《晶体生长工艺》PPT课件.ppt
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1、Contents单单 晶晶 生生 长长 工工 艺艺培训人:培训人:单晶炉单晶炉 FT-CZ2008型单晶炉 操作柜 单晶生长条件单晶生长条件Concept只有在一定的过冷度下,晶核才只有在一定的过冷度下,晶核才会自行长大会自行长大.一般过冷度越大一般过冷度越大,晶核晶核容易长大容易长大,结晶就更容易结晶就更容易首先首先,要具有一定要具有一定大小的晶核大小的晶核其次其次,有一定的过冷度有一定的过冷度(熔态温度低于熔点的度熔态温度低于熔点的度)多晶转化为单晶的条件多晶转化为单晶的条件:1.在熔体中加入一个晶核在熔体中加入一个晶核,也就是籽晶也就是籽晶.2.控制一定的过冷温度,此过冷度只允许所加入的
2、唯一晶核控制一定的过冷温度,此过冷度只允许所加入的唯一晶核长大长大,并不再产生新的晶核并不再产生新的晶核单晶生长温度分布场单晶生长温度分布场v横向上横向上,晶棒边缘温度高晶棒边缘温度高于中心温度于中心温度.v纵向上,熔体内部温度纵向上,熔体内部温度高于表面温度高于表面温度.v一般来说一般来说,结晶界面的纵结晶界面的纵向温度梯度应适当的大向温度梯度应适当的大,使单晶生长有足够的动使单晶生长有足够的动力力.生长界面的横向温度生长界面的横向温度梯度应尽量少一些,保梯度应尽量少一些,保持界面平坦持界面平坦.但这个大小但这个大小都有一定的限度都有一定的限度,纵向梯纵向梯度过大产生晶格缺陷度过大产生晶格缺
3、陷,横横向温度过小易使单晶转向温度过小易使单晶转化为多晶化为多晶.晶体生长工艺晶体生长工艺装料时要仔细检查有装料时要仔细检查有无氧化残渣,石英坩无氧化残渣,石英坩埚有无裂纹埚有无裂纹,装料一般装料一般遵循遵循”小大中小大中”的原则的原则,也就是碎片和最小的也就是碎片和最小的料放在埚底料放在埚底,最大的料最大的料放中间放中间,适中的料放最适中的料放最上面上面炉子不工作时炉子不工作时,应应该保持真空状态,该保持真空状态,,以免炉内石墨器以免炉内石墨器件吸水件吸水,影响真空影响真空度度拉晶过程中拉晶过程中,出事故出事故被迫停炉时被迫停炉时,坩埚升坩埚升到最高位置到最高位置,避免因避免因硅膨胀而碰坏加
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