模拟电子技术学习笔记.pdf

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1、本证半导体本证半导体：纯净晶体结构的导体。常用的有硅和锗。在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为空穴空穴。空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流空穴电流。N N 型半导体型半导体：在本征半导体中加入+5 价的元素，（磷，锑，砷）。使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个游离的电子，N 型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。电子受力移动，留下施主杂质带正电（不参与导电）。所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少数载流子有共价键提供，其浓度取决于温度。整个半导体内先电中性。本征半导体+微量正 3 价元素，晶格

2、内形成共价键时，少电子而多空穴，即为多数载流子。电子则为少数载流子。P 型半导体杂质元素称为受主杂质，在外界能量的作用下形成空穴的移动，留下带负电的杂质离子。主要靠空穴导电，P 型与 N 型的交界处形成 PN 结。PN 结交界两侧电子与空穴浓度差悬殊，产生扩散运动。电子由N 向 P 移动，形成 P 向 N 的电子电流。交界 P,N分别留下（漂移）了不能移动且显负，正的杂质离子，从而形成N 向 P 的自建电场，阻碍了扩散运动，中将达到二者平衡。当达到平衡时，扩散运动与漂移运动的作用相等，通过界面的总载流子数为零，PN 结的电流为 0；PN 结交界区形成一个高阻区，称为耗尽层。扩散电容P 接电源高

3、电压，N 接电源低电压，正向电压外加电场与自建场方向相反，阻挡层变窄，促进多子扩散，PN 结导通。势垒电容N 接电源高电压，P 接电源低电压外加电场与自建场方向相同，阻挡层变宽，促进少子漂移，PN 结截止，电流方向与正向偏置时相反，称为反向电流。少子成小电流，反向电流很小。反向电压超过 0.几 V 时少子基本在电场作用下，形成漂移电流，少子不因为电压变大而增多，反向电流基本不变，即饱和电流。反向电压PN 结的导电性电压超过门限值，PN结击穿击穿不一定PN 结的损坏雪奔击穿（碰撞击穿）少子能量过大，与原子碰撞，从而形成电子空穴对。如此连锁反应，反向电流快速增加。击穿特性齐纳击穿（电场击穿）原子间

4、的价电子直接拉出，形成电子空穴对，反向电流急剧增加。稳压二极管工作在击穿条件下，反向电流变化大，电压却变化很小，即具有稳压性。二极管的应用：限幅电路门电路欢迎下载2三极管的结构及类型无论是 PNP 还是 NPN 型的三极管，都包含三个区：发射区(c)、基区(b)和集电极区(e)。集电结发射结正向反向三极管的接法：正向反向饱和状态反向放大放大状态截止状态IEeIBbICccbIBeIEICbIBICeIEc(a)共基极(b)共发射极(c)共集电极Ie=Ic+Ib(共基极电流放大系数，共发射极电流放大系数)1：发射结(c)重掺杂。三极管的放大作2：基区(e)很薄。用3：集电极面积大。欢迎下载31：当 Uce 不变时，输入回路中的电流Ib 与电压 Ube 之间的关系曲线称为输入特性三极管的特性曲线：2：当 Ib 不变时，输出回路中的电流Ic 与电压 Uce 之间的关系曲线称为输出特性直流分析：即静态分析，基极电流Ib、集电极电流 Ic=Ib，Uce。电容开路(先画出直流通路)电感短路信号源短路共设极的电路：1、输入电压与输出电压反相。2、顶部失真，输入回路就出现开始失真。（饱和）Uce 减小到极限3、底部失真，输入端 Ib 没失真，在输出出现失真。（截止）Uce 增静态工作点不合适大到极限近似等于 Vcc不失真，不失真，整个周期，三极管处在放大区。整个周期，三极管处在放大区。欢迎下载4