第3章场效应晶体管和基本放大电路课件.ppt

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1、第第3 3章章 场效应晶体管和场效应晶体管和 基本放大电路基本放大电路3.1 3.1 场效应晶体管场效应晶体管3.2 3.2 场效应管放大电路场效应管放大电路作业作业作业作业思考：思考：3-1习题：习题：3-3、3-4、3-7、3-11本章的重点本章的重点与与难点难点重点重点重点重点:理解场效应管的工作原理；理解场效应管的工作原理；掌握掌握场效应管的外特性及主要参数；场效应管的外特性及主要参数；掌掌握握场场效效应应管管放放大大电电路路静静态态工工作作点点与与动动态态参参数数（Au、Ri、Ro）的分析方法。）的分析方法。难点难点难点难点:通通过过外外部部电电压压对对导导电电沟沟道道的的控控制制作

2、作用用说说明明结结型型场效应管及绝缘栅型场效应管的工作原理。场效应管及绝缘栅型场效应管的工作原理。分类：分类：分类：分类：结型结型结型结型(JFET)(JFET)绝缘栅型绝缘栅型绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)(IGFET)场效应管输入回路内阻很高场效应管输入回路内阻很高(1071012)，热稳定，热稳定性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。仅靠多数载流子导电，又称仅靠多数载流子导电，又称仅靠多数载流子导电，又称仅靠多数载流子导电，又称单极型单极型单极型单极型晶体管。晶体管。晶体管。晶体管。场效应管场效应管场效应管场效应管（FETFET）：是利用输入回路

3、的电场是利用输入回路的电场是利用输入回路的电场是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。3.1 3.1 场效应晶体管场效应晶体管3.1.1 3.1.1 结型场效应管结型场效应管 N沟道结型场效应管是在同沟道结型场效应管是在同一块一块N型半导体上制作两个高型半导体上制作两个高掺杂的掺杂的P区，将它们连接在一区，将它们连接在一起引出电极起引出电极栅极栅极g。N型半导体型半导体分别引出分别引出漏极漏极d、源极源极s，P区区和和N区的交界面形成耗尽层。区的交界面形成

4、耗尽层。源极和漏极之间的非耗尽层称源极和漏极之间的非耗尽层称为导电沟。为导电沟。N沟道结构示意图沟道结构示意图SiO2N源极源极S栅极栅极G漏极漏极D NNPP结型场效应管有结型场效应管有N沟道沟道和和P沟道沟道两种类型两种类型。1.1.结型场效应管的结构结型场效应管的结构结型场效应管的结构结型场效应管的结构结型场效应管的符号结型场效应管的符号结型场效应管的符号结型场效应管的符号N沟道符号沟道符号dsgdsgP沟道符号沟道符号2.2.2.2.工作原理电压控制作用工作原理电压控制作用工作原理电压控制作用工作原理电压控制作用d耗尽层耗尽层sgP+N导电沟道导电沟道结构示意图结构示意图(以以N沟道为

5、例加以说明沟道为例加以说明)在在N型硅材料两端加型硅材料两端加上一定极性的电压，多子上一定极性的电压，多子在电场力的作用下形成电在电场力的作用下形成电流流ID。若将若将G、S间加上不间加上不同的反偏电压，即可改变同的反偏电压，即可改变导电沟道的宽度，便实现导电沟道的宽度，便实现了利用电压所产生的电场了利用电压所产生的电场控制导电沟道中电流强弱控制导电沟道中电流强弱的目的。的目的。正常工作时：正常工作时：在栅在栅-源之间加负向电压源之间加负向电压，(保证耗尽层承受反向电压保证耗尽层承受反向电压)漏漏-源之间加正向电压源之间加正向电压，(以形成漏极电流）以形成漏极电流）这样既保证了栅这样既保证了栅

6、-源之间的源之间的电阻很高，又实现了电阻很高，又实现了UGS对对沟道电流沟道电流ID的控制。的控制。d耗尽层耗尽层sgP+N导电沟道导电沟道结构示意图结构示意图1)1)1)1)当当当当U UDSDS=0=0时，时，时，时，U UGSGS对导电沟道的控制对导电沟道的控制对导电沟道的控制对导电沟道的控制当当UGS=0时，时，耗尽层很窄耗尽层很窄,导导电沟道宽。电沟道宽。随随|UGS|增大，耗增大，耗尽层增宽，沟道变尽层增宽，沟道变窄，电阻增大。窄，电阻增大。|UGS|增加到某一增加到某一数值数值,耗尽层闭和耗尽层闭和,沟道消失沟道消失,沟道沟道电阻趋于无穷大。电阻趋于无穷大。定义此时定义此时UGS

7、的的值为值为夹断电压夹断电压夹断电压夹断电压U UGSGS（offoff）由于由于由于由于PNPN结反偏，栅极电流基本为结反偏，栅极电流基本为结反偏，栅极电流基本为结反偏，栅极电流基本为0 0，消耗很小。，消耗很小。，消耗很小。，消耗很小。dsgUDSID2 2 2 2）、间短路，、间加正向电压）、间短路，、间加正向电压）、间短路，、间加正向电压）、间短路，、间加正向电压 当当 UDS=0时，虽有导时，虽有导电沟道，但电沟道，但ID为为零。零。当当UDS 0时时，产生，产生ID，但但沟道中各点和栅极之沟道中各点和栅极之沟道中各点和栅极之沟道中各点和栅极之间电压不再相等间电压不再相等间电压不再相

8、等间电压不再相等，近漏，近漏极电压最大，近源极电极电压最大，近源极电压最小。压最小。导电沟道宽度不再相导电沟道宽度不再相等，近漏极沟道窄，近等，近漏极沟道窄，近源极沟道宽。源极沟道宽。dsgUDSID 随着随着UDS增加，栅增加，栅-漏漏电压电压|UGD|增加，近漏端增加，近漏端沟道进一步变窄。沟道进一步变窄。只要只要漏极附近的耗尽漏极附近的耗尽区区不出现不出现相接相接，沟道电阻沟道电阻沟道电阻沟道电阻基本决定于基本决定于基本决定于基本决定于U UGSGS。随着随着UDS 的增加，的增加，ID线性线性增加增加。dsds间间间间呈电阻特性呈电阻特性呈电阻特性呈电阻特性。UDSdsgAID预夹预夹

9、预夹预夹断断断断时时时时，导电导电导电导电沟道内沟道内沟道内沟道内仍有仍有仍有仍有电电电电流流流流I ID D 。随着随着UDS增加，增加，当当UGD=UGS-UDS=UGS（off）时时,靠近漏极出现夹断点。靠近漏极出现夹断点。称称U UGDGD=U UGSGS（offoff）为预夹为预夹为预夹为预夹断。断。断。断。UDSdsgAID 预夹断之后，预夹断之后，UDS 再增加，再增加，预夹断延伸预夹断延伸,夹断区长度增夹断区长度增加（加（AA）。夹断区的阻力）。夹断区的阻力增大。增大。此此时时的的ID称称为为“饱饱和漏极和漏极电电流流IDSS”A 由于由于由于由于U UDSDS的增加几乎全部落

10、的增加几乎全部落的增加几乎全部落的增加几乎全部落在在在在夹夹夹夹断区，漏极断区，漏极断区，漏极断区，漏极电电电电流流流流I ID D基本基本基本基本保持不保持不保持不保持不变变变变。UGS 增加，使增加，使导电导电沟道沟道变变窄，、窄，、间间的正的正电压电压使使沟道不等沟道不等宽宽。导电导电导电导电沟道沟道沟道沟道夹夹夹夹断后，断后，断后，断后，I ID D几乎几乎几乎几乎仅仅仅仅仅仅仅仅决定于决定于决定于决定于U UGSGS而与而与而与而与U UDSDS 基基基基本无关。本无关。本无关。本无关。当当当当U UGSGS一定一定一定一定时时时时，I ID D表表表表现现现现出出出出恒流特性恒流特

11、性恒流特性恒流特性。此。此时时可以把可以把ID近近似看成似看成UGS控制的控制的电电流源。流源。dsgUDSUGSID3 3）、）、）、）、间间间间加加加加负负负负向向向向电压电压电压电压，、，、，、，、间间间间加正向加正向加正向加正向电压电压电压电压（综合（综合（1 1）（）（2 2）两种情况）两种情况）称场效应管为称场效应管为称场效应管为称场效应管为电压控制元件电压控制元件电压控制元件电压控制元件。1 1）U UGDGD U UGSGS（offoff）时时时时（未出现夹断前）（未出现夹断前）,对于不同对于不同的的UGS，漏源之间等效成不同阻值的电阻，漏源之间等效成不同阻值的电阻，ID随随U

12、DS 的增加的增加 线性线性增加增加。（。（对应可变电组区对应可变电组区对应可变电组区对应可变电组区）2 2）U UGDGD=U UGSGS（offoff）时，漏源之间预夹断时，漏源之间预夹断时，漏源之间预夹断时，漏源之间预夹断。3 3）U UGDGD U UGSGS（offoff）。）。）。）。特点：可通过改变特点：可通过改变特点：可通过改变特点：可通过改变U UGSGS来改变漏源间电阻值。来改变漏源间电阻值。来改变漏源间电阻值。来改变漏源间电阻值。1)1)可可可可变电变电变电变电阻区：阻区：阻区：阻区：IDUDS 条件：条件：条件：条件：U UGDGD 0 0 0 0 U UDSDS =0

13、=0=0=0：由于绝缘层由于绝缘层SiO2的存在，的存在，栅极电流为零。栅极金属栅极电流为零。栅极金属层将聚集大量正电荷，排层将聚集大量正电荷，排斥斥P型衬底靠近型衬底靠近SiO2的空的空穴，形成耗尽层。穴，形成耗尽层。第第1章章 1.43 3）U UGSGS继续增加继续增加继续增加继续增加,U UDSDS =0=0=0=0:耗尽层增宽耗尽层增宽,将衬底的自将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间。形成层之间。形成N型薄层，称型薄层，称为反型层。这个反型层就构为反型层。这个反型层就构成了漏源之间的导电沟道。成了漏源之间的导电沟道。UGS越大，反型层越厚，越大，反型层越厚

14、，导电沟道电阻越小。导电沟道电阻越小。P衬底衬底BN+N+SGD反型层反型层 使导电沟道刚刚形成的栅使导电沟道刚刚形成的栅使导电沟道刚刚形成的栅使导电沟道刚刚形成的栅-源电压称为源电压称为源电压称为源电压称为开启电压开启电压开启电压开启电压U UGS(thGS(th)。第第1章章 1.4 将产生一定的漏极将产生一定的漏极电流电流ID。沟道中各点沟道中各点对栅极电压不再相等，对栅极电压不再相等，导电沟道宽度不再相等，导电沟道宽度不再相等，沿源沿源-漏方向逐渐变窄。漏方向逐渐变窄。ID随着的随着的U UDSDS增加而线增加而线性增大。性增大。P衬底衬底BN+N+SGD4 4）U UGSGS U U

15、GS(thGS(th)，U UDSDS 0 0：第第1章章 1.45 5）U UGSGS U UGS(thGS(th),U UGDGD =U UGS(thGS(th)：随着随着UDS的增大，的增大，UGD减小，减小，当当UDS增大到增大到UGD=U UGS(thGS(th)时时 ，导电沟道在漏极一端产生夹断，导电沟道在漏极一端产生夹断，称为称为预夹断预夹断预夹断预夹断。P衬底衬底BN+N+SGD 若若UDS继续增大，夹断区延继续增大，夹断区延长。漏电流长。漏电流ID几乎不变化，几乎不变化，管子进入恒流区。管子进入恒流区。ID几乎仅几乎仅仅决定于仅决定于UGS。此时可以把此时可以把I ID D近

16、似看成近似看成近似看成近似看成U UGSGS控制的电流源控制的电流源控制的电流源控制的电流源。4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10VN N沟道增强型沟道增强型 MOS MOS 管的特性曲线管的特性曲线 0123恒流区恒流区击击穿穿区区可可变变电电阻阻区区246UGS/V（3）特性曲线特性曲线UGs(th)输出特性输出特性转移特性转移特性 UDS/VID/mA夹断区夹断区ID和和和和UGS的近似关系：的近似关系：的近似关系：的近似关系：IDO是是UGS=2UGS(th)时的时的ID。UDS=10V0123246UGS/VUGs(th)ID/mAI IDODO制造

17、时制造时,在在sio2绝缘层中掺入绝缘层中掺入大量的正离子大量的正离子,即使即使UGS =0=0，在正离子的作用下，源在正离子的作用下，源-漏之漏之间也存在导电沟道。只要加间也存在导电沟道。只要加正向正向U UDSDS ，就会产生就会产生ID。只有当只有当U UGSGS小于某一值时，才小于某一值时，才会使导电沟道消失，此时的会使导电沟道消失，此时的U UGSGS称为称为夹断电压夹断电压U UGS(GS(off)off)。结构示意图结构示意图P源极源极S漏极漏极D 栅极栅极GBN+N+正离子正离子反型层反型层SiO22.N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管管(1)(1)结结结结构构构构dN沟道符

18、号沟道符号BsgP沟道符号沟道符号dBsgMOSMOSMOSMOS管管管管符号符号符号符号DBSGN沟道符号沟道符号DBSGP沟道符号沟道符号耗尽型耗尽型MOSMOS管管符号符号增强型增强型MOSMOS管管符号符号432104812UGS=1V2V3V输出特性输出特性转移特性转移特性N N N N沟道耗尽型沟道耗尽型沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOSMOSMOS管的特性曲线管的特性曲线管的特性曲线管的特性曲线 1230V1012123 UGS/V（2）特性曲线特性曲线 ID UGSUGs(off)UDS/VUDS=10VID/mAID/mA场场场场效效效效应应应应管管管管的的的的符符符符号号号号

19、及及及及特特特特性性性性结型结型N沟道沟道结型结型P沟道沟道NMOS增强型增强型NMOS耗尽型耗尽型PMOS增强型增强型PMOS耗尽型耗尽型（+）（+）（+）（+）（-）（-）（-）（-）例：例：例：例：测测得某放大得某放大电电路中三个路中三个MOS管的三个管的三个电电极的极的电电位及它位及它们们的开启的开启电压电压如表所示。如表所示。试试分析各管的工分析各管的工作状作状态态（截止区、恒流区、可（截止区、恒流区、可变电变电阻区）。阻区）。管号管号UGS(th)/VUS/V UG/V UD/V工作状工作状态态T14-513T2-43310T3-4605恒流区恒流区截止区截止区可变电阻区可变电阻区

20、3.1.3 场效应管的主要参数场效应管的主要参数1.1.直流参数直流参数直流参数直流参数 （1 1）开启）开启）开启）开启电压电压电压电压U UGS(thGS(th)UDS为为固定固定值值能能产产生漏极生漏极电电流流ID所需的所需的栅栅-源源电压电压UGS的的最小最小值值,它是它是增增强强型型MOS管的参数管的参数。（。（NMOS管管为为正，正，PMOS管管为负为负）（2 2）夹夹夹夹断断断断电压电压电压电压 U UGS(off)GS(off)UDS为为固定固定值值使漏极使漏极电电流近似等于零流近似等于零时时所需的所需的栅栅-源源电电压压。是。是结结型型场场效效应应管和耗尽型管和耗尽型MOS管

21、管的参数的参数（NMOS管管为负为负，PMOS管管为为正）。正）。（4 4）直流输入电阻直流输入电阻直流输入电阻直流输入电阻R RGSGS（DCDC）栅栅-源电压与栅极电流的比值，其值很高源电压与栅极电流的比值，其值很高,一般为一般为107-1010左右。左右。（3 3）饱和漏极电流）饱和漏极电流）饱和漏极电流）饱和漏极电流I IDSSDSS 对于对于耗尽型耗尽型MOS管管,在在UGS=0情况下产生情况下产生 预夹断时预夹断时的漏极电流。的漏极电流。2.2.交流参数交流参数交流参数交流参数gm=iD/uGS UDS=常数常数 gm是衡量栅是衡量栅-源电压对漏极电流控制能力的一个源电压对漏极电流

22、控制能力的一个重要参数。重要参数。（1 1）低频跨导）低频跨导）低频跨导）低频跨导 g gmm管子工作在恒流区并且管子工作在恒流区并且 UDS为常数时，漏极电流的为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅微变量与引起这个变化的栅-源电压的微变量之比称源电压的微变量之比称为低频跨导为低频跨导,即即2.2.交流参数交流参数交流参数交流参数（2 2）交流输出电阻）交流输出电阻）交流输出电阻）交流输出电阻r rdsdsrds反映了反映了UDS对对ID的影响，是输出特性曲线上的影响，是输出特性曲线上Q点处切点处切线斜率的倒数线斜率的倒数 rds在在恒流区很大。恒流区很大。3.3.极限参数极限参数极限参

23、数极限参数 (1)(1)最大漏极最大漏极最大漏极最大漏极电电电电流流流流I IDM DM 管子正常工作管子正常工作时时漏极漏极电电流的上限流的上限值值。(2)(2)最大漏源最大漏源最大漏源最大漏源电压电压电压电压U U DS(BR)DS(BR)管子管子进进入恒流区后，使漏极入恒流区后，使漏极电电流流骤骤然增加的然增加的UDS称称为为漏漏-源源击击穿穿电压电压。(管子的极限参数，使用时不可超过。管子的极限参数，使用时不可超过。管子的极限参数，使用时不可超过。管子的极限参数，使用时不可超过。)(3)(3)最大最大最大最大栅栅栅栅源源源源电压电压电压电压U U GS(BR)GS(BR)对对于于结结型

24、型场场效效应应管，使管，使栅栅极与沟道极与沟道间间反向反向击击穿的穿的UGS称称为栅为栅-源源击击穿穿电压电压。对对于于绝缘栅绝缘栅型型场场效效应应管，使管，使绝缘栅层击绝缘栅层击穿的穿的UGS称称为栅为栅-源源击击穿穿电压电压。(4)(4)最大耗散功率最大耗散功率最大耗散功率最大耗散功率P P DMDMPDM决定于管子允决定于管子允许许的温升。的温升。(管子的极限参数，使用时不可超过。管子的极限参数，使用时不可超过。管子的极限参数，使用时不可超过。管子的极限参数，使用时不可超过。)1.场效应管场效应管利用栅源电压控制漏极电流，利用栅源电压控制漏极电流，是是电压电压控制控制元件元件，栅极基本不

25、取电流（很小），栅极基本不取电流（很小），输输入回路入回路电电阻阻很大很大；晶体管晶体管利用基极电流控制集电极电流，利用基极电流控制集电极电流，是是电电流控制元件流控制元件，基极索取一定电流，基极索取一定电流，输输入阻抗入阻抗较较小小。场效应管的栅极场效应管的栅极g g、源极源极s s、漏极漏极d d对应于晶体管的基对应于晶体管的基极极b b、发射极、发射极e e、集电极集电极c c，能实现对信号的控制。能实现对信号的控制。3.1.4 场场效效应应管与双极型晶体管的管与双极型晶体管的 比比 较较2.晶体管的放大倍数通常比场效应管大。晶体管的放大倍数通常比场效应管大。3.场效应管只有多子导电，而

26、晶体管多子和少子均场效应管只有多子导电，而晶体管多子和少子均参与导电，场效应管比晶体管热稳定性好、抗辐射参与导电，场效应管比晶体管热稳定性好、抗辐射能力强。能力强。4.场场效效应应管比晶体管噪声系数小。管比晶体管噪声系数小。5.场场效效应应管源极、漏极可以互管源极、漏极可以互换换使用，互使用，互换换后特性后特性变变化不大；而晶体管的化不大；而晶体管的发发射极和集射极和集电电极互极互换换后特性后特性差异很大差异很大,一般不能互一般不能互换换使用。使用。6.场效应管的种类比晶体管多，特别对于耗尽型场效应管的种类比晶体管多，特别对于耗尽型MOS管，栅管，栅-源控制电压可正可负，均能控制漏极源控制电压

27、可正可负，均能控制漏极电流。电流。7.管的管的栅栅极极绝缘绝缘，外界感，外界感应电应电荷不易泄放。荷不易泄放。8.场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，但场效应管具有集成工艺简单，工作电源电压范但场效应管具有集成工艺简单，工作电源电压范围宽，耗电省、低功耗等特点，目前越来越多的围宽，耗电省、低功耗等特点，目前越来越多的应用于集成电路中。应用于集成电路中。3.2 场场效效应应管放大管放大电电路路 场效应管放大电路与晶体管电路的比较场效应管放大电路与晶体管电路的比较1.1.1.1.相同之处相同之处相同之处相同之处2.2.2.2.不同之处不同之处不同

28、之处不同之处能实现对信号的控制；能实现对信号的控制；三种组态相对应；三种组态相对应；分析方法相同。分析方法相同。为实现放大，对为实现放大，对FETFET，在栅极回路加适当偏压；在栅极回路加适当偏压；而对而对BJTBJT则加适当的偏流。则加适当的偏流。场效应管放大电路也必须场效应管放大电路也必须建立合适的静态工作点，建立合适的静态工作点，保证有输入信号时工作在保证有输入信号时工作在恒流区。恒流区。3.2 场场效效应应管放大管放大电电路路3.2.1场场效效应应管放大管放大电电路的直流偏置及静路的直流偏置及静态态分析分析1.1.1.1.自给偏压电路自给偏压电路自给偏压电路自给偏压电路此电路形式只适用

29、于此电路形式只适用于耗尽型耗尽型MOS器件。器件。静静态时态时RG的的电电流近似流近似为为零，靠源极零，靠源极电电阻上阻上的的电压为删电压为删-源提供一源提供一个个负负偏偏压压。1.1.1.1.自给偏压电路自给偏压电路自给偏压电路自给偏压电路静态工作点分析静态工作点分析静态工作点分析静态工作点分析 （栅极电流为栅极电流为0）（耗尽型（耗尽型MOS管管的的电电流方程）流方程）.分压式偏置电路分压式偏置电路分压式偏置电路分压式偏置电路电电路路结结构构直流通路直流通路静态工作点分析静态工作点分析静态工作点分析静态工作点分析（栅极电流为（栅极电流为0）IDQ UGSQ（增（增强强型型MOS管管的的电电

30、流方程）流方程）解：解：（求静（求静态态，电电容开路）容开路）。（本例（本例IDQ不不应应大于大于IDSS).用微变等效电路法分析场效应管用微变等效电路法分析场效应管放大电路的动态参数放大电路的动态参数 场效应管的交流低频小信号模型场效应管的交流低频小信号模型场效应管的交流低频小信号模型场效应管的交流低频小信号模型求全微分求全微分与与分析晶体管的分析晶体管的h h参数等效模型相同，将场效应管也参数等效模型相同，将场效应管也看成两端口网络。看成两端口网络。低频小信号模型低频小信号模型g gmm是是输出回路电流与输入回路电压之比，称跨导输出回路电流与输入回路电压之比，称跨导,电导量纲。电导量纲。r

31、ds是是描述描述MOS管输出特性曲线上翘程度的参数，等管输出特性曲线上翘程度的参数，等效为电阻，在几十效为电阻，在几十几百千欧几百千欧之间。通常之间。通常 rds可视为开可视为开路。路。将将将将输输输输出回路只等效出回路只等效出回路只等效出回路只等效为为为为一个受控一个受控一个受控一个受控电电电电流源流源流源流源。sdg+_.UgsgmUgsMOSMOSMOSMOS管简化交流等效模型管简化交流等效模型管简化交流等效模型管简化交流等效模型耗尽型（结型）：耗尽型（结型）：增强型：增强型：Q点不仅影响电路是否失点不仅影响电路是否失真真,还影响动态参数。还影响动态参数。可以可以可以可以证证证证明：明：

32、明：明：应用微变等效电路分析法分析应用微变等效电路分析法分析场效应管放大电路场效应管放大电路（）（）（）（）共源放大电路共源放大电路共源放大电路共源放大电路 （从漏极输出）（从漏极输出）（从漏极输出）（从漏极输出）微变等效电路微变等效电路 电压增益电压增益电压增益电压增益输入电阻输入电阻输入电阻输入电阻输出电阻输出电阻输出电阻输出电阻例例-图3-14电路中令电路中令CS和和RL开路，开路，计算计算、和和解：先画出微变等效电路解：先画出微变等效电路gsdUiUoRGRG1RG2RD+-RS图3-14共源电路的电压增益比共射共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大。电路小，输入电阻大。gsdUi

33、UoRGRG1RG2RD+-RS（）共漏放大电路（）共漏放大电路（）共漏放大电路（）共漏放大电路 （从源极（从源极（从源极（从源极输输输输出）出）出）出）(,(,源极跟随器源极跟随器)微变等效电路微变等效电路1)1)电压增益电压增益电压增益电压增益2)2)输入电阻输入电阻输入电阻输入电阻3)3)输出电阻输出电阻输出电阻输出电阻（断开负载，输入信号短路，输出端（断开负载，输入信号短路，输出端加电压，求输出电流。）加电压，求输出电流。）共漏极输出共漏极输出电阻较小。电阻较小。例例-图示电路图示电路1)求静态工作点求静态工作点IDQ和和UGSQ2)计算计算、和和解解:1)求静态参数：求静态参数：把把

34、IDQ的表达式代入的表达式代入gm表达式可求出：表达式可求出：2)2)求求求求动态动态动态动态参数参数参数参数 场效应管放大电路的三种接法场效应管放大电路的三种接法 （以（以N沟道结型场效应管为例）沟道结型场效应管为例）共源电路共源电路 共漏电路共漏电路 共栅电路共栅电路 场效应管的三种基本接法共源、共漏和共场效应管的三种基本接法共源、共漏和共栅分别与双极型晶体管的共射、共集和共基栅分别与双极型晶体管的共射、共集和共基对应，相应的输出量与输入量之间的大小和对应，相应的输出量与输入量之间的大小和相位关系一致。可以实现反相电压放大、电相位关系一致。可以实现反相电压放大、电压跟随、电流跟随的功能。压跟随、电流跟随的功能。1.已知场效应管的三个电极电位，会判断已知场效应管的三个电极电位，会判断管子工作在何种状态。管子工作在何种状态。2.共源、共漏基本放大电路的静态分析计共源、共漏基本放大电路的静态分析计算与动态（算与动态（Au、Ri、Ro)分析计算。分析计算。本章基本要求本章基本要求重点掌握重点掌握