半导体制造工艺过程培训课件(整理).pptx

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1、半导体制造(zhzo)工艺过程2021-7-29第一页，共33页。目录(ml)1、概述2、晶体生长与圆晶制造3、硅的氧化4、光刻与刻蚀5、扩散(kusn)与离子注入6、薄膜沉积第二页，共33页。概述(i sh)工艺(gngy)集成晶体生长与圆晶制造(zhzo)热氧化光刻与刻蚀扩散与离子注入薄膜沉积测试与封装第三页，共33页。晶体生长与圆晶制造(zhzo)1、直拉法单晶生长多晶硅放在坩埚中，加热到1420将硅熔化(rnghu)，将晶向的籽晶插入熔化(rnghu)硅中然后拔出。硅锭旋转速度 20r/min坩埚旋转速度 10r/min提升速度：1.4mm/min掺杂P、B、Sb、As第四页，共33页

2、。晶体生长与圆晶制造(zhzo)第五页，共33页。晶体生长与圆晶制造(zhzo)2、区熔法晶体生长主要用于制备高纯度硅或无氧硅生长方法多晶硅锭放置在一个(y)单晶籽晶上，多晶硅锭由一个(y)外部的射频线圈加热，使得硅锭局部熔化，随着线圈和熔融区的上移，单晶籽晶上就会往上生长单晶。电阻率高无杂质沾污机械强度小，尺寸小第六页，共33页。晶体生长与圆晶制造(zhzo)第七页，共33页。晶体生长与圆晶制造(zhzo)第八页，共33页。热氧化SiO2SiO2的根本特性的根本特性杂质杂质(zzh)(zzh)阻阻挡挡特性好特性好硅和硅和SiO2SiO2的腐的腐蚀选择蚀选择特性好特性好第九页，共33页。热氧化

3、反反响响方程方程(fngchng)(fngchng)：Si(Si(固体固体)+O2()+O2(气气体体)SiO2SiO2Si(Si(固体固体)+2H2O()+2H2O(气气体体)SiO2+H2(SiO2+H2(气气体体)第十页，共33页。热氧化硅热氧化工艺，可分为：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。干氧氧化是以枯燥(kzo)纯洁的氧气作为氧化气氛，在高温下氧直接与硅反响生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化气氛，由硅片外表的硅原子和水分子反响生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化的为大。而湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。第十一页，共33页。光刻与刻蚀光刻是一

4、种复印图象和化学腐蚀相结合的综合性技术。它先采用照相复印的方法，将事先制好的光刻版上的图形精确地、重复地印在涂有感光胶的SiO2层(或Al层)上，然后利用光刻胶的选择性保护作用，对SiO2层(或A1层)进行选择性化学腐蚀，从而在Si02层(或Al层上)刻出与光刻版相应的图形。光刻技术常见的技术方案有紫外光刻、电子束光刻、纳米压印光刻等，以广为业界的人们所熟悉。近年来，在人们为纳米级光刻技术探索出路(chl)的同时，也出现了许多新的技术应用于光刻工艺中，主要有干预光刻技术、激光聚焦中性原子束光刻、立体光刻技术、全息光刻技术和扫描电化学光刻技术等等。第十二页，共33页。光刻与刻蚀光刻工艺步骤(bz

5、hu)如下：首先图层被转移到光刻胶层。第十三页，共33页。光刻与刻蚀其次，把图形(txng)从光刻胶转移到晶圆上。第十四页，共33页。光刻与刻蚀光刻胶有正胶和负胶之分第十五页，共33页。光刻与刻蚀第十六页，共33页。光刻与刻蚀用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一局部 材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形。刻蚀最简单(jindn)最常用分类是：湿法刻蚀和干法刻蚀。第十七页，共33页。光刻与刻蚀湿法刻蚀是一个纯粹的化学反响过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反响来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的局部而到达刻蚀目的。湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛

6、光、清洗、腐蚀 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、本钱(bn qin)低 缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液 第十八页，共33页。光刻与刻蚀干法刻蚀：利用等离子体(dnglzt)将不要的材料去除亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法。干法刻蚀种类很多，如光挥发、气相腐蚀、等离子体(dnglzt)腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作平安，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：本钱高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程如屏蔽式，下游式，桶式，纯物理过程如离子铣，物理化学过程，

7、常用的有反响离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP。第十九页，共33页。扩散(kusn)与离子注入所谓扩散指在高温下，杂质在浓度梯度的驱使下渗透进半导体材料，并形成一定的杂质分布，从而(cng r)改变导电类型或杂质浓度。剂量剂量(jling)(jling)控制控制结深控制结深控制第二十页，共33页。扩散(kusn)与离子注入扩散(kusn)系统固态(gti)源液态源第二十一页，共33页。扩散(kusn)与离子注入所谓离子注入指先使待掺杂的原子或分子电离，再加速到一定的能量，使之注入到晶体中，然后经过退火使杂质激活。离子注入的优点：精确控制剂量和深度(shnd)低温:小于125 掩膜材料多

8、样外表要求低横向均匀性好(1%for 8 wafer)第二十二页，共33页。扩散(kusn)与离子注入第二十三页，共33页。扩散(kusn)与离子注入离子注入机种类离子注入机种类(zhngli)：离子注入机结构图离子注入机结构图外形外形(wi xn)卧式卧式立式立式能量能量低能量低能量60Kev中能量中能量60kev-200kev高能量高能量200kev以上以上第二十四页，共33页。扩散(kusn)与离子注入退火退火(tu hu)的作用：的作用：1.消除消除(xioch)晶格损伤晶格损伤2.激活杂质激活杂质退火的方法：退火的方法：1.高温热退火：用高温炉把硅片加热至高温热退火：用高温炉把硅片加

9、热至800-1000 并保持并保持30分钟分钟特点：方法简单，设备兼容，但高温长特点：方法简单，设备兼容，但高温长时间易导致杂质的再扩散。时间易导致杂质的再扩散。第二十五页，共33页。薄膜沉积(chnj)l根据需要，在晶圆的外表沉积一层目标材料实现一定功能的过程称为薄膜沉积，薄膜沉积包括以下几个方面(fngmin)l外延生长技术l电介质淀积l多晶硅淀积l金属化第二十六页，共33页。薄膜沉积(chnj)物理气相沉积物理气相沉积PVD)PVD)指的是利用某种物理的过指的是利用某种物理的过程，如物质的热蒸发或在受到粒子束轰击时物程，如物质的热蒸发或在受到粒子束轰击时物理外表理外表(wibio)(wi

10、bio)原子的溅射现象，实现物质原子的溅射现象，实现物质从原物质到薄膜的可控的原子转移过程。从原物质到薄膜的可控的原子转移过程。物理气相沉积技术中最为根本的两种方法物理气相沉积技术中最为根本的两种方法就是蒸发法和溅射法，另外还有离子束和离子就是蒸发法和溅射法，另外还有离子束和离子助等等方法。助等等方法。第二十七页，共33页。薄膜沉积(chnj)化学气相沉积化学气相沉积(CVD)(CVD)顾名思义，利用气态的先驱反响物，顾名思义，利用气态的先驱反响物，通过通过(tnggu)(tnggu)原子、分子间化学反响的途径生成固态原子、分子间化学反响的途径生成固态薄膜的技术。薄膜的技术。在高质量的半导体晶

11、体外延技术以及各种绝缘材料薄在高质量的半导体晶体外延技术以及各种绝缘材料薄膜的制备中大量使用了化学气相沉积技术。比方，在膜的制备中大量使用了化学气相沉积技术。比方，在MOSMOS场效应管中，应用化学气相方法沉积的薄膜就包括场效应管中，应用化学气相方法沉积的薄膜就包括多晶硅，二氧化硅、氮化硅等。多晶硅，二氧化硅、氮化硅等。第二十八页，共33页。薄膜沉积(chnj)化学气象沉积指利用化学反响的方式在反响室内将反化学气象沉积指利用化学反响的方式在反响室内将反响物通常为气体响物通常为气体)生成生成(shn chn)固态的生成固态的生成(shn chn)物，并沉积物，并沉积 在硅片外表的一种薄膜沉在硅片

12、外表的一种薄膜沉积技术。积技术。气相淀积具有很好的台阶覆盖特性气相淀积具有很好的台阶覆盖特性APCVD=Atmospheric Pressure CVD，常压，常压CVDLPCVD=Low Pressure CVD，低压，低压CVDPECVD=Plasma Enhanced CVD，等离子体，等离子体CVDHDPCVD=High-Density CVD，高密度，高密度CVD第二十九页，共33页。薄膜沉积(chnj)气体通过热反响气体通过热反响(fnxing)(fnxing)腔时发生化学反响腔时发生化学反响(fnxing)(fnxing)第三十页，共33页。薄膜沉积(chnj)CVD反响过程(g

13、uchng)：参加反响的气体混合物被输运到沉积区反响物由主气流扩散到衬底外表。反响物分子吸附在衬底外表上吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反响，生成硅原子和化学反响副产物，硅原子沿衬底外表迁移并结合进入晶体点阵内反响副产物分子从衬底外表解吸副产物分子由衬底外表外扩散到主气流中，排出沉积区。第三十一页，共33页。半导体制造(zhzo)过程控制微电子制造的过程控制问题可分成四种类型(Lee,1990)：设备管理，污染控制(contamination control)，材料操作及单元操作控制。主要的材料操作及单元操作有晶体生长，氧化，沉积(绝缘体，硅，金属)，物理气相沉淀，掺杂物扩散，掺杂物离子培植(dopant ion implantation)，光刻，刻蚀及机械/化学研磨等。建模和控制方法的研究主要集中(jzhng)在刻蚀(lithography)，沉积，蚀刻等方面。第三十二页，共33页。第三十三页，共33页。