(中职)电子技术基础与技能模拟电路复习总结.ppt
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1、YCF正版版可修修改PPT(中职)电子技术基础与技能模拟电路复习总结基本器件第1章基本器件二极管三极管场效应管一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子 自由电子空穴 价电子两种半导体N型(多电子)P型(多空穴)二、二、二极管1.1.特性特性单向导电导电正向电阻小(理想为0),反向电阻大()。i iDOO u uDU U(BR)I IFU URM2.2.主要参数主要参数正向最大平均电流I IF反向最大反向工作电压U U(BR)(超过则击穿)反向饱和电流I IR(I IS)(受温度影响)I IS3.二极管的等效模型理想模型(大信号状态采用)u uDi iD正偏导通电压降为零相当于理想开关闭合
2、反偏截止电流为零相当于理想开关断开恒压降模型U UD(on)正偏电压 U UD(on)时导通等效为恒压源U UD(on)否则截止,相当于二极管支路断开U UD(on)=(0.6 0.8)V估算时取0.7V硅管:锗管:(0.1 0.3)V0.2V折线近似模型相当于有内阻的恒压源U UD(on)4.二极管的分析方法图解法微变等效电路法5.特殊二极管工作条件主要用途稳压二极管反偏稳压发光二极管正偏发光光敏二极管反偏光电转换判断电路中二极管工作状态的方法1.断开二极管,分析电路断开点的开路电压。如果该电压能使二极管正偏,且大于二极管的死区电压,二极管导通;否则二极管截止。2.如果电路中有两个二极管,利
3、用方法1分别判断各个二极管两端的开路电压,开路电压高的二极管优先导通;当此二极管导通后,再根据电路的约束条件,判断另一个二极管的工作状态。二极管二极管导通的判定导通的判定导通的判定导通的判定对于图a,经判断知,D1、D2两端的开路电压分别为:D2反偏电压为5VD1导通AB=0VD2截止V V115V10VV V2R R2kWU UABB+_D2AD1(a)10V,5V 二极管二极管导通的判定导通的判定导通的判定导通的判定对于图b,经判断知,D1、D2两端的开路电压分别为即D1上的反偏电压为15VD2优先导通AB=15VD1截止10V,25VD2导通后V V115V10VV V2R R2kWU
4、UABB+_D2AD1(b)二极管二极管导通的判定导通的判定导通的判定导通的判定如图,已知u ui10sintt(v),试画出u ui与u uo的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。u uO10ui(V)tu uOt 二极管二极管导通的判定导通的判定导通的判定导通的判定 例例:如如图图,E E6V6V,二二极极管管正正向向压压降降忽忽略略不不计计,画出画出 u uo o波形。波形。E EV V1 1u ui iu uO O1010u ui i (V)(V)tt6 6E EV V2 2R R6 6u ui i E E,V V1 1导通,导通,V V2 2截止截止 u u0 0=E=6V=E=6
5、VEuEui i E E,V V1 1、V V2 2截止,截止,u u0 0=u=ui iu uO Ott解:解:u ui i UBUEPNP:UCUBUE)场效应管1.分类按导电沟道分N沟道P沟道按结构分绝缘栅型(MOS)结型按特性分增强型耗尽型u uGS=0时,i iD=0u uGS=0时,i iD 0增强型耗尽型(耗尽型)2.特点栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流输入电阻高,工艺简单,易集成由于FET无栅极电流,故采用转移特性和输出特性描述不同类型FET转移特性比较3.特性结型N沟道u uGS/Vi iD/mAOO增强型耗尽型MOS管(耗尽型)I IDSS开启电压U UGS(th)夹断
6、电压U UGS(off)I IDO是u uGS=2U UGS(th)时的i iD值 例题:例:(南京航空航天大学2000年研究生入学试题)场效应管是()控制元件,而双极性三极管是()控制元件。答案:(电压),(电流)。例:(北京交通大学1997年研究生入学试题)在放大电路中,场效应管工作在()区。答案:(饱和区或恒流区)。例:一个场效应管的输出特性如图所示,试分析:(1)它是属于何种类型的场效应管;(2)它的开启电压VT(或夹断电压VP)大约是多少?(3)它的饱和漏极电流 DSS是多少?4812 162680Id(mA)1vVgs=0v-1v-2v44N沟道耗尽型场效应管VP=-3V DSS6
7、mA。场效应管判定基本放大电路一、晶体管电路的基本问题和分析方法三种工作状态状态电流关系条件放大I I C=I IB发射结正偏集电结反偏饱和 I IC I IB两个结正偏I ICS=I IBS集电结零偏临界截止I IBU U(th)则导通以NPN为例:U UBEU UBU UE放大U UEU UC U UB饱和PNP管U UCU UBU UC U UB饱和两个基本问题静态(QQ)动态(A Au u)解决不失真的问题“QQ”偏高引起饱和失真“QQ”偏低引起截止失真解决能放大的问题两种分析方法1.计算法1)直流通路求“QQ”(从发射结导通电压U UBE(on)出发)2)交流通路分析性能 交流通路画
8、法:V VCC接地,耦合电容短路小信号电路模型+u uce+u ube i ibi icCBEr rbe Ei ibi ic i ic+u ube+u uce BC两种典型电路结构偏置式+u us+V+VCCR RCC C1C C2R RL+R RBR RS+u uo分压式+u us+V+VCCR RCC C1C C2R RLR RE+R RB1R RB2R RS+u uo 求静态工作点;求性能指标;1 1、试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信、试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。为短路
9、。例题例:例:已知:已知:Rb1=40K,Rb2=20K,Rc=2.5K,Re=2K,Vcc=12V,UBE=0.7V,=40,RL=5K。试计算。试计算Q、Au、Ri、Ro。Rb1Rb2ReRc+VccRsRLUs解:解:解题步骤解题步骤UB UE IEQ ICQ IBQUCEQUB=Rb2 Rb1+Rb2 Vcc=20 1240+20=4V UE=UBUBE=40.7 =3.3VIEQ=UERE=3.3 2=1.65mAICQ IEQ=1.65mAIBQ=ICQ=1.65 40=41AUCEQ VccICQ(Rc+RE)=121.65(2+2.5)=4.575 VuiRb1RC RLibi
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- 关 键 词:
- 电子技术 基础 技能 模拟 电路 复习 总结
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