(精品模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案.pdf
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1、模拟电子技术基础-胡宴如-自测题答案最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除模模 拟拟 电电 子子 技技 术术胡宴如(第胡宴如(第 3 3 版)自测题版)自测题第第 1 1 章章 半导体二极管及其基本应用半导体二极管及其基本应用1 11 1 填空题填空题1半导体中有空穴空穴和自由电子自由电子两种载流子参与导电。2本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N N 型半导体,其多数载流子是电子电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P P 型半导体,其多数载流子是空穴空穴。3PN 结在正偏正偏时导通反偏反偏时截止,这种特性称为单向导电单向导电性。4当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大增大,正向压降
2、将减小减小。5整流电路是利用二极管的单向导电单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿反向击穿特性实现稳压的。6发光二极管是一种通以正向正向电流就会发光发光的二极管。7光电二极管能将光光信号转变为电电信号,它工作时需加反向反向偏置电压。8测得某二极管的正向电流为 1 mA,正向压降为 0.65 V,该二极管的直流电阻等于 650 650,交流电阻等于 26 26。1 12 2 单选题单选题1杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(C C)。A温度 B掺杂工艺 C掺杂浓度 D晶格缺陷2PN 结形成后,空间电荷区由(D D)构成。A价电子 B自由电子 C空穴 D杂
3、质离子精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除3硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B B)。A减小 B基本不变 C增大4流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将(C C)。A增大 B基本不变 C减小5变容二极管在电路中主要用作(D D)。、A整流 B稳压 C发光 D可变电容器1 13 3 是非题是非题1在 N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。()2因为 N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()3二极管在工作电流大于最大整流电流 IF时会损坏。()4只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。()1 14 4 分析
4、计算题分析计算题1电路如图 T11 所示,设二极管的导通电压 UD(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压 Uo值。解:解:(a)(a)二极管正向导通,所以输出电压二极管正向导通,所以输出电压U U0 0(6(60.7)V0.7)V5.3 V5.3 V。(b)(b)令二极管断开,可得令二极管断开,可得U UP P6 V6 V、U UN N10 V10 V,U UP PUUpUpU UN2N2,故,故V V1 1优先导通后,优先导通后,V V2 2截止,所以输出电压截止,所以输出电压U U0 00.7 V0.7 V。2电路如图 T12 所示,二极管具有理想特性,已知 ui(sint)V,试对应
5、画出 ui、u0、iD的波形。解:输入电压解:输入电压u ui i为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零,即零,即u u0 00 0,而流过二极管的电流,而流过二极管的电流i iD Du ui iR R,为半波正弦波,其最大值,为半波正弦波,其最大值I IDmDm10 V10 V1 k1 k10 mA10 mA;当;当u ui i为负半周时,二极管反偏截止,为负半周时,二极管反偏截止,i iD D0 0,u u0 0u ui i为为半波正弦波。因此可画出电压半波正弦波。因此可画出电压u u0 0电流电流i iD D的波形如图的波形如图
6、(b)(b)所示。所示。精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除3稳压二极管电路如图 T13 所示,已知 UZ5 V,IZ5 mA,电压表中V和电流表A1、A2流过的电流忽略不计。试求当开关 s 断开和闭合时,电压表读数分别为多大?解:当开关解:当开关S S断开,断开,R R2 2支路不通,支路不通,I IA2A20 0,此时,此时R R1 1与稳压二极管与稳压二极管V V相串相串联,因此由图可得联,因此由图可得IA1U1U2(185)V 6.5mA IZR12K可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为5 V5
7、 V。当开关当开关S S闭合,令稳压二极管开路,可求得闭合,令稳压二极管开路,可求得R R2 2两端压降为两端压降为UR2R20.5U118 3.6 UZR1 R220.5故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,R R1 1、R R2 2构成串构成串联电路,电流表联电路,电流表A A1 1、A A2 2的读数相同,即的读数相同,即IA1 IA2U118V 7.2mAR1 R2(20.5)K而电压表的读数,即而电压表的读数,即R R2 2两端压降为两端压降为3.6 V3.6 V。第第 2 2 章章 半导体三极管及其基本应用半导体三极
8、管及其基本应用2 21 1 填空题填空题1晶体管从结构上可以分成 PNP PNP 和 NPNNPN 两种类型,它工作时有 2 2 种载流子参与导电。2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏正偏,集电结反偏反偏。3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大放大、饱和饱和、截截止止。精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除 4当温度升高时,晶体管的参数增大增大,ICBO增大增大,导通电压 UBE减减小小。5某晶体管工作在放大区,如果基极电流从 10A变化到 20A时,集电极电流从 1mA 变为 1.99 mA,则交流电流放大系数约为 99 99。6某晶体
9、管的极限参数 ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压 UCE=10V时,工作电流 IC不得超过 10 10 mA;当工作电压 UCE=1V时,IC不得超过 20 20 mA;当工作电流 IC=2 mA 时,UCE不得超过 3030 V。7场效应管从结构上可分为两大类:结型结型、MOSMOS;根据导电沟道的不同又可分为 N N沟道沟道、P P沟道沟道两类;对于 MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型耗尽型、增强型增强型。8UGS(off)表示夹断夹断电压,IDSS表示饱和漏极饱和漏极电流,它们是耗尽耗尽型场效应管的参数。2
10、 22 2 单选题单选题 1某 NPN 型管电路中,测得 UBE=0 V,UBC=5 V,则可知管子工作于(C)状态。A放大 B饱和 C截止 D不能确定2根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为(B B )。ANPN型低频小功率硅晶体管 BNPN 型高频小功率硅晶体管 CPNP 型低频小功率锗晶体管 DNPN 型低频大功率硅晶体管3输入(C C)时,可利用 H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除4(D D )具有不同的低频小信号电路模型。ANPN型管和 P
11、NP 型管 B增强型场效应管和耗尽型场效应管 CN沟道场效应管和 P 沟道场效应管 D晶体管和场效应管5当 UGS0 时,(B B )管不可能工作在恒流区。AJFET B增强型 MOS 管 C耗尽型 MOS 管 DNMOS 管6下列场效应管中,无原始导电沟道的为(B B)。AN沟道 JFET B增强AI PMOS 管 C耗尽型 NMOS 管 D耗尽型 PMOS 管2 23 3 是非题是非题 1可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。()2MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。()3EMOS 管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。()4结型场效应管外加的栅源电压应使
12、栅源间的 PN 结反偏。()5场效应管用于放大电路时,应工作于饱和区。()2 24 4 分析计算题分析计算题 1图 T21 所示电路中的晶体管为硅管,试判断其工作状态。精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除解:解:(a)U(a)UBEBE=U=UB BU UE E0.70.70 00.7V0.7V,发射结正偏;,发射结正偏;U UBCBC=U=UB BU UC C0.70.73 32.3 V2.3 V,集电结反偏,集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。因此晶体管工作在放大状态。(b)U (b)UBEBE=U=UB BU UE E2 23 31V1V,发射结反偏;
13、,发射结反偏;U UBCBC=U=UB BU UC C2 25 53 V3 V,集电结反偏,集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。因此晶体管工作在截止状态。(c)U (c)UBEBE=U=UB BU UE E3 32.32.30.7V0.7V,发射结正偏;,发射结正偏;U UBCBC=U=UB BU UC C3 32.62.60.4V0.4V,集电结正偏,集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。因此晶体管工作在饱和状态。(d)(d)该管为该管为PNPPNP型晶体管型晶体管U UEBEB=U=UE EU UB B(2)2)(2.7)2.7)0.7V0.7V,发射结正偏;,发射结正偏;U UCBCB=U
14、=UC CU UB B(5)5)(2.7)2.7)2.3V2.3V,集电结反偏,集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。因此晶体管工作在放大状态。2图 T22 所示电路中,晶体管均为硅管,=100,试判断各晶体管工作状态,并求各管的 IB、IC、UCE。解:解:(a)(a)方法一:方法一:精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除IB(60.7)V 0.053mA100K设晶体管工作在放大状态,则有设晶体管工作在放大状态,则有 I IC CIIB B100100 0.0530.0535.3mA5.3mAU UCECE12125.35.3 3 33.9 V03.9 VI
15、IBSBS,所以晶体管处于饱和状态,因而有,所以晶体管处于饱和状态,因而有I IB B0.053 mA0.053 mA、I IC CI ICSCS3.9 mA3.9 mA、U UCECEU UCE(Sat)CE(Sat)0.3 V0.3 V(b)(b)IB(60.7)V 0.0084mA 8.4A510K设晶体管工作在放大状态,则有设晶体管工作在放大状态,则有 I IC C10100 0 0.008 4 mA0.008 4 mA0.84 mA0.84 mA U UCECE5 V5 V0.840.84 3 32.48 V U2.48 V UCE(Sat)CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态,故
16、上述假设成立,计算结果正确。说明晶体管工作在放大状态,故上述假设成立,计算结果正确。(c)(c)基极偏压为负电压,发射结和集电结均反偏,所以晶体管截止,则基极偏压为负电压,发射结和集电结均反偏,所以晶体管截止,则I IB B0 0,I IC C0 0,U UCECE5 V5 V精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除3放大电路如图 T23所示,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零,试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。解:解:(a)(a)将将C C1 1、C C2 2断开,即得直流通路如下图断开,即得直流通路如下图(a)(a)所示;将所示;将C C
17、1 1、C C2 2短路、直短路、直流电源对地短接,即得交流通路如下图流电源对地短接,即得交流通路如下图(b)(b)所示;将晶体管用小信号电路模型代所示;将晶体管用小信号电路模型代人,即得放大电路小信号等效电路如下图人,即得放大电路小信号等效电路如下图(c)(c)所示。所示。(b)(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图路如下图(a)(a)、(b)(b)、(c)(c)所示。所示。精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除4场效应管的符号如图 T24所示,试指出各场效应管的
18、类型,并定性画出各管的转移特性曲线。解:解:(a)(a)为为P P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管,它的转移特性曲线如下图管,它的转移特性曲线如下图(a)(a)所示,其特所示,其特点是点是u uGSGS0 0时,时,i iD DI IDSSDSS (b)(b)为为N N沟道增强型沟道增强型MOSMOS管,它的转移特性曲线如下图管,它的转移特性曲线如下图(b)(b)所示,其特点所示,其特点是是u uGSGS0 0时,时,i iD D0 0 (c)(c)为为N N沟道结型场效应管,它的转移特性曲线如下图沟道结型场效应管,它的转移特性曲线如下图(c)(c)所示,其特点是所示,其特点是u uGSGS
19、0 0时,时,i iD DI IDSSDSS,且,且u uG GS S 0 0精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除第第 3 3 章章 放大电路基础放大电路基础3 31 1 填空题填空题1放大电路的输入电压 Ui10 mV,输出电压 U01 V,该放大电路的电压放大倍数为 100100,电压增益为 4040dB。2放大电路的输入电阻越大,放大电路向信号源索取的电流就越小小,输入电压也就越大大;输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越小小,放大电路的负载能力就越强强。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压同同相,电压放大倍数近似为 1 1,输入电阻大大,输出电阻小
20、小。4差分放大电路的输入电压 Ui11 V,Ui20.98 V,则它的差模输入电压Uid 0.02 0.02 V,共模输入电压 UiC 0.990.99V。5差分放大电路对差模差模输入信号具有良好的放大作用,对共模共模输入信号具有很强的抑制作用,差分放大电路的零点漂移很小。6乙类互补对称功放由 NPNNPN 和 PNPPNP 两种类型晶体管构成,其主要优点是效率高效率高。7两级放大电路,第一级电压增益为 40 dB,第二级电压放大倍数为 10倍,则两级总电压放大倍数为 10001000 倍,总电压增益为 6060 dB。精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除8
21、集成运算放大器输入级一般采用差分差分放大电路,其作用是用来减小零点漂移零点漂移。9理想集成运算放大器工作在线性状态时,两输入端电压近似相等相等,称为虚短虚短;输入电流近似为 0 0,称为虚断虚断。10集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端反相反相,后者的极性与输出端同相同相。3 32 2 单选题单选题1测量某放大电路负载开路时输出电压为 3 V,接入 2 k的负载后,测得输出电压为 1 V,则该放大电路的输出电阻为(D D )k。A0.5 B1.0 C2.0 D42为了获得反相电压放大,则应选用(A A )放大电路。A共发射极 B共集电极 C共基极
22、D共栅极3为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合,可以在信号源与负载之间接入(B B )放大电路。A共发射极 B共集电极 C共基极 D共源极4放大电路如图 T31所示,已知 RSRD,且电容器容量足够大,则 该放大电路两输出电压 u0l与 u02之间的大小关系为(B B )。A u0l=u02 Bu0l=u02 C u0lu02 D u0lu02精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除5选用差分电路的原因是(A A )。A减小温漂 B提高输入电阻 C减小失真 D稳定放大倍数6差分放大电路中适当增大公共发射极电阻,将会使电路的(D D )增大。A差模电压增益 D
23、共模电压增益 C差模输入电阻 D共模抑制比7功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高(B B )。A输出功率 B放大器效率 C放大倍数 D负载能力8由两管组成的复合管电路如图 T32 所示,其中等效为 PNP 型的复合管是(A )。9OTL电路负载电阻 RL10,电源电压 VCC=10 V,略去晶体管的饱和压降,其最大不失真输出功率为(B B )W。A10 B,5 C2.5 D1.25精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除10集成运算放大器构成的放大电路如图 T33 所示,已知集成运算放大器最大输出电压 Uom10 V,ui5 V,则该放大电路的输出电压为(C
24、 )V。A-5 B0 C5 D103 33 3 是非题是非题1放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无关。()2共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相,输入电阻不是很大而且输出电阻又较大,故很少应用。,()3单端输出的具有电流源的差分放大电路,主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。()4乙类互补对称功率放大电路输出功率越大,功率管的损耗也越大,所以放大器效率也越小。()5OCL电路中输入信号越大,交越失真也越大。()6直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。()3 34 4 分析计算题分析计算题精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵
25、权请联系网站删除1放大电路如图 T34所示,已知晶体管的 UBEQ0.7 V,99,rbb200,各电容在工作频率上的容抗可略去。试:(1)求静态工作点 ICQ、UCEQ;(2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路,求出 rbe;(3)求电压放大倍数 Auuoui及输入电阻 Ri、输出电阻 R0。解:解:(1)(1)求求I ICQCQ、U UCEQCEQ、I IBQBQ电路构成分压式电流负反馈偏置电路,所以电路构成分压式电流负反馈偏置电路,所以UBQRB210VCC12V 2.79VRB1 RB21033ICQ IEQUBQUBEQRE2.790.71mA2UCEQVCC ICQ(RC RE)
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