模电ppt课件模电.ppt
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1、 3.1 3.1 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 3.2 3.2 场效应管放大电路场效应管放大电路场效应管放大电路场效应管放大电路第三章第三章 场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路第三章第三章 场效应管放大电路场效应管放大电路内容:内容:1.介绍介绍场效应管的场效应管的结构、工作原理、伏安特性及主要参数。结构、工作原理、伏安特性及主要参数。2.介绍基本放大电路。介绍基本放大电路。教学基本要求:教学基本要求:1.了解场效应管的基本结构,熟练掌握场效应管的伏安特性了解场效应管的基本结构,熟练掌握场效应管的伏安特性及主要参数。及主要参数。2.掌握场效应管与双极型
2、三极管的相同点和不同点掌握场效应管与双极型三极管的相同点和不同点。3.理解理解放大电路放大电路的工作原理及的工作原理及放大电路放大电路的分析方法。的分析方法。一一、场效应管的分类场效应管的分类 场效应管场效应管 (FET)增强型增强型 绝缘栅型绝缘栅型(MOSFET)N 沟道沟道P 沟道沟道结结 型型(JFET)N 沟道沟道P 沟道沟道耗尽型耗尽型N 沟道沟道P 沟道沟道耗尽耗尽型型概概 述述 场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。半导体器件。二、二、MOSFET与与JFET的主要区别的主要区别 JFET:利用外加电场来控制半导体内的电
3、场效应。利用外加电场来控制半导体内的电场效应。通过改变通过改变PN结耗尽层的宽度,改变导电沟道的宽窄结耗尽层的宽度,改变导电沟道的宽窄来控制输出电流。来控制输出电流。MOSFET:利用外加电场来控制半导体表面的电场效利用外加电场来控制半导体表面的电场效应。通过改变感生沟道的宽窄来控制输出电流。应。通过改变感生沟道的宽窄来控制输出电流。耗尽型与增强型的耗尽型与增强型的主要区别主要区别 耗尽型耗尽型:场效应管没有外加栅极电压时,已存在导电:场效应管没有外加栅极电压时,已存在导电沟道。沟道。增强型增强型:场效应管在外加栅极电压超过一定时,才有:场效应管在外加栅极电压超过一定时,才有导电沟道。导电沟道
4、。三、场效应管与三极管的三、场效应管与三极管的相同点和不同点相同点和不同点场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。器件。*三极管利用多数载流子和少数载流子工作,起着导电作三极管利用多数载流子和少数载流子工作,起着导电作用,属于双极型器件。用,属于双极型器件。*场效应管只利用多数载流子的工作,起着导电作用,属场效应管只利用多数载流子的工作,起着导电作用,属于单极型器件。于单极型器件。通过本章节的分析讨论,了解并掌握场效应管的控制特通过本章节的分析讨论,了解并掌握场效应管的控制特性、基本放大电路及电路特点。性、基本放大电路及电路特点。1
5、.基本结构基本结构 图图3.1.1 N沟道增强型沟道增强型绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管 (a)基本结构基本结构 (b)表示符号表示符号 3.1.1 3.1.1 N N 沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管3.1 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管DBGS(b)分析:分析:主要讨论主要讨论 uGS对对iD 的控制作用。的控制作用。(1)导电沟道的建立导电沟道的建立图图3.1.2 N沟道增强型导沟道增强型导MOS管导电沟道的建立管导电沟道的建立 2.工作原理工作原理 3.1.1 3.1.1 N N 沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增
6、强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管(2)uDS对对iD的影响的影响 图图3.1.3 uDS对导电沟道和对导电沟道和iD的影响的影响(a)uDS较小较小(b)uDS=uGS-UT(c)uDSuGS-UT 3.1.1 3.1.1 N N 沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管 2.工作原理工作原理 uGD=uGS-uDS 当当uDSuGD=uGS-uDS=UT(3)uGS对对iD的控制作用的控制作用 MOS管在正常工作情况下,管在正常工作情况下,uDS、UT是确定的,是确定的,式中:式中:IDO为为uGS=2UT时的时的iD值值 在满足上式的情
7、况下,只要改变在满足上式的情况下,只要改变uGS的值,就有一个的值,就有一个确定的确定的iD与之对应,从而实现与之对应,从而实现uGS对对iD的控制。故称的控制。故称MOS管为管为电压控制电压控制元件。元件。且:且:uDS uGS-UT 3.1.1 3.1.1 N N 沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管 2.工作原理工作原理3.特性曲线特性曲线(1)转移特性转移特性表述:表述:当漏源电压当漏源电压uDS为某一为某一固定值时,栅源电压固定值时,栅源电压uGS和漏和漏极电流极电流iD之间的关系曲线,之间的关系曲线,称为称为转移特性转移特性。也就
8、是栅源。也就是栅源电压电压uGS 对漏极电流对漏极电流iD 的控的控制特性制特性 。表达式:表达式:(a)转移特性转移特性图图3.1.4(a)N沟道增强型沟道增强型 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管 的特性曲线的特性曲线 3.1.1 3.1.1 N N 沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管(2)输出特性输出特性表述:表述:当栅源电压当栅源电压uGS 一定的情况下,漏极电一定的情况下,漏极电流流iD与漏源电压与漏源电压uDS之间之间的关系曲线,称为的关系曲线,称为输出输出特性特性。表达式:表达式:(b)输出特性输出特性图图3.1.4(b)N沟道增强
9、型沟道增强型 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管 的特性曲线的特性曲线区区区区区区区区3.特性曲线特性曲线 3.1.1 3.1.1 N N 沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管沟道增强型绝缘场效应管1.基本结构基本结构 图图3.1.5是是N 沟道耗尽型沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构绝缘栅场效应管的结构示意图。制造时在二氧化硅绝缘层中渗入大量的正示意图。制造时在二氧化硅绝缘层中渗入大量的正离子,在它的作用下,即使离子,在它的作用下,即使uGS=0 时,时,在两在两个个N型型区之间形成原始区之间形成原始N型导电沟道。型导电沟道。图图3.1.5 N沟道耗尽型沟道耗尽型绝缘栅场
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