吸引，电子从S极跑到了浮动栅中，于是存储单元保存了0。而如果想让存储单元保存1，则保留擦除之后的状态即可。39第16章 数据的

45、保存16.4.6 F欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX读操作。在读Flash存储单元的数据时，向栅极施加读取电压+VREAD，如果存储单元中保存的是0，则浮动栅上大量的电子会使MOSFET截止，这样D-S极之间并没有电流通过而在S极上表现低电平，说明读出的是数据0；如果存储单元中保存的是1，则浮动栅少量的电子并不影响+VREAD使MOSFET导通，于是D-S极之间出现电流而在S极上表现

46、高电平，说明读出的是数据1。40第16章 数据的保存16.4.6 F欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXFlash存储器正是由以上的存储单元与比较器等电路构成的，每一次只有一行被访问。如果某一个存储单元保存的是1，在读操作时会因MOSFET的导通使对应的位线产生电流，从而在有效负载上产生压降。这个压降在比较器中与参考电压相比会在数据线上输出1。如果存储单元保存的是0，位线上就不会有电流，

47、于是比较器的输出为0。41第16章 数据的保存16.4.7 Flash存存储器与其他存器与其他存储器的比器的比较欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯NokesL王玉凤WangY刘湘黔LiuXFlash存储器与PROM、EPROM、EEPROM相比。PROM在第一次编程之后就不能再修改其中的数据了。UVEPROM虽然可多次编程，但是在擦除时需要把它从电路中取出放到紫外线擦除器中。EEPROM虽说能够在线用电信号进行擦写，但是它的存

48、储单元复杂，在同样物理尺寸下集成度比PROM或UVEPROM要低得多，这就导致了单位容量成本的提高。而Flash存储器可在线轻易地被擦写，由于它的存储单元也只有一个MOSFET，所以其集成度与PROM或UVEPROM没有什么两样。Flash存储器与SRAM相比。SRAM是一类易失性存储器，它需要恒定的电源来保持其中的数据。实际应用中，系统会使用一个备用电池在系统断电后给SRAM供电以防止数据的丢失。而且SRAM的存储单元由多个MOSFET组成（图16-11），可想它的集成度也不会高到哪里去。而Flash就不同了，它在保证高集成度的同时，还可以在掉电后保持其中的数据不会丢失。Flash存储器与D

49、RAM相比。DRAM虽然集成度不错，但是它仍然是一类易失性存储器，同样需要持续的电源来保持其中的数据。另外，其存储单元中的电容结构（图16-17）要求不断刷新才能防止数据的丢失。Flash克服了DRAM需要刷新的问题，而且其高集成度和廉价的特点今天已经被广泛作为数码产品的硬盘。42第16章 数据的保存16.5 单片机与片外程序存片机与片外程序存储器器16.5.1 片外程序存片外程序存储器器欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontroller编著：杨欣YangX张延强ZhangY主审：莱诺克斯No

50、kesL王玉凤WangY刘湘黔LiuX片外程序存储器可以使用EEPOM或Flash存储器。以EEPROM（型号：M28C64）为例，M28C64的容量为8K8bits，地址线为A0A12，数据线为DQ0DQ7。写操作使能/WE（27管脚）、器件使能/CE（20管脚）、输出使能/OE（22管脚）和就绪/忙标志位RB（1管脚）为存储器的4个控制/状态管脚。M28C64的工作电压为+5V。43第16章 数据的保存16.5.2 单片机的片机的EA/VPP端端欢迎访问“电路飞翔网”获取更多信息实例解读51单片机完全学习与应用Allyouneedtoknowaboutthe8051microcontrol