尼曼半导体物理与器件第十章综述课件.ppt

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1、高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件0高等半导体物理高等半导体物理与器件与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件1主要内容主要内容双端双端MOS结构构电容容-电压特性特性MOSFET基本工作原理基本工作原理频率限制特性率限制特性小小结第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件210.1 双端双端MOS结构构MOSFET的核心的核心为一个称一个称

2、为MOS电容的容的金属金属-氧化物氧化物-半半导体体结构构金属可是铝或其他金属，金属可是铝或其他金属，更为通用的是多晶硅更为通用的是多晶硅图中图中tox是氧化层厚度，是氧化层厚度，ox是氧化层介电常数是氧化层介电常数基本基本MOS电容结构电容结构第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件3（1）能带图）能带图借助平行板电容器加以解释借助平行板电容器加以解释借助平行板电容器加以解释借助平行板电容器加以解释加加了了负负栅栅压压的的p型型衬衬底底MOS电电容容器器的的电电场场，存存在在空空穴堆积层穴堆积层加了负栅压的加了

3、负栅压的p型衬底型衬底MOS电容器的能带图电容器的能带图第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件4加加了了小小的的正正栅栅压压的的p型型衬衬底底MOS电电容容器器的的电电场场，产产生生空间电荷区空间电荷区加加小小正正栅栅压压的的p型型衬衬底底MOS电电容容器器的能带图的能带图第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件5随着随着正栅压的增大正栅压的增大，半导体与氧化物接触的表面处能带，半导体与氧化物接触的表面处能带继续弯曲，出现导带距费

4、米能级更近，呈现出继续弯曲，出现导带距费米能级更近，呈现出n型半导体型半导体特点，从而产生了氧化物特点，从而产生了氧化物-半导体界面处的半导体界面处的电子反型层电子反型层。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件6对于对于n型衬底型衬底MOS电容器电容器正栅压正栅压小负栅压小负栅压第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件7随着随着负栅压的增大负栅压的增大，半导体与氧化物接触的表面呈现出，半导体与氧化物接触的表面呈现出p型半导体特点，

5、从而产生了氧化物型半导体特点，从而产生了氧化物-半导体界面处的半导体界面处的空穴空穴反型层反型层。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件8（2）耗尽层厚度）耗尽层厚度电势电势 fp是是EFi和和EF之之间间的的势垒势垒高度：高度：表面势表面势 s是体内是体内EFi与表面与表面EFi之之间间的的势垒势垒高度，是横跨空高度，是横跨空间电间电荷区的荷区的电势电势差。因此，空差。因此，空间电间电荷区荷区宽宽度可度可类类似似单边单边pn结结，写，写为为第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效

6、应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件9p型半导体在型半导体在阈值反型点阈值反型点时的能带图时的能带图表面处的电子浓度等于体内的空穴浓度，该条件称为表面处的电子浓度等于体内的空穴浓度，该条件称为阈值反型阈值反型点点，所加栅压为，所加栅压为阈值电压阈值电压。当外加当外加栅压栅压大于大于这这一一值值之后，其之后，其变变化所引起的空化所引起的空间电间电荷区荷区变变化很小。空化很小。空间电间电荷区最大荷区最大宽宽度度xdT为为第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件10对于对于n型衬底型衬底MOS电容器电容

7、器电势电势 fn同同样样是是EFi和和EF之之间间的的势垒势垒高度：高度：第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件电电子子反反型型电电荷荷密密度度与与表表面面电电势势的的关关系系第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础11（3）表面电荷浓度）表面电荷浓度由第由第4章中可知，章中可知，导带导带中的中的电电子子浓浓度写度写为为p型半型半导导体体衬衬底，底，电电子反型子反型电电荷荷浓浓度写度写为为其中，其中，s是表面是表面电势电势超超过过2 fp的部分。的部分。则则，电电子反型

8、子反型电电荷荷浓浓度可写度可写为为其中，反型其中，反型临临界点的表面界点的表面电电荷密度荷密度nst为为高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件12（4）功函数）功函数金属金属-半导体功函数差定义为：半导体功函数差定义为：第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件13（5）平带电压）平带电压定义定义：当半导体内没有能带弯曲时所加的栅压。此时净空间：当半导体内没有能带弯曲时所加的栅压。此时净空间电荷为零。电荷为零。前面的讨论中前面的讨论中假设氧化物中的净电荷为零假设氧化物中的净电荷为零，而通常为，而通常为正值的正值的

9、净固定电荷可存在于氧化物中靠近氧化物净固定电荷可存在于氧化物中靠近氧化物-半导体界面半导体界面。平带电压为平带电压为单位面积电荷数单位面积电荷数单位面积的栅氧化层电容单位面积的栅氧化层电容第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件14（6）阈值电压）阈值电压忽略反型层电荷忽略反型层电荷，由电荷守，由电荷守恒原理，可得恒原理，可得其中其中阈值电压定义阈值电压定义：达到阈值反型点时所需的栅压。：达到阈值反型点时所需的栅压。阈值反型点的定义阈值反型点的定义：对于：对于p型器件当型器件当 s2 fp时时或或对对于于n型器件

10、型器件当当 s2 fn时时的器件状的器件状态态。阈值电压可表示为：阈值电压可表示为：第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件15p型、型、n型型MOS电容器容器栅压比比较：p型型MOS电容器，容器，负栅压表明其表明其为耗尽型耗尽型器件；正偏器件；正偏栅压将将产生更多的反型生更多的反型层电荷荷电子。子。n型型MOS电容器，容器，负栅压表明其表明其为增增强型型器件；器件；负偏偏栅压将将产生更多的反型生更多的反型层电荷荷空穴。空穴。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半

11、导体物理与器件高等半导体物理与器件1610.2 电容电容-电压特性电压特性MOS电容结构是电容结构是MOSFET的核心的核心器件的电容定义器件的电容定义其中，其中，dQ为板上电荷的微分变量，它是穿过电容的电压为板上电荷的微分变量，它是穿过电容的电压dV的微分变量函数。的微分变量函数。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础17堆积模式堆积模式下栅压微变时的微分电荷分布下栅压微变时的微分电荷分布（1）理想）理想C-V特性特性堆积模式下

12、堆积模式下MOS电容器的单位电容电容器的单位电容C，即，即栅氧化层电容栅氧化层电容MOS电容器在电容器在堆积模式堆积模式时的能带图时的能带图toxox负栅压负栅压假设假设假设假设栅氧化层中和氧化层栅氧化层中和氧化层-半导半导体界面处均无陷阱电荷。体界面处均无陷阱电荷。高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件18C（耗尽层）随空间电（耗尽层）随空间电荷宽度的增大而减小荷宽度的增大而减小栅氧化电容与耗尽层电容串联，电压微小变化将导致栅氧化电容与耗尽层电容串联，电压微小变化将导致空间电荷空间电荷宽度宽度和和电荷密度电荷密度的微小变化。总电容为的微小变化。总电容为MOS电容在电容在耗尽模式耗尽模式时的

13、能带图时的能带图耗尽模式耗尽模式当栅压微变时的微分电荷分布当栅压微变时的微分电荷分布soxtox第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件19实线为理想实线为理想MOS电容器的净电容电容器的净电容平带平带由于达到阈值反型点时，空间电荷区宽度达到最大，此时由于达到阈值反型点时，空间电荷区宽度达到最大，此时强反型，理想情况，强反型，理想情况，MOS电容电压微小变化电容电压微小变化将导致将导致反型层电荷反型层电荷微分微分变量发生变化，而空间变量发生变化，而空间电荷宽度不变。电荷宽度不变。反型层电荷跟得上电容反型层电荷跟得

14、上电容电压变化电压变化，则总电容就，则总电容就是栅氧化电容是栅氧化电容p型衬底型衬底MOS电容电容低频低频第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件20通过通过改变电压坐标轴的符号改变电压坐标轴的符号，可得到，可得到n型衬底型衬底MOS电容器电容器的理的理想想C-V特性曲线。特性曲线。正偏压时为堆积模式正偏压时为堆积模式，负偏压时为反型模式负偏压时为反型模式。n型衬底型衬底MOS电容器理想电容器理想低频低频电容和栅压的函数关系图电容和栅压的函数关系图第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体

15、场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件21（2）频率特性）频率特性反型反型层层中的中的电电子子浓浓度不度不能瞬能瞬间发间发生改生改变变；高；高频频时时，只有金属和空，只有金属和空间电间电荷区中的荷区中的电电荷荷发发生改生改变变，MOS电电容器的容器的电电容就是容就是前面所述的前面所述的Cmin。反型层电荷密度改变的电子来源反型层电荷密度改变的电子来源：一是来自通过空间电荷区的一是来自通过空间电荷区的p型衬底中的少子电子的的扩散，型衬底中的少子电子的的扩散，即即反偏反偏pn结中理想饱和电流结中理想饱和电流的产生；的产生；二是在空间电荷区中由热运动形成的电子二是在空间电荷区中由热

16、运动形成的电子-空穴对，即空穴对，即pn结结中中反偏产生电流反偏产生电流。反型模式反型模式第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件22p型衬底型衬底MOS电电容器低频和高容器低频和高频电容与栅压频电容与栅压的函数关系图的函数关系图（3）固定栅氧化层和界面电荷效应）固定栅氧化层和界面电荷效应前面讨论的是理想情况下的前面讨论的是理想情况下的C-V特性，实际上特性，实际上固定的栅氧化层固定的栅氧化层电荷电荷或或氧化层氧化层-半导体界面的电荷半导体界面的电荷会改变会改变C-V特性曲线。特性曲线。第十章第十章 金属金属-氧

17、化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础23不不同同有有效效氧氧化化层层陷陷阱阱电电荷荷值值下下，p型型MOS电电容容器器高高频频电电容容与与栅栅压的函数关系图压的函数关系图氧化层界面处表明氧化层界面处表明界面态的示意图界面态的示意图高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础24当当MOS电容器偏置时电容器偏置时p型半导体中被表面态俘获的电荷及其能带图。型半导体中被表面态俘获的电

18、荷及其能带图。禁带中央禁带中央堆积模式堆积模式反型模型反型模型高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础25MOS电容器的高频电容器的高频C-V特性曲线，说明界面态效应特性曲线，说明界面态效应高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件2610.3 MOSFET基本工作原理基本工作原理MOS场效应晶体管的电路是由于场效应晶体管的电路是由于反型层反型层以及氧化层以及氧化层-半导体半导体界面相邻的界面相邻的沟道区沟道区中的电荷的流动形成。中的电荷的流动形成。（1）MOSFET结构结构MOSFET器件共有器件共有4种类型种类

19、型：n沟道增强型、沟道增强型、p沟道增强型、沟道增强型、n沟道耗尽型、沟道耗尽型、p沟道耗尽型。沟道耗尽型。增强的含义增强的含义：氧化层下面的半导体衬底在：氧化层下面的半导体衬底在零栅压时不是反零栅压时不是反型的型的。耗尽耗尽：栅压为零时栅压为零时氧化层下面氧化层下面已经存在沟道区已经存在沟道区。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件27n沟增强型沟增强型n沟耗尽型沟耗尽型第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础Bp沟增强型沟增强型p沟耗尽型沟耗尽型高等半导体物理与器件

20、高等半导体物理与器件28（2）电流）电流-电压关系电压关系概念概念图（图（a），此种偏置下，），此种偏置下，无电子反型层无电子反型层，漏，漏-衬底衬底pn结反偏，结反偏，漏漏电流为零电流为零（忽略（忽略pn结漏电流）。结漏电流）。图（图（b）电子反型层产生，加一较小）电子反型层产生，加一较小VDS，反型层电子从源流到，反型层电子从源流到漏，漏，电流从漏到源电流从漏到源；此理想情况，无电流从氧化层向栅流过。；此理想情况，无电流从氧化层向栅流过。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件29对于较小的对于较小的VDS，

21、沟道区具有电阻的特性沟道区具有电阻的特性式中，式中，gd为为VDS0时的时的沟道电导沟道电导。漏电压漏电压漏电流漏电流单位面积的反单位面积的反型层电荷数量型层电荷数量栅压的函数栅压的函数基本基本MOS晶体管的工作机理为晶体管的工作机理为栅压对沟道电导的调制作用，栅压对沟道电导的调制作用，而沟道电导决定漏电流而沟道电导决定漏电流当当VGSVT时，沟道反型层电荷时，沟道反型层电荷密度增大，从而增大沟道电导。密度增大，从而增大沟道电导。gd沟道宽度沟道宽度沟道长度沟道长度第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件30VG

22、SVT，VDS较小较小时，时，相对相对电荷密度电荷密度在沟道在沟道长度方向上为一长度方向上为一常数常数。随着随着VDS增大增大，漏端附，漏端附近的氧化层压降减小，近的氧化层压降减小，意味着意味着漏端附近反型层漏端附近反型层电荷密度也将减小电荷密度也将减小。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件31VDS增增大大到到漏漏端端氧氧化化层层压压降降为为VT时时，漏漏端端反反型型电电荷荷密密度度为为0，此时漏端电导为，此时漏端电导为0。VDS VDS（sat）时时，沟沟道道反反型型电电荷荷为为0的的点点移移向向源源端端

23、。在在电电荷荷为为零零的的点点处处，电电子子被被注注入入空空间间电电荷荷区区，并并被被电场扫向漏端。电场扫向漏端。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础漏端氧化层压降为漏端氧化层压降为VT时的时的VDS高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件32n沟道沟道增强型增强型MOSFET的的ID-VDS特性曲线特性曲线饱和区饱和区第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件33n沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET：一种情况一种情况n沟道是由金属沟道是由金属-半导体功函数差和固定氧化层

24、电荷生半导体功函数差和固定氧化层电荷生成的电子反型层；成的电子反型层；另一种情况另一种情况沟道是一个沟道是一个n型半导体区。型半导体区。负栅压负栅压可在氧化层下产生一空间电荷区，从而减小可在氧化层下产生一空间电荷区，从而减小n沟道区的沟道区的厚度，进而厚度，进而gd减小，减小，ID减小。减小。正栅压正栅压可产生一电子堆积层，从而增大可产生一电子堆积层，从而增大ID。为使器件正常截为使器件正常截止，沟道厚度必止，沟道厚度必须小于最大空间须小于最大空间电荷宽度电荷宽度第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件34（4）

25、跨导）跨导MOSFET的的跨跨导gm（晶体管增益）：（晶体管增益）：相相对栅压的漏的漏电流的流的变化化。MOSFET电路路设计中，晶体管的尺寸，尤其是中，晶体管的尺寸，尤其是沟道沟道宽度度W是一个重要的工程是一个重要的工程设计参数参数。（5）衬底偏置效应）衬底偏置效应前面讨论的情况，衬底（体）都于源相连并接地。前面讨论的情况，衬底（体）都于源相连并接地。在在MOSFET电路中，电路中，源和衬底不一定是相同电势源和衬底不一定是相同电势。源到衬底的源到衬底的pn结必须为零或反偏结必须为零或反偏，以，以n型型MOSFET为例，即为例，即VSB0。第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体

26、管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础3510.4 频率限制特性率限制特性（1）小信号等效电路）小信号等效电路MOSFET被用于线性放大电路，用小信号等效电路进行分析，被用于线性放大电路，用小信号等效电路进行分析，等效电路包括产生频率效应的电容和电阻。等效电路包括产生频率效应的电容和电阻。漏漏-衬底衬底pn结电容结电容栅极电容栅极电容，体现栅极与源、漏附，体现栅极与源、漏附近沟道电荷间的相互作用近沟道电荷间的相互作用寄生或交叠电容寄生或交叠电容和源、漏极相和源、漏极相关的关的串联电阻

27、串联电阻内部栅源电压内部栅源电压，控制沟道电流控制沟道电流高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础36（2）频率限制因素与截止频率）频率限制因素与截止频率MOSFET中有两个基本的频率限制因素。中有两个基本的频率限制因素。第一个因素为第一个因素为沟道输运时间沟道输运时间。另一个因素为另一个因素为栅电极或电容充电时间栅电极或电容充电时间。共源共源n沟沟MOSFET的高频小信号等效电路的高频小信号等效电路截止频率截止频率fT：器件的电流增益为：器件的电流增益为1时的频率，或是当输入电流时的频率，或是当输入电流Ii等于理想负载电流等于理想负载电流Id时的频率。时的频率。高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件37小小 结结MOS电容器的三种工作模式，以容器的三种工作模式，以及一些关及一些关键的参数的参数MOS电容器的理想容器的理想C-V特性特性MOSFET的基本物理的基本物理结构构MOSFET的的频率特性率特性第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十章第十章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础