模拟集成电路复习.pdf

《模拟集成电路复习.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟集成电路复习.pdf（3页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、-1、研究模拟集成电路的重要性：（1）首先，MOSFET 的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快；（2）SOC 芯片发展的需求。2、模拟设计困难的原因：（1）模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度和功耗之间折衷；（2）模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多；（3）器件的二级效应对模拟电路的影响比数字电路要严重得多；（4）高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动综合和布局的。3、鲁棒性就是系统的健壮性。它是在异常和危险情况下系统生存的关键。所谓“鲁棒性”，是指控制系统在一定的参数摄动下，维持*些性能的特性。4、版图设

2、计过程：设计规则检查（DRC）、电气规则检查（ERC）、一致性校验（LVS）、RC分布参数提取5、MOS 管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn 结必须反偏6、沟道为夹断条件：7、（1）截止区：Id=0；VgsVthVgsVth（2）线性区的 NMOSFET（0 VDS VGS0 VDS VGSVTVT）（3）饱和区的 MOSFET（VDSVDS VGS VGSVTVT）8、栅极跨导 gm：是表征栅-源电压对于输出漏极电流控制作用强弱的一个重要的参数，它反映了器件的小信号放大性能，希望越大越好。9、体效应：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位

3、相同，当 VB 变得更负时，Vth 增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值电压。10、11、亚阈值导电性：当Vgs 下降到低于 Vth 时器件突然关断。实际上，Vgs=Vth 时，一个“弱”的强反型仍然存在，并有一些源漏电流。当 Vgs1/gm，I ID D为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出 V Vinin则 Gm1/RS，所以漏电流是输入电压的线性函数。所以相对于基本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性。4.在传输电流为零的情况下，MOS 器件也可能导通么？说明理由。解：可能。当V VDSDS 2 2(V VGSGS V VTHTH)时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流.z.